压敏电阻基础

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Uac 、 Udc ?是指?敏电阻能够长期承受的最大交流电?有效值 Uac ，或最大直流电?值 Udc 。 D 确定 Uac 的原?是：交流电?的峰值不大于?敏电?的公差下限值。常? Zn0 ?敏电阻 的?敏电?? K ?公差（ ± 10% ） ，同而 Uac 可表示? ： （ 3 ）确定 Udc 的原?是：?敏电 阻在 Uac 下的功耗与 Udc 下的功耗大体相等。常? Zn0 ?敏电阻的 Udc 可表示?： Udc ? 0.83UN ， Udc ? 1.3Uac 实际器件能否承受指??定的 Uac 、 Udc ，是通?实??? ?的 ， 方法是在 85 ℃ 的?境下 ， 加上 Uac 或 Udc ， 实? 1000 小? ， ?敏电?和限制电?的 变化不大于 ± 10% 。上面叙述了?敏电阻器的四个主要指? UN 、 Uac 、 Udc 、 Up 。 添加稀土氧化物的氧化??敏?片的制备工艺及其参?优化 氧化??敏?片的制造工艺和一般电子陶瓷的制造工艺大致相同 ， 但也有它的特殊性 。 由于?敏电阻?片具有高电阻非?性 ， 微??构的不均?性 ， 都??著地影响其性能的不均 ? ， 使其电阻非?性 、 通流容量和寿命特性降低 。 因此在?敏?片的制造?程中 ， ?格地控 制工艺是提高其性能的?? 。 氧化??敏?片的工艺?程主要包括混合 、 干燥 、 ?? 、 造粒 、 成型和?成 。 胚体在高温下发生一系列物理化学变化 ， 形成?期的化学?成和微??构的? ?体，?一工艺?程????。?了得到性能良好?得??体，必?制定正确的??制度 ， 因此?成是工艺?程的重要?? 。 本章主要研究影响???量的几个主要工艺参?并?其? 行优化 。 分析??温度?氧化??敏?片性能的影响 ， 提高??温度 ， 有利于液相的重?晶 ， 会促?晶粒长大 ， 晶粒越大?敏电位梯度越低 ， 因此随着??温度的提高 ， 电位梯度一直呈 下降??。另外随??温度提高，氧化?粒长大，晶粒分布更加均?，晶粒?度?于一致 ， 气孔减少 ， ?部?构更加致密 ， 所以?比降低 ， 非?性提高 。 如果??提高??温度 ， 由 于 Bi203 和 Sb203 大量?发 ， 会破坏一部分合适的晶界?构 （ 即耗??破坏 ） ， 晶界越?越薄 ， 使得电阻率下降 ， 所以?比升高 ， 非?性系?急?下降 ， 其他电性能也出?劣化 。 本章小? （ 1 ）?合考??敏?片的主要电性能指?（?敏电位梯高度，?比低 ） ，???温度工艺 参??行优化后得到??：??温度? 11500C ?电位梯度?高，而?比最小，因此确定 11500C 作?最佳??温度 。 （ 2 ） ?合考??敏?片的主要电性能参? （ 电位梯高度 ， ?比 低 ） ， ?保温?间工艺参??行优化后得到?? ： 保温?间? 2.5 小??电位梯度?高 ， ?比 最低，因此确定 2.5 小??最佳保温?间 。 （ 3 ）?升温方式工艺参??行优化后得到??： 随炉?慢升温的?样的电位梯度高于到 11500C 后再加入?样的电位梯度 ， 非?性系?和其 他电性能也优于后者，因此确定随炉???慢升温?最佳生物方式 。 （ 4 ）?冷却方式工艺 参??行优化后得到?? ： 炉冷?样的?敏电? 、 电位梯度 、 ?比 、 非?性系?等各?电性 能指?均优于空冷?样，因此确定随炉?冷作?最佳冷却方式。 限制电? Up ，限?比 Rp 广义的限制电?是指冲?电流流入?敏电阻器?，它两端的峰值。作??敏电?器考 核指?的限制电? Up ，?是指波形 8/20 ，峰值 Ix ?表 7.1 ?定值?的冲?电流流入?，? 敏电阻两端电?的峰值 。 ?里要注意 ， 由于?敏电阻本身材料的特性 ， 电流的峰值与电?的 峰值 ， 在出?的?间上可能不重合 。 Ix 的取值 ， 是按电流密度大体? 60A/cm 2 （ ? U n ? 68 V ? ） 或 30A/cm 2 （ ? U n >68V ? ） ?确定的 。 由于不同直?的电阻片 ， 以大体相同的电流密 度??量 ， ?样一? ， ?敏电阻 UN 相同而直?不同的?敏电阻器 ， 它?的限制电? Up 的 指?值就可以是相同的了 。 ?敏电阻的基本功能是抑制瞬?异常电? ， 所以限制电?是它? 最重要的一个使用参? 。 器件的实际限制电??低于?定的指?值 。 限制电? Up 与?敏电 阻 UN 之比??限?比 Rp 。 Rp 越小 ， 越接近于 1 ， 表明器件的限?性越好 ， 因此技?指? 中?定 Up 的最大允?值 。 有的技??准 ， 如 IE61643-1 ， ??定冲?电流下 ， 器件两端? 得的电?峰值?作 “ ?? ” ，而把一????据中的最大值?作?器件的限制电?。 ?敏电阻漏电流 ?敏电阻的漏电流 IL 漏电流是指?敏电阻吉?穿?通以前 ， 即电?低于?敏电? UN ?的电流 。 通常总希望 漏电流 IL ?可能小。并且要?定。目前，?量漏电流所用的电?有多种?定，因此也就有 多种不同的漏电流?总?如下：定电?漏电流的?量电?，一般?最大持?直流工作电? ， 或用户?定的某个使用电? 。 ?里要注意 ， 由于在?量电?下 ， ?敏电阻器有一定的非?性 ， 同此，以同一电?值?龙去脉?量 UN 处在公差上限的?品，和 UN 处在公差下限的?品 ， 其漏电流的差?会很大 ， 因此定电?漏电流?然?于使用而言是个合适指? ， 但?于?判其 ?在?量并不合适，因此提出 0.83 或 0.75 倍 UN 条件下的漏电流，即实际?敏电?变化? ， 漏电流的?量电?也要相?地变化 ， 但?量电?? UN 的比例不变 。 ??敏电阻加上工?正 弦电? U ?，其中漏电流 iz 包括容性电流 ic 和阻性电流 iR 两部分，如? 7.1 所示。容性电 流不会?生有功?耗 ， 其量值一般也不大 ， 在多?情况下不予特??注 。 阻性漏电流会引起 电阻体发? ， 并且随着电阻体的老化 ， 其量值逐?增大 ， 因此?予重视 。 由于?敏电阻的高 非?性 ， 因此在 50HZ 工?正弦交流电?下 ， 阻性漏电流大体?半幅值?度? 1.5-3ms 的尖 脉冲 。 ?梅的研究?告指出 ， ?种电流波的波峰系? kf （ 电流峰值?于有效值的比例 ） 大体 ? 2.7 左右。?样，只要?得电流峰值，就可以方便地估算出它的有效值了。 ?敏电阻的?定能量 Em ?定能量是指?敏电阻能够承受?定波形式冲?电流冲?一次的最大能量。 “ 能够承 受 ” 的判据是冲?后?敏电?的变化率不大于 10% 。 Em 值是与冲?电流的波形密切相? 的，?行 Zn0 ?敏电阻?品技??料中?出了 10/1000 电流波和 2ms 方波电流条件下的 E m 值，同一器件承受 10/1000 电流的能量，大体承受 2ms 电流的能量的 1.4 倍。实际器件的能 量耐受能力能否达到指??定值 ， ?通?冲?电流???? 。 即? 10/1000 或 2ms 电流波加 在器件上 ， ?量实际的电流峰值 Ip 和电?峰值 Up ， 然后用下面的公式?算出能量 。 ?整? ?设备，使?个能量值等于指??定值。??后?量?敏电?的变化率不?大于 10%10/1000 电流波 E=1.4UpIp × 10-3 （ 5 ） 2ms 电流波 E=2 UpIp × 10-3 （ 6 ） ?敏电阻?定功率（最大平均脉冲功率） Pm Pm 是指?敏电阻在?境温度 85 ℃ 的条件下 ， ??承受多少冲? ， 且各次冲?之间间隔 ?间?短 ， 因而有?累?效?的情况下 ， 能够承受的最大平均功率 。 实际器件是否能承受指 ?要求的?定功率 ， 需要通?实???? 。 ?行的技?文献中有两种不同的??方法 ， 一种 是在 85 ℃ 的?境温度下 ， 加上工?交流电? ， 使?样中的功耗达到?定功率 Pm ， ?? 1000 小?后，?敏电?的变化不?大于 ± 10% 。另一种方法是通? 1 万次 8/20 冲?电流寿命?? ? ， 在?定的电流峰值下 ， 通?改变冲?的?率?使冲?的平均功率达到 Pm 值 ， ??后? 查?敏电?和限制电?的变化不?大于 ± 10% 。