【doc】D型截面托卡马克的快波功率沉积
D型截面托卡马克的快波功率沉积 第19卷第4期
2002年7月
计算物理
CHINESEJOURNALOFCOMPUTATIONALPHYSICSVo1.19.No.4
Ju1.,2002
[文章编号]1001—246X(2002)04.0317—04
D型截面托卡马克的快波功率沉积
朱学光
(电_『工程学院空间电子对抗研究所,安徽合肥230037) [摘要]对D型截面托卡马克用平板模型求出等离子体中的场量及微分场量的分
布,由此对入射波进行波束划
分,并给出每一波束的初始条件.用射线轨迹方法计算并叠加每一波束功率沉积,
得到快波功率沉积的计算结果.
[关键词]D型截面;微分场量;功率沉积
[中图分类号]0532[文献标识码]A
O引言
汁算D型截面托卡马克ICRH(离子回旋共振加
热)的功率沉积问题,首先用平板模型求全波
解,在已知全波解的基础上,对入射波进行合理
的波束划分,并给出每一波束的初始条件,再用射线
轨迹方法"求每一射线波束功率沉积,并将每一
射线波束功率沉积叠加起来,得到快波加热的总的
功率沉积.所谓平板模型就是为了简化天线耦合算
法,将复杂的托卡马克位形用平板模型来等效,即假
设托卡马克的纵场及等离子体的密度分布和温度分 布只是水平径向位置的函数,与环向及极向的坐标
无关.所谓全波解方法就是按照平板模型,沿径向进 行离散分层,然后沿极向和环向用二维傅立叶变换 求出天线耦合的每一谱分量的解,并将各谱分量的 解叠加起来,求出各场量在变换域的解,再通过傅立 叶反变换求出各场量的具体解.本文正是用平板模 型求D型截面托卡马克的全波解,在设定了射线波 束的初始位置的前提下,根据全波解求出的场量及 微分场量确定出射线波束的初始波矢量及初始功率 通量,再用射线轨迹方法给出功率沉积计算结果. 1D型截面的平板模型[5】
对D型截面托卡马克,习惯用柱坐标系(R,0, z),其中R:0对应其对称轴(尺代
空间任意一点 到对称轴的距离),0为环向角,z为空间任意一点 相对于托卡马克赤道面的坐标(上为正下为负).以 p表示磁面在赤道平面内的小半径,用表示归一化 R=?R(1D)cos(n),(1) Z=?Z(p)sin(n),(2)
尺=尺.一?(1D)一pc0s+舞(c.s2一1),(3) ?(1D)=?.(1一up),(5)
其中R.是托卡马克的磁轴到对称轴的距离,a.是 d{i~oB?,
其中"=ke一k:,=e/",e.,e是等离子体
三维洞穴环'引天线(即将环天线置于托卡马克 [收稿日期]2000—11—24.[修回日期]2001—05—21 [作者简介]朱学光(1964一),男,安徽无为,博士,副教授,从事微波等离_f体方面的
研究
318计算物理第19卷
仅考虑带状环形天线的垂直臂的影响,同时也考虑
两个水平臂的影响.等离子体边界及法拉第屏蔽都 位于=0处,是径向,Y是极向,是环向(垂直于 纸面的方向).假定采用快波加热方式(即天线激励 电流的方向垂直于环向),采用三维洞穴环天线的耦 合模型,用全波解的方法求出每一谱分量在变换 域的解.
图1j维洞穴环天线快波加热的平板模型示意图 Fig.1Slabmodelplotofthe3-demensional-cavity
loopantennaff1rfastwaveheating
2射线初始条件的确定
用射线轨迹方法确定功率沉积时,射线的初始 条件非常重要,在等离子体中功率沉积主要集中在 共振层附近.射线的初始条件不同,射线经过的途径 将不同,导致功率沉积不同.波束划分得越细,计算 精度相对越高,但计算量就越大,划分的原则是波束 截面的尺度应小于波长.射线轨迹的初始条件包括 合理地划分子波束并确定出每一子波束在托卡马克 中的具体位置,计算出每一子波束的初始波矢量和 初始功率通量.
在合理地划分并设定了射线波束的初始位置 后,有了天线耦合模型,使得每一谱分量在给定位置 的变换域解E(k,k)和H:(k,k:)是已知的,那么 ,Y=
jJEy(el(ky)+kzZ)dk—dk,
(8)
(x,y,z)=?iyEy)?
e",
"k
xz)ddk,(9)
(Y=jJ(el(kyy+k=z)dkdk:,
(10)
)=_).
e
i(,
:
dkdk,,(11)
初始功率通量
,J=?ReE,×H.(12)
射线轨迹算法是基于WKB近似能够满足,即波的 WKB参数II/ll要明显小于1.波在反射处的 WKB近似能否满足,取决于波在该处的波矢量及其 梯度.比如波沿方向发生反射,k发生符号变化, 但一般来说和k.并不为零,WKB条件能近似满 足,除非反射处出现截止共振对,并且靠得很近, WKB近似将造成较大的误差.在射线起始位置处, 初始波矢量可以近似表示为
=,
…)丁(,y''(3
:
:丽兰x,y,z).(14)
在k和k已知的情况下由等离子体色散关系确定 ,即
(,,:)=(.2e一)(一(i!—)'),
k(,k,k:)=k21(,k,k:)一k,
这样就给出了射线轨迹的初始条件.
(15)
(16)
3射线轨迹模型l6]
给定了等离子体的分布参数后,等离子体色散
关系是已知的,设等离子体的色散关系由下式确定 D(r)=0,(17)
其中r是等离子体位置矢量,在满足WKB近似的条 件下,可以导出射线轨迹方程如下
dt=一/=k,(s)一a/a一a',u
些dt=.(19)一ar/a'
总功率通量5与射线的关系可表示为
一:.?
由(17),(20)式可以求出射线传播轨迹和功率沉 积.需要指出的是,射线轨迹模型把等离子体看成是 各向异性的吸收介质.等离子体介电张量与等离子 体电导率张量之间的关系由下式表达
,=,,+i/,(21)
第4期朱光学:D型截面托卡屿克的快波功率沉积319 其中,和分别表示等离子体介电张量与等离子体 电导率张量,,表示单位张量,标量,表示真空中 的电导率.波的电场矢量由等离子体色散关系决定, 设为e,则等离子体第a种类粒子吸收的功率可用a 种类粒子对电导率张量的贡献表示为
P=e?.?e.(22)
4计算结果
模拟计算是参考H1_7一u的
参数,采用D型 截面的托卡马克假定,快波加热洞穴环天线的结构 如图1所示,假定离子回旋快波从低场侧注入.等离 子体模型参数的分布形式为
f/(1D):(fo一)[1一(pla.)+,
{/(1D):?(1D—o)/o?,
Lf(ID):0,
蛙
鼍
x/m
图2射线轨迹对小截面的投影
Fig.2Poloidalprojectionofray?tracing
ptrn
图4氢离子的功率沉积
Fig.4Hpowerdeposition 蛙
鼍
lD?ap,
0P<lD?0P+0,(23)
ID>ap+apf?
图3射线轨迹对水平截面的投影
Fig.3Toroidalprojectionofray—tracing 图5氘离子和电子的功率沉积
Fig.4D'ande—powerdeposition B0:30kG,R0=1.6m,=45.6M|tz,H:D:1:10,n0=5×10cm,,T=2keV,Tj【】=2keV.d:0.35m,
?=0,:1.6,8=O.3
天线:极向度0.3m,径向长度0.03m,宽度0Im凹槽:极向长度0.4m,径向深度0.04m,
环向宽度0.2m
计算物理第19卷
分布函数的a,因子对于密度和温度分别取1和2, 等离子体中心的密度和温度厂0分别取5×10"cm 和2000eV,等离子体边界密度和温度分别取 1×10cm一和15eV.
图2和图3为射线传播轨迹在小截面及水平面 的投影,射线在共振层和边界层附近将发生反射,经
过若干次反射后能量被等离子体吸收.图4和图5
分别为氢离子,氘离子及电子的功率沉积,它们是
66条子波束的总功率沉积,用极向11个点,乘上沿
环向6个点,总共66条射线.由图可见,射线的能量
主要沉积在离子回旋共振层附近.并被基频共振离
子(即氢离子)所直接吸收,当然通过碰撞氘离子和
电子也能够得到一定程度的加热.
5结论
通过计算快波加热的功率沉积,可以预测快波
加热的能量在托卡马克等离子体中的被吸收位置,
推测波能能否有效地被等离子体中心区域所吸收.
通过合理选择天线体制和天线
,使能量尽可能
沉积在中心区域
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FAST.WAVEPOWERDEPoSITIoNFoRD.SHAPED
CRoSS.SECTIoNToKAMAK
ZHUXue—guang
(SpaceElectronicCountermeasure,ElectronicEngineeringInstitute,Hefei230037,China) [Abstract]ThefieldquantityanditsdifferentialsinplasmaarefoundbytheslabmodelforD—
shapedCroSS—sectiontokamak,thenincident
waveisresolvedaswavepackets,andtheinitialconditionisgiven.Raytracingmethodisusedtocalculateandsuperposethepowerdeposition
ofanywavepacket,andthepowerdepositionresultisobtained.
[Keywords]D-shapedcross?section;differentialfieldquantity;powerdeposition [Receiveddate]2000—11—24;[Reviseddate]2001—05—21