缓冲电路设计

缓冲电路设计 缓冲电路设计方法 1. RCD 缓冲电路 ​ Lm=L1+L2 ​ Ls ​ Cs ​ Ds ​ Rs ： ： ： ： ： 电源线的线电感 缓冲电路电感 缓冲电容 缓冲二极管 缓冲电阻 2. 关断波形 ​ Io ​ Vcesp ​ Vcep ​ Ed ​ Vfp(Ds) ： ： ： ： ： 集电极关断电流 Ls引起的尖峰电压峰值 Cs充电的峰值电压 电源电压 缓冲二极管的正向恢复电压 ​ Vfp(Ds) ​ Ls 应尽量小 应尽量小 ​ Lm ​ Cs 应尽量小 应足够大 3. 缓冲电路的选择    (1)缓冲电容(Cs)       ​ Lm ​ Io ​ Vcep ​ Ed ： ： ： ： 1μH/m 2×Ic(Rated) 0.9×Vces 400V for AC 220V, 800V for AC 440V    (2)缓冲电阻(Rs)           ·f:开关频率 4. 缓冲电路类型 类型 线路图 备注 A  2-in-1半桥：独立缓冲器  6-in-1全桥：集中缓冲器 B  2-in-1半桥：独立缓冲器  6-in-1全桥：集中缓冲器 C  集中缓冲器   5. 缓冲参数  1000V/GTR: Z- 系列 型号 Ic(DC) Vces 缓冲器类型 Cs (Ed=650V) Rs (Lm=1μH,f=15kHz) Ds 2DI30Z-100 30A 600V A (Lm=0.5μH) 0.033 μF - - 2DI50Z-100 50A 0.094 μF - - 2DI75Z-100 75A B (Lm=1.0μH) 0.15 μF 1.2kΩ/60W ERG27-10 2DI100Z-100 100A 0.22 μF 1.0kΩ/100W ERG27-10 2DI150Z-100 150A 0.56 μF 330Ω/230W ERG27-10 1DI200Z-100 200A C (Lm=1.0μH) 2.7 μF 68Ω/400W ERG27-10 ERG77-10 1DI300Z-100 300A 6.4 μF 33Ω/900W ERG27-10 ERG77-10  1200V/GTR: Z- 系列 型号 Ic(DC) Vces 缓冲器类型 Cs (Ed=800V) Rs (Lm=1μH,f=15kHz) Ds 2DI30Z-120 30A 1200V A (Lm=0.5μH) 0.022 μF - - 2DI50Z-120 50A 0.068 μF - - 2DI75Z-120 75A B (Lm=1.0μH) 0.1 μF 2.2kΩ/60W ERG28-12 2DI100Z-120 100A 0.47 μF 330Ω/100W ERG28-12 2DI150Z-120 150A 0.56 μF 330Ω/230W ERG28-12 1DI200Z-120 200A C (Lm=1.0μH) 2.2 μF 68Ω/400W ERG28-12 ERG78-12 1DI300Z-120 300A 4.7 μF 33Ω/900W ERG28-12 ERG78-12  600V/IGBT系列        *（L/F系列，部分N系列） 型号 Ic(DC) Vces 缓冲器类型 Cs (Ed=400V) Rs (Lm=1μH,f=15kHz) Ds 6MBI10*-060 10A 600V A (Lm=0.5μH) 0.033μF - - 6MBI15*-060 15A 0.1μF - - 6MBI20*-060 20A 0.16μF - - 6MBI30*-060 30A 0.33μF - - 6MBI50*-060 50A 1.0μF - - 2MBI50*-060 0.33μF - - 6MBI75*-060 75A B (Lm=1.0μH) 1.6μF 16Ω/420W ERE24-06 2MBI75*-060 0.47μF 56Ω/420W ERE24-06 6MBI100*-060 100A 2.2μF 10Ω/750W ERE24-06 2MBI100*-060 0.68μF 22Ω/750W ERE24-06 2MBI150*-060 150A 1.8μF 16Ω/1.7kW ERE24-06 2MBI200*-060 200A 3.3μF 6.8Ω/3.0kW ERE24-06 2MBI300*-060 300A C (Lm=1.0μH) 10.0μF 2.2Ω/6.8kW 2MBI400*-060 400A 18.0μF 1.6Ω/12kW ERE24-06×2P ERE74-06×2P  1200V/IGBT系列        *（L/F系列，部分N系列） 型号 Ic(DC) Vces 缓冲器类型 Cs (Ed=800V) Rs (Lm=1μH,f=15kHz) Ds 6MBI8*-120 8A 1200V A (Lm=0.5μH) 0.0068μF - - 6MBI15*-120 15A 0.022μF - - 6MBI25*-120 25A 0.068μF - - 2MBI25*-120 30A 0.022μF - - 6MBI50*-120 50A 0.068μF - - 2MBI75*-120 75A B (Lm=1.0μH) 0.1μF 220Ω/420W ERG28-12 2MBI100*-120 100A 0.47μF 56Ω/750W ERG28-12 2MBI150*-120 150A 0.56μF 47Ω/1.7kW ERG28-12 1MBI200*-120 200A C (Lm=1.0μH) 2.2μF 10Ω/3.0kW ERG28-12 ERG78-12 1MBI300*-120 300A 4.7μF 5.6Ω/6.8kW ERG28-12 ERG78-12 6. 低电感线路的基本结构 (1) 叠层导线板 (2) 叠层导线条 7. 电容缓冲器电路（集中缓冲) 缓冲电容的选择 ​ L ​ Io ​ Vceo ​ Ed ：分布电感 ：关断时的Ic ：尖峰电压 ：DC电源电压 8. 集中缓冲器电容（参考值） 元件规格 栅极驱动条件 电源电路的分布电感 (μH) 缓冲电容 (μF) -Vge(V) Rg(Ω) 600V 50A 5―15 ≥51 - 0.47 75A ≥33 100A ≥24 150A ≥16 ≤0.2 1.5 200A ≥9.1 ≤0.16 2.2 300A ≥6.8 ≤0.1 3.3 400A ≥4.7 ≤0.08 4.7 1200V 50A 5―15 ≥24 - 0.47 75A ≥16 100A ≥9.1 150A ≥5.6 ≤0.2 1.5 200A ≥4.7 ≤0.16 2.2 300A ≥2.7 ≤0.1 3.3