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认识内存条

2011-12-03 6页 doc 167KB 99阅读

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认识内存条 1.内存条的诞生    当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”—内存。    内存虽然容量不大,一般只有几十MB到几百MB,但中转速度非常快,如此一来,当CPU需要数据时,事先可以将部分数据存放在内存中,以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”,因此它并不能用来长时间存储数据。 2.常见的内存条    目前PC中所...
认识内存条
1.内存条的诞生    当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”—内存。    内存虽然容量不大,一般只有几十MB到几百MB,但中转速度非常快,如此一来,当CPU需要数据时,事先可以将部分数据存放在内存中,以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”,因此它并不能用来长时间存储数据。 2.常见的内存条    目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四种类型。 曾经主流——SDRAM    SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指,是直接插在内存条插槽中的,因此这种结构也叫“双列直插式”,英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。    随着处理器前端总线的不断提高,SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了,早已退出了主流市场。 今日主流——DDR SDRAM    DDR SDRAM(简称DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM,双倍数据速度)技术的SDRAM,与普通SDRAM相比,在同一时钟周期内,DDR SDRAM能传输两次数据,而SDRAM只能传输一次数据。    从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大,它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚,金手指中也只有一个缺口,而SDRAM内存条是168个引脚,并且有两个缺口。    根据DDR内存条的工作频率,它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型:与SDRAM一样,DDR也是与系统总线频率同步的,不过因为双倍数据传输,因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM,于是便用DDR266来示。    小提示:工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率,例如PC133的SDRAM的工作频率为133MHz,而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言,频率越高,其带宽越大。    除了用工作频率来标示DDR内存条之外,有时也用带宽值来标示,例如DDR 266的内存带宽为2100MB/s,所以又用PC2100来标示它,于是DDR333就是PC2700,DDR400就是PC3200了。    小提示:内存带宽也叫“数据传输率”,是指单位时间内通过内存的数据量,通常以GB/s表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法:内存带宽=工作频率×位宽/8×n(时钟脉冲上下沿传输系数,DDR的系数为2)。    由于DDR内存条价格低廉,性能出色,因此成为今日主流的内存产品。 过时的贵族——RDRAM    RDRAM(存储器总线式动态随机存储器)是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄,但其时钟频率要高得多。    从外观上来看,RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。    从技术上来看,RDRAM是一种比较先进的内存,但由于价格高,在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。 最新的内存——DDR2    DDR2是英特尔极力推动的新一代内存,DDR2构建在DDR的基础上,通过增加4位预取机制使得在核心频率不变的条件下将数据带宽提升4倍,为效能提升扫清了障碍。为提高兼容性,DDR2将终结器直接整合于内存颗粒中,这也有效降低了主板的制造成本。此外,DDR2在延迟方面的机制也有所改变,增加了AL附加延迟的概念,这不可避免导致DDR2延迟时间增加。    高频率、高带宽是DDR2最大的优点,它将有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等规范,最高带宽分别达到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s,比目前的DDR内存有大幅度提升,但它们的核心频率仍保持在很低的水平,使得产品可在更低的电压下运作(DDR工作在2.5V下,DDR2仅需要1.8V工作电压)、功耗也比DDR有了明显的降低。不过,DDR2的延迟周期反而比DDR长,后者的CL延迟一般是2、2.5和3个周期,而DDR2一般为3、4和5个周期,再加上AL附加延迟(附加延迟为0~4个周期),使得DDR2读数据的延迟时间比DDR大幅增加——显然,在带宽相同的情况下,DDR2的实际性能反而不如DDR。 表:各个版本的DDR-DDR2效能对比 内存类型 标准名称 数据频率 核心频率 最高带宽 PC100 SDRAM PC100 100MHz 100MHz 800 MB/s PC133 SDRAM PC133 133MHz 133MHz 1.06 GB/s DDR266 PC2100 266MHz 133 MHz 2.1 GB/s DDR333 PC2700 333 MHz 166 MHz 2.7 GB/s DDR400 PC3200 400 MHz 200 MHz 3.2 GB/s DDR2-400 PC2-3200 400 MHz 100 MHz 3.2 GB/s DDR2-533 PC2-4300 533 MHz 133 MHz 4.2 GB/s DDR2-667 PC2-5300 667 MHz 166 MHz 5.3 GB/s DDR2-800 PC2-6400 800 MHz 200 MHz 6.4 GB/s 3.内存的封装    目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种,封装方式也影响着内存条的性能优劣。    TSOP封装:TOSP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封装)的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便,可靠性比较高,是目前的主流封装方式。    BGA封装:BGA叫做“球栅阵列封装”,其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了,组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍,与TSOP相比,它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。    CSP封装:CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)作为新一代封装方式,其性能又有了很大的提高。CSP封装不但体积小,同时也更薄,更能提高内存芯片长时间运行的可靠性,芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。 二、内存强档    要进一步了解内存,以下的内容一定不能错过。其中内存的时钟周期、存取时间和CAS延迟时间是衡量内存性能比较直接的重要参数,它们都可以在主板BIOS中设置,这个问题将在以后介绍BIOS的时候详细阐述。     1.时钟周期(TCK)    TCK是“Clock Cycle Time”的缩写,即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率,数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的,即TCK=1/F。比如一块标有“-10”字样的内存芯片,“-10”表示它的运行时钟周期为10ns,即可以在100MHz的频率下正常工作。    2.存取时间(TAC)    TAC(Access Time From CLK)表示“存取时间”。与时钟周期不同,TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“-7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短,则该内存条的性能越好,比如说两根内存条都工作在133MHz下,其中一根的存取时间为6ns,另外一根是7ns,则前者的速度要好于后者。    3.CAS延迟时间(CL)    CL(CAS Latency)是内存性能的一个重要指标,它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时,在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”,而“缓冲期”的时间长度,就是这个CL了。内存的CL值越低越好,因此,缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。    4.奇偶校验(ECC)    内存是一种数据中转“仓库”,而在频繁的中转过程中,一旦搞错了数据怎么办?而ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性,还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存,它们一般应用在高端的服务器电脑中。
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