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太阳能电池材料制备

2011-07-01 3页 doc 36KB 24阅读

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太阳能电池材料制备吸收层薄膜材料是太阳能电池的关键材料,其制备工艺是整个电池制备工艺的关键,而元素配比又是决定材料的性能的主要因素 太阳能电池薄膜材料制备工艺初步方案设想 吸收层薄膜材料(CIS/CIG)是太阳能电池的关键材料,其制备工艺是整个电池制备工艺的关键,而元素配比又是决定材料的性能的主要因素。 电化学沉积-硒化工艺,溅射法-硒化工艺、丝网印刷-硒化工艺等能很好地控制元素配比的情况,而且工艺较其他的工艺简单,具有良好的应用前景。 一、制备CIS薄膜吸收层(电化学沉积-硒化工艺) 电化学沉积方法是一种低成本的制造CIS/CIGS先驱薄膜最...
太阳能电池材料制备
吸收层薄膜材料是太阳能电池的关键材料,其制备是整个电池制备工艺的关键,而元素配比又是决定材料的性能的主要因素 太阳能电池薄膜材料制备工艺初步设想 吸收层薄膜材料(CIS/CIG)是太阳能电池的关键材料,其制备工艺是整个电池制备工艺的关键,而元素配比又是决定材料的性能的主要因素。 电化学沉积-硒化工艺,溅射法-硒化工艺、丝网印刷-硒化工艺等能很好地控制元素配比的情况,而且工艺较其他的工艺简单,具有良好的应用前景。 一、制备CIS薄膜吸收层(电化学沉积-硒化工艺) 电化学沉积方法是一种低成本的制造CIS/CIGS先驱薄膜最有潜力的方法,另外电化学沉积方法也是一种非真空工艺,适用于大规模生产,它避免使用昂贵的真空设备,而且工艺简单。 研究发现,在CIS薄膜太阳能电池中,In离子的含量较大时,CIS薄膜太阳能电池的性能相对较好。利用矿业公司In 的资源优势,以简单的电化学沉积方法制备CIS/CIGS薄膜太阳能电池,具有良好的工业前景。 1.​ 按一定比例先沉积Cu、In元素,然后硒化,从而形成CuInSe2薄膜结构,进一步制备太阳能电池。在此工序中,可以通过最终电池的性能来考察吸收层中的最佳的In含量,实现电池高的光电转化率。 2.​ 采用快速退火处理得到CuInSe2薄膜吸收层。快速退火处理方法能提高CuInSe2薄膜吸收层的晶粒结构和成膜均匀性。 优点:能充分利用资源优势,工艺简单,易于控制薄膜中各元素的化学剂量比、膜的厚度及成分分布均匀,对设备整体要求不高。 缺点:In的含量可能分布不均匀。 为克服上述的缺点,具体的实施方案可以有; 第一步中,按一定比例先沉积Cu、In元素,再蒸镀一层硒薄膜形成纳米数量级的铜铟镓硒薄膜结构。并按此方法重复多次,制备出多层CIS吸收层。这样可以防止In的扩散,然后再进行快速退火处理。这样就增加了工序,但也提高了电池的生产成本。 2、​ 制备CIGS薄膜吸收层(溅射法-硒化工艺) 溅射法适合制备富铜和富铟结构的要求,利用矿业公司In 的资源优势,再结合硒化退火,可以制备高品质的CIGS薄膜吸收层。 1.​ 采用溅射法制备Cu-In-Ga金属预置膜,再蒸镀一层硒薄膜形成纳米数量级的铜铟镓硒薄膜结构。并按此方法重复多次,制备出多层CIGS吸收层。从而形成CuInGaSe2薄膜结构。此工序中需要优化Ga、In的含量,研究不同的Ga/(In+Ga)的值,主要通过研究In的含量对电池性能的影响。 2.​ 采用快速退火处理,得到CuInGaSe2薄膜吸收层。 优点:可以根据溅射速率和时间,有效地调节各种元素的化学配比,有利于提高重复性。而且溅射沉积薄膜的均匀性好,适合大面积电池的制造,溅射靶生产效率高。另外,多次硒化处理,有效地防止了Ga、In等元素含量出现不均匀的问,电池的效率应该比较高。 缺点:工艺较电化学沉积-硒化工艺复杂,成本相对高。 三、制备CIGS薄膜吸收层(丝网印刷-硒化工艺) 丝网印刷所制备的CIGS薄膜大多是多孔的,工艺中不能有效地掺入镓,而且其晶粒尺寸较小,导致电池转化效率不高、稳定性能不好等缺点局限了其大规模的应用,但是丝网印刷制备工艺设备简单,成本低,样品均匀性好的优点。工艺主要通过改善原料的性质及加入硒化工艺等手段制备高均匀的CIGS薄膜吸收层。实施方案可以为: 1.​ 以钠钙玻璃为基板,使用铜铟镓硒的合金纳米粒子代替纯的铜铟镓硒粉分散于溶剂中,加入一定量的粘合剂、稳定剂等制成油墨,并将这些油墨印刷到基板上。 2.​ 硒化退火,即可以形成均匀的CIGS薄膜吸收层。 优点:铜铟镓硒的合金纳米粒子制成油墨,能从一定程度上解决不能有效地掺入镓的问题。钠钙玻璃为基板能改善CIGS薄膜的形貌及导电性能。硒化工艺可以补充第一步处理时丢失的硒,保证CIGS薄膜的均匀性。 缺点:印刷油墨的制备相对困难,研究如何制备合适的印刷油墨是该工艺的关键。
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