充电器

从图中可知，变压器T为双基极管V1提供工作电压，双基极管V1及相应外围元件组成一个振荡器，振荡频率可由RP1、RP2控制。在本电路中，RP1、RP2取值相差较大，所以在实际工作中，RP2可起粗调作用，RP1起细调作用，这对单个电池充电时尤为重要，可避免损坏蓄电池。由V1产生的振荡脉冲经VD3隔离，触发晶闸管VS，充电电流的大小及电压的高低取决于振荡器的输出脉冲，即由振荡频率决定。R5为取样电阻，其大小视电流而定，若电流表内带取样电阻，则R5可省去。R6、C2是保护表头用的阻尼元件。 实际选用的元件参数如图，变压器T可用功率为5W、输出电压为24V左右的任何型号的变压器，若输出电压达不到0～80V，最大电流达不到20A，可换用另一只双基极管，也可换用触发灵敏度高一些的晶闸管。 特别需要注意的是：相线和零线要按图中连接；实际操作时，一定要接好电池后才可接通电源；充电结束后，应先切断电源，再拆除电池的连线。本机的缺点是对电网的干扰较大，有条件的话，可制作一个大功率的滤波器，以减少对电网的干扰。 1. 可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示。 　　图1 交流可控硅调压电路原理方框图 　　（1）整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。 　　（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。 　 　　（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。 　　 　　（4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。 　　（5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。 　　2． 可控硅(晶闸管)交流调压电路原理图 　　图2 交流可控硅调压电路的原理图 　　3. 可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理 　　图中TVP抗干扰普通电源电路。采用双向TVP管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。 　　整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A ,K两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。于是电容C通过T1管的e1,b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。 4. 可控硅(晶闸管)交流调压电路元件参数的选择 　　（1）二极管D1,D2,D3,D4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。型号2CZ21B, 2CZ83E。 　　（2）晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。型号 国产3CT。 　　（3）调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的合成炭膜电位器。 　　（4）电阻R1选用功率为1瓦的金属膜电阻。 　　（5）电阻R2,R3,R4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。 5. 这种交流可控硅调压电路特点 　　（1） 具有调压功能,输出电压范围100到220伏； 　　（2）具有输出电压可调功能。可根据需要调节输出电压； 　　（3） 所的电路具有的抗干扰功能。 　　欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）