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三极管

2011-08-03 5页 doc 213KB 23阅读

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三极管三极管 三极管 主要参数: 1 电流放大系数 ⑴直流电流放大系数 ⑵交流电流放大系数 ⑶共基极电流放大系数 2 频率特性参数 ⑴共基极截止频率fa ⑵共发射极截止频率fb ⑶特性频率ft ⑷最高振荡频率fm 3极间反向电流 ⑴集电极-基极反向截止电流ICEO ⑵集电极-发射极反向截止电流ICBO 4极限参数 ⑴集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO(BVCEO) ⑵集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO(BVCBO) ⑶发射极-基极反向击穿电压V(BR)EBO(BVEBO) ⑷集电极最大允许电流ICM ⑸集电极最大允许耗...
三极管
三极管 三极管 主要参数: 1 电流放大系数 ⑴直流电流放大系数 ⑵交流电流放大系数 ⑶共基极电流放大系数 2 频率特性参数 ⑴共基极截止频率fa ⑵共发射极截止频率fb ⑶特性频率ft ⑷最高振荡频率fm 3极间反向电流 ⑴集电极-基极反向截止电流ICEO ⑵集电极-发射极反向截止电流ICBO 4极限参数 ⑴集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO(BVCEO) ⑵集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO(BVCBO) ⑶发射极-基极反向击穿电压V(BR)EBO(BVEBO) ⑷集电极最大允许电流ICM ⑸集电极最大允许耗散功率PCM 晶体三极管的种类 1 硅管和锗管(按半导体材料分) 锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时,发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低,前者为0.2~0.3V,后者为0.6~0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2~0.3V的电压,晶体管就开始工作。常用型号有:3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。 硅三极管比锗管反向漏电流小,输出特性平直、耐压比较高,温度特性较好。常用型号有:3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。 2 高频管和低频管(按特征频率分) 特征频率fT小于3MHz的为低频管;大于3MHz的为高频管。 目前多用硅材料制成三极管,特征频率一般都大于3MHz,因此高频管和低频管的界线已不那么明显。 3 高、低频小功率管 高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz,功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高,功率不高于1W的放大电路,高频振荡电路。比如在晶体管收录机、收音机、 电视机的高频电路中,可选用高频小功率管。如3CG3A—E,3DG6A-D。 低频小功率三极管一般指功率小于1W,特征频率小于3MHz的三极管。主要用于电子设备的功率放大电路、低频放大电路。低功率放大电路用的小功率管一般工作在小信号状态,这样三极管的放大特性近于线性,将三极管等效为线性器件。 如3AX81A, 3AX31 , 3BX31 , DX601等。 型号 PCM (mW) fT (MHz) ICM (mA) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICEO (uA) hFE VBES (V) 外形 结构 min max 3CG14 100 100~200 40 15~30 30 200 TO92 PNP 3CG15 200 100~200 50 1.5~2.5 15~25 0.1 25 270 1 TO92 PNP 3CG21 300 100 50 15~55 30 200 TO92 PNP 3CG562 500 500 40 55 400 TO92 PNP 3CG608 200 150 100 30 40 270 TO92 PNP 3CG673 400 500 35 55 400 TO92 PNP 3CG733 250 150 100 50 55 400 TO92 PNP 型号 PCM (W) fT (MHz) ICM (A) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICEO (mA) VCES (V) hFE 外形 类似型号 Min Max 3DD70A~G 100 9 30~230 5 3.5 20 F-2 3DD8 3DD172A~G 200 1 20 80~600 50~400 3 1.8 15 G-4 型号 PCM (mW) fT (MHz) ICM (mA) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICEO (uA) hFE VBES (V) 外形 结构 3DG12A~D 500 150~300 100 40~60 30~45 0.5 40 180 0.6 B-3/TO92 NPN 型号 极性 PCM (mW) ICM (mA) V(BR)CEO (V) V(BR)EBO (V) ICBO (uA) ICEO (uA) VCE(sat) hFE fT (MHz) 封装形式 9012 PNP 400 500 25 3.0 0.5 0.5 1.0 64~202 TO-92 9013 NPN 400 500 25 3.0 0.5 0.5 1.0 64~202 TO-92 4 高、低频大功率管 高频大功率管适用于功率放大、开关电路、稳压电路以及无线电通信、无线电广播、电视发送设备的放大电路、功率驱动电路等。如:3CD30A~E 3DC020A~D 3DD12 3DD100 3DD205 3DD301A~D等 低频大功率类型比较多,用途比较广泛。在录音机、电视机、CD唱机、扩音机等音响设备的低频功率放大电路中,可选用低频大功率管作功放管,已提供扬声器足够的音频功率。在稳压电源电路、开关电路中,也可选用它作调整管和低速大功率开关管使用。如3DD102D 3DD15E 3CG170D等。 5 超高频低噪声管 一般用于超高频、高频放大电路,振荡和混频电路。具有正自动增益的管科用于电视机的前级中放,微波的噪声管科用于微波通信设备坐小信号放大。 6 开关三极管 在开关电路中,用来控制电路的开启和关闭,由加在开关管基极上 脉冲信号来控制“短路”和“开通”,是一个无触点电子开关。具有寿命长、安全可靠、没有机械磨损、开关速度快、体积小等特点。开关三极管可以用很小的电流,控制打电流的通断,有较广泛的应用。小功率开关管可以用在电源电路、驱动电路、开关电路等;大功率管可用于彩色电视机、通信设备的开关电源;也可用于低频功率放大电路、电流调整等;高反压大功率开关管可用于彩色电视机行输出管。 型号 PCM (mW) fT (MHz) ICM (mA) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICBO (mA) tON (us) tf (us) VCES (V) hFE 外形 3DK4 700 100 600 45~60 30~45 1 0.05 0.5 30 TO92 3DK200 200W 2 12.5A 400~1000 300~800 0.1 1.5 1.2 1.5 7~120 TO92 3DK201 200W 3 20A 80~350 50~250 0.1 1.2 1.0 1.5 7~120 TO92 7 复合管(达林顿管) 复合晶体管是将两个和更多个晶体管的集电极连在一起,而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极,依次连接而成,最后引出E、B、C三个电极。 复合晶体管可以用两只同极性的晶体管组成;也可以用两只不同极性的晶体管组成。它的电流放大倍数很高,是组成复合管的个单个晶体三极管放大倍数的乘积,所以把复合管看成是一个高B系数的晶体管。 复合管多用于放大功率输出的电路中。 8 光敏(光电)三极管 光敏三极管的基区面积比普通三极管大,而发射区面积较小。光敏三极管具有对光电信号的放大作用,当光电信号从基极(大多数光窗口即为基极)输入时,激发了基区半导体,产生电子和空穴的运动,从而在发射区有空穴的积累,相等于在发射极施加了正向偏压,使光敏三极管有放大作用。通过光敏三极管就得到了随入射光变化而放大的电信号。 使用于光探测、光电传感器、自动控制、光耦合、编码器、译码器、激光接受等方面。
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