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掺杂PZT压电陶瓷材料的研制及其发展趋势

2011-10-30 4页 pdf 307KB 48阅读

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掺杂PZT压电陶瓷材料的研制及其发展趋势 山西科技 SHANⅪSCIENCEANDTECHN010GY 2008年第1期1月20日出版 ●应用技术 掺杂PZT压电陶瓷材料的研制及其发展趋势 陈聪 (山西工程职业技术学院) 摘要:在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备基础上总结出生产掺杂PZT材料的最佳烧成条件。 研究表明,文章所研制的样品已达到或超过压电点火材料的水平,但所选系统仍有潜 力可挖,只要工艺合适,性能完全能再提高。同时还介绍了无铅压电陶瓷材料的发展 趋势。 关键词:I:tZT;压电陶瓷;烧成 中圈分类号:TB321 文献标识码:A 文章编号:100...
掺杂PZT压电陶瓷材料的研制及其发展趋势
山西科技 SHANⅪSCIENCEANDTECHN010GY 2008年第1期1月20日出版 ●应用技术 掺杂PZT压电陶瓷的研制及其发展趋势 陈聪 (山西工程职业技术学院) 摘要:在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备基础上出生产掺杂PZT材料的最佳烧成条件。 研究明,文章所研制的样品已达到或超过压电点火材料的水平,但所选系统仍有潜 力可挖,只要工艺合适,性能完全能再提高。同时还介绍了无铅压电陶瓷材料的发展 趋势。 关键词:I:tZT;压电陶瓷;烧成 中圈分类号:TB321 文献标识码:A 文章编号:1004—6429(2008}01—0128—03 为了改进锆钛酸铅系压电陶瓷的性能,采用同一类元素去 置换原组成元素,或掺入微量杂质进行热压烧结等方法进行改 性。通过掺入微量杂质就能大大改变机电耦合系数Ⅸ、介电常 数£、机械品质因素册等,得到种种满足不同目的材料。 本文研究的是P姗§一邮q—Pb(Lil/4Nb3/4)03三元系, 讨论以下几个问题:①Pz(P幽b)、Pr(刚nq)、Pb(m/4Nb3/4)q 的合成条件;②烧结温度对PZT固溶体结构的影响;③1%O对 Ffr组成和性能控制;④Ij20、Nbq、Cr2q的掺杂改性;⑤影响 Pzr三元系压电点火材料性能的不稳定因素。⑥无铅压电陶瓷 材料的发展趋势。 1 实验材料的制备工艺流程 本文选定Pb(Lil/4Nb3/4)03一雕riq—Pb加I作为陶瓷基 方,然后添加如O、Nb2q、C吃03。三元组比例的确定I a)固定PhTx01/1%Ti03比例(即加l,币Q比)为53/47,改变 第三组元含量,其烧结性能变化不大,相对介电常数增加很多, 选定第三组元的最佳比例是2t001%。 b)保证第三组元添加量为2m01%,观察不同Zr/Ti比例的 影响,发现zF02,Ti02比为53/47时性能最佳。 确定组成的化学式为:[(Pbz如)o.53,(PbTi03)o圻]o%[Pb (“l,4Nb3,4)03Jo.位。 掺入0.375m01%的琏O、1.125t001%的№q、0.5m01%的 Cr2q,用于改善材料的性能。 本文采用先分别合成各组元,再混合成坯料烧结的二次烧 成方法: 配料(I)—一研磨—,烘干—一合成—一x光分析—一 研磨—一配料(Ⅱ)—一研磨—一烘干—一压制成型—一烧结 —一坯体加工—一清洗—一涂Ag电极—一极化 按各组原元组成分别配料:1%O和zd02、1%O和蜀02按等 摩尔数称量,1%O、taco,、№q的摩尔比为8:1:3;要求颗粒直 径小于3tan;烘箱温度在110。C以内,烘干后再研碎;三个组元 分别合成,确定合成条件;温度700℃一900℃,时间1~2h,Pb (Lil/4Nbfl4)03的合成选择在500—700℃,时间1—2h,物相分 析检查烧成情况;粒度要求60目以下;按分子式配料,按比例 加入添加物。粘结剂的配制,粘结剂是5wt%的(GHO)。(聚 作者简介:陈聪,男,1963年4月出生,1988年毕业于北 京科技大学,讲师,硕士,030009,山西省太原市 收稿日期:2007—10—24 ·128· 乙烯醇)水溶液;均匀混合;按8wt%比例加入粘结剂,成型,压 力为1500ks/cm2;压好的园片试样放入烧结装置烧结,烧结温 度1100℃~1300℃,时间l~2h,测定体积密度以确定最佳烧 结温度和PbO含量。磨制成尺寸;放在去离子水中煮沸, 再用去离子水冲洗,于燥;Ag,NO,,分解法或Ag粉烧结法;直流 电场,油槽内进行。 2结果和讨论 2.1 PbZa03、1%T103、Pb(uv4N3,4)q合成条件的选择 组元合成: ZrO,+1%0=1%Zr03 Ti02+n)0=1%TiO, Ij2C03,+81%O+31%q=8Pb(U¨Nb3/4)q+CQ十 为固相烧结反应,提高温度,反应会进行得更完全,但温度 越高,合成产物的结构越致密,强度越大,就不容易研碎,影响 实验往下进行,因此要选择一个适当的温度。不同合成温度产 物的烧结情况见表1。 表l不同合成温度产物的烧结情况 温度 时间 产物的烧结性能 (℃) (h) PbZ如 PbTi03 Pb(IJl/4Nb3/4)03 500 2 结构疏松 550 2 易研 6(30 2 硬度增大 650 2 结构疏松,易研 仍可研 7∞ 2 结构松散,易研 致密度增大,可研 产物较硬 750 1 强度增大,可研 硬度增强,仍可研 仍能研碎 800 l 结构紧密,可研 产物较硬 850 l 较难研碎 研碎很困难 900 l 产物坚硬难研 1)对750。C1%ZrO,烧结的讨论,由x光物相分析知在 750℃Pb时Zr03已大部分形成。 2)对800。C时1%ZR03烧结的讨论,由x光物相分析知在 800。C已不含1%O、zd嘎,或者含量极小。 根据以上两点的讨论,参考产物的烧结性能,认为750。C一800%是嘲的理想烧结温度,保温时间1h。 3)对PbTiO,烧结的讨论,由于1%Ti03的烧结情况从表1 中看出,与Pt函'03相似,故确定其合成条件为t700。C一750。C, 保温1.5h。 4)对6000C时Pb(Lil/4Nb3/4)03烧结的讨论,由X光物相 分析知产物含有较多Nb2q,Pb(瑚饵Nb3,4)03甚至不出现,认 万方数据 陈聪:掺杂Pzr压电陶瓷材料的研制及其发展趋势 2008年第1期1月20日出版 为产物中含量很低,烧结很不完全。 综上说明,认为60)。C合成Pb(IⅢ4Nb3,4)q反应不彻底, 需要提高温度,参考表1的烧结情况,到700。C一750℃仍可研, 合成的适当条件为700℃~750℃,保温时间延长到2h。 2.2合成pb(矾)03的条件选择 根据密度对烧成温度的关系,选择密度达到极大的温度 1270℃为最佳。 对体积密度一温度曲线的解释:①体积密度在未达到最佳 温度前随温度的升高而增大。②体积密度出现极值。随着温 度上升,被包住的气体沿晶粒界面扩散出来,使密度进一步提 高,可以达到理论密度的95%以上。③烧成温度除了和体积 密度有关,还与添加物有关。 2.3烧结参数和性能测试 表2烧结参数测试结果 组成与烧结参数 体积密度 直径母 厚度 电容量 损耗因素 编号 (%)PbO过量 (℃)温度 (h)时间 g-∞’, (1nm) t(Tm) C(PF) t窬(10—4) A 3 1290 l 6.87 1.550 O.150 713 195 C 3 l260 2 6.37 1.548 O.160 825 177 B 3 1 280 l 6.68 1.548 0.146 558 150 A2 5 l 290 1 6.49 1.572 0.430 190 】06 Dl 2 1 260 l 6.97 1.554 0.200 581 89 D2 O 1 260 l 7.32 1.526 0.210 666 101 珐 O 1 260 l 7.t8 1.494 0.294 484 104 文献 O 1280 l 7.67 袭3性能测试结果 极化条件 相对介电常数 压电应变常数 压电电压常数 开路电压 挈·翻2 编号 叼 (kV/cm) 岛缅 屯(10|2C/N)933(103-v·m/N)V3(V) (10—3孑,砰) A 4老化24h 6410 276 48.6 5346 l 514 C 4击穿老化24h 793.2 280 39.9 4398 l 262 B 4漏电老化24h 489,6 98 22,6 2509 250 A2 10漏电老化24h 537.9 8l 17.O 1 887 155 DI 6漏电老化24h 783.1 244 35.2 3872 970 D2 6漏电老化24h 们叮.4 325 37.6 4136 l 381 珐 8漏电老化24h 1 037.3 309 33.7 3707 1 178 文献 1 020 460 50.5 5 500 3 182 1)体积密度的变化。体积密度与本材料文献值相比仍然不够大。PrO含量和分布对密度有显著影响,A·I·蜘以醋 酸铅的形式添加2wt%过量PbO,发现密度增大了百分之几,本 文实验曾添加3—5wt%过量PhO,密度反而有所下降,可能的 原因是:①醋酸铅比PbO的分布均匀性更好;②PbO过量引起 材料组成的改变,而导致烧结温度的降低,这些最终都会导致 密度的降低。 2)相对介电常数的变化。与文献值相比,相对介电常数稍 有不同,根据e,=口,£。A,关键要提高电容量c,材料本身的组 成决定了£,的大小,所以与材料制备的工艺因素有关。密度 低则气孔率大,空气的介电常数很小,从而引起整个介质的介 电常数值的下降,如果电极与材料的接触不紧密,中间存在微 小气孔、气泡,就会引起电容c值的减小,最后算得的介电常数 也会减小。 3)介质损耗的变化。介质损耗由极化损耗、漏电流损耗和 介质不均损耗组成。在高温和强电场下,漏电损耗较大,B和 A2由于介电常数较低,在极化电压下电场较大,所以有漏电现 象。介质均匀性比较差的材料其介电损耗也大,其材料性能就 越差。极化电场会引起介质击穿,原因很可能是气孔、裂纹和 其他的物理缺陷。击穿场强跟陶瓷厚度、形状和电极均有关 系。提高温度使陶瓷内部电畴易于转动,极化所需电场强度可 以减小。从表2看出,有击穿、漏电的样品其密度都较小。 综上所述,密度足本材料性能的重要指标,密度值接近文 献值的D系歹Jj性能较好,密度又由组成及烧成工艺所决定,因 此改善工艺条件,密度的差别可以进一步缩小。如在加入粘结 剂压制成型后,烧成以前增加一道工序:低温110℃挥发粘结 剂,减小坯体中有机组成,可进一步降低样品中的气孔率,增大 最终密度,减小C的导电可能性。 4)对压电性能的讨论。作为点火元件的压电陶瓷,要求: ①在小外力作用下,产生高放电压和大放电能量;②良好的机 械强度,多次撞击不破碎;③稳定性好,多次撞击后,输出电压 稳定,寿命长。根据砜=1,2£r晷32·E,要求白·ga32较大,由翻 =如,(岛·旬),‘过大,反而会引起勖下降,因此通常要求岛不 小于某一个值,尽量增大如。 从表3压电陶瓷性能数据可知:①除漏电的B、A2外,压电 应变常数如均在240以上,压电电压常数在30以上,与国内外 一些同类产品相比,性能相当优越。②对冲击性能的测试尚未 进行,但现在已经普遍认为,掺入cr3+能改善压电陶瓷材料的 老化性,提高机械品质因素Qm+、温度、时间稳定性和冲击性。 因此,为了提高性能,主要是设法增大、岛和屯,在工艺上 提出改进措施:①原料质量:进一步提高原料纯度,颗粒要求更 细,细的颗粒用来保证微观结构的均匀性;②混合均匀,不仅对 合成是如此,对烧结的要求更高(为达到①、②两点要求,在工 艺上如采用共沉淀制造细粉,就能获得更纯、更细、更均匀的原 料);③增设粘结剂低温挥发工艺;④确定合适的升温速度,尤其 在最后的烧结阶段;⑤精确控制样品在烧结时的Pb0气氛。如 采用某些含Pb0的材料覆盖于烧结样品之上,(下转第137页) · 129· 万方数据 张海:关于污水厂大型水池设计的几点看法 2008年第1期1月20日出版 虑施工可能)。在此期间,混凝土水化热引起的早期温差影响 基本消失,以及混凝土有不少于30%的收缩已完成。 当设计采用UEA混凝土加强带时,依靠加强带UEA混凝 土较大的膨胀应变,补偿两侧混凝土的温差应变。UEA加入到 普通混凝土中,拌水后和水泥组份共同作用,生成大量膨胀结 晶水化物——水化硫铝酸钙,使混凝土产生适度膨胀。在约束 条件下,它通过水泥石与钢筋的粘结,使钢筋张拉,被张拉的钢 筋对混凝土本身产生压缩应力(称为化学预应力或自应力),在 混凝土中产生0.2—0.7MPa的自应力值,可大致抵消由于混 凝土硬化过程中产生的收缩拉应力。即掺加UEA的混凝土的 拉应力接近于零,或小于0.1—0.2mm/m。从而防止或减少混 凝土的收缩开裂,并使混凝土致密化,提高了混凝土结构的抗 裂防渗能力。设计人员可通过对UEA掺量的调配,补偿混凝 土的收缩,使混凝土收缩当量温差不大于零,同样达到增大伸 缩缝的允许间距目的。 3土建与水工艺、设计与施工问的配合 在水池设计过程中,土建设计人员要了解水工艺设计要 求,例如较大水池壁与壁之间、壁板与底板之间的构造加腋(八 字角)要求是否会对工艺造成影响,如果工艺要求不允许加腋, 土建设计人员则要首先满足工艺的要求,采用其他措施来满足 结构的要求。设计人员应以设计规范为依据,各专业之间互相 配合,对一些构造措施应区别情况灵活掌握使用。 设计与施工息息相关。设计在计算中已考虑施工诸多因 素,比如水灰比、用水量、混凝土养护天数、后浇带间隔天数等 等,这些设计条件必须向施工单位详细说明,做好相关的技术 交底,并要求施工单位逐一落实。而要做好这些又要求设计人 员要了解施工,了解施工中新材料、新技术、新方法。了解施工 顺序、施工对设计的要求,使设计切合施工,方便施工。例如水 池施工为便于支模及浇筑混凝土,一般在离池底及加腋以上 300—500mm处留置施工缝,设计人员应考虑施工要求,在此范 围避免设计有预留洞口、预埋管道、悬挑梁板等。 在水池设计中,一方面设计人员应结合具体情况。以较少 的工程造价建设优质工程,另一方面设计人员对施工未按规范 执行等施工失误所产生的渗漏裂缝处理,也应有所了解、准备, 对当前常用处理裂缝及堵漏方法、所用材料应有所了解,以便 更好地完成设计的后期服务。 ThinkingontheDesignofLargeBasinsinSewagePlants ZhangHai · ABsll地CI':Thearticle,fromthestructurala,gle,锄l删80n'砣problemsinthe删waterlevdsetting,theinstallmentofexpan. sionjoims,makingofconstructionjoimandcoordinationofdesignandconstrllc五on. KEYwoRDs:姆basin;删waterlevel;expansion触;cons[i11.on触 ■辜斗辜斗争斗辜砷鲁蚌窜蚌e膏e膏窜斗e斗雠膏枣■窜■龟皤鲁斗e■枣■阜■馓■皋■e■e■留*e■e斗枣*鲁■e斗e*e’÷枣斗e■枣■e*e*e鼻e■e■e■e■窜斗e*晕★髻斗e*e (上接第129页)以减小Pb0的挥发量;⑥以过量醋酸铅代替过态空间,防止环境污染,研究和开发无铅压电陶瓷材料是一项 量PbO加入到原料中,材料密度可望进一步提高。 具有重大社会和经济意义的课题。 3结论 无铅压电陶瓷材料主要有以下体系:B娟q基无铅压电陶 各组元的合成条件: 瓷材料;(Nao.,Bio.,)Ti03一(K.,耽.,)TiCh,(Bi。%01:)系统无铅 f鹕:750%一800。C,保温1h。 压电陶瓷材料;铌酸盐系无铅压电陶瓷材料和铋层状结构无铅 既而03:700。C~750。C,保温1h。 高温材料。由于B棚q压电性能只属于中等,难以通过掺杂 Pb(uMNb3,4)03:700。C一750。C保温2ho大幅度地改善性能,且居里温度不高,因此它的应用受到很大 合成锆钛酸铅条件:1270。C,保温1h。 的限制。铌酸盐系统压电陶瓷是频率器件侯选材料,铋系层状 掺杂PbzF嘎一n瓜q—Pb(I舭Nb3,4)03的样品烧成条件:结构无铅压电陶瓷,则主要应用于高温压电传感器。 12600C。保温lh。xNao.58io.5Ti03一(1一髫)K.5Bi0.5Ti03系压电陶瓷的三方一 烧制样品时,周围必需维持Pig)气氛,并严格控制成分。 四方准同型相界在茗=0.81,此处陶瓷径向耦合系数和弹性柔 本文所制样品已达到或超过压电点火材料的水平,但所选 顺系数出现极大值。在靠近相界的富钠区具有较高的厚度机 系统仍有潜力可挖。只要工艺合适,性能完全能再提高。 电耦合系数K(0.46—0.48),高频率常数肋和较小的介电常 4无铅压电陶瓷材料 数,是一类优良的、各相异性的高频超声换能器材料。在富钾 压电陶瓷材料既然在日常生活、工业、军事和医疗等方面 区研究较少,而材料处于四方相时的稳定性较好,且K.,耽, 获得广泛应用,而且已成为不可替代的一大类信息功能材料。 m03去极化温度(270。C)较高,因此对于富钾区材料结构及性 然而目前大规模使用的压电陶瓷材料主要是铅基压电陶瓷材 能的研究具有实用价值和理论意义。另外对瓯鸭0l:系统进 料,其中PhO(或飚04)约占原料总质量的60%一70%左右。行掺杂改性也可能获得高压电性陶瓷。 这些含铅压电陶瓷材料在生产、使用及废弃后处理过程中都会 无铅压电陶瓷未来应着重开展通信用频率器件以及大功 给人类和生态环境带来严重危害。为了保护地球和人类的生 率材料的技术开发。 PiezoelectricCeramicMaterialsMixed稍thPZTandItsDevelopment ChenCong ABS’Ⅱ唧:卟earticle,OnthebasisofmakingpiezoelectricceramicmaterialsmixedwithPZT,getsthebestsinteringconditionofthe material,whichhasreachedor∞:ce捌thelevel0fpiezoelectricignitionmaterials,althoughtherebeingstillpotentialstobetappedwithproper technology,andalsointroduce8itsdevelopment. 1娅=YWORDS:PZT:piezoelectricceramics;sintering · 137· 万方数据 掺杂PZT压电陶瓷材料的研制及其发展趋势 作者: 陈聪, Chen Cong 作者单位: 山西工程职业技术学院 刊名: 山西科技 英文刊名: SHANXI SCIENCE AND TECHNOLOGY 年,卷(期): 2008(1) 被引用次数: 1次 引证文献(1条) 1.袁硕果 压电陶瓷材料何去何从[期刊论文]-中国科技信息 2008(21) 本文链接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_sxkj200801068.aspx
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