DIY的太阳能充电器

忙完工作上的事情，把要上网买的材料先定好。就DIY东西来。太阳不错，又有兴趣玩起太阳能来，半年前就开始研究太阳能，之又是我中学时的一个梦想，一定要用太阳能来做充电器，以前都因为太阳能板不好找，非晶硅的电流太小，用不了，现在好了，花了两百多买了一堆太阳能电池板，5V150MA左右，测了一段时间，感觉用6块就够用了，多点是好，但是体积大了，别的问题也来了，反正我出去都会背包，书包放上本作业本大的太阳能充电器是不大了，要知道以前背书包上学那个是累，N多本厚又大的书，背到我都怕怕的（不知道小时候是不是背的太多书，把我压矮了，汗死）。 合上后比作业本还小一点点，厚度是10MM，比我手机和PSP都薄呢！ 200811141052_00019.jpg (121.53 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:46 200811141052_00020.jpg (117.29 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:46 太阳能移动电源，最左边的是锂电升压电路，升5.01V和5.35V，因为我有台NOKIA手机用5.01V电压充不了，所以多加个开关设定升到5.35V电压充电，不过我一般是用5.35V启动NOKIA手机充电后手动转到5.01，为了减少太阳能电源里面电池损耗，电压升的越高，效率就越低。一般充USB数码设备都用5.01V。两块大大的是锂电池，并着用是5000MAH左右（转换成5V输出约为3000MAH），也是刚好能装下。就算不装电池也能用太阳能电池板直接连手机，PSP等东西充电，就是效率不高，因为有时充电时只用300多MAH电流，而这太阳能板堆都有700MAH的正常充电电流（短路１A），那400多MA的电流就白白浪费了，加上锂电电池还有一个好处就是当太阳发电比较低时（太阳能电池板低于4.2V，电流也会相应降低），这时锂电电池就很有做用了，起到稳定升压输出，完全杜绝了阳光不够时无法稳定输出;这样晚上也可以用白天充好的锂电升压对数码充电了。加上锂电，另一原因是，就算别人把这东西偷了，总比把这太阳能移动电源和PSP一起偷了，所以一般把这东西拿到太阳底下充就好了，要充数码设备时就用锂电充，只要安全的地方，用太阳能直充USB设备是OK的。当然，我更不希望我做的东西离我而去。最右边的东西，是前段时间测试好的电压指示电路和4054充电IC，充电用电脑USB5V（手机USB5V也是一样的）输出由4054充电管理IC完成，充到4.17V左右，充电IC有充状态指示，1个LED指示，充电亮灯，满电转为灭灯。电压指示器用于指示锂电池电量百分比，共十灯，一个灯为10%，十个为100％，电压指示分为锂电池指示和太阳能板电压指示。两个开关，上面那个是锂电池电量指示，下面的是太阳能电压指示。只要太阳能电压大于锂电池电压就可以充电（太阳能电压指示灯比锂电池电压指示灯多就可以充电），这样可以很好地清楚当时太阳是否能正常对电池充电 锂电池电压指示，8灯＝80%电量！锂电池电压为3.97到4.02间（电压指示电路十级，3.37到4.17V指示，步进为0.05V） 200811141053_00021.jpg (86.9 KB) 下载次数:11 2008-12-9 14:47 改好后的升压板块，安装在太阳能电池板背面，用胶粘好，再搭焊好。3.7升5V效率最低85％，最高95%。升压板电流最大4A。改完升压板，发现有点点小问题，不是坏事，是好事，当用太阳光对板上锂电池充电时，电压一直在变，约一秒变一次，当时用万用表测电池电压是4.06>4.07>4.08>4.06,感觉有点像半波整流那样充电。无光照，电池电压无变化，把升压断开充就不会有这样效果，看来是改小了电感，可能电感有自激，还好对升压无多大问题。太阳充电时，因为太阳光是热辐射，电池会变热，这是对电池不好的现像，老化加快（问题待测试） 200811141054_00023.jpg (72.4 KB) 下载次数:10 2008-12-9 14:48 高效升压电路 10：54分早上太阳，太阳能电池板发电大于4.17V，十灯全亮，完全可以对锂电池充电，就放它在外面晒晒，测试中呢。 200811141054_00024.jpg (68.59 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:49 充了一分多钟，还是8灯，反正有的是时间，让它充充。锂电池5000MAH用700MAH的电流充满大约为10小时左右。一般来说，从早上8点到下午5点都是可以用太阳能充电的，夏天时间更长，够我充了。以前研究网上的充电器，完全不行，太阳能电池板是非晶硅（也有多晶硅）电流只有100MA左右，实测69*104的非晶硅太阳能电池板最大才60MA，真的没什么用，多晶的也就100左右（短路电流，充电电流更小），而里面的电池1500MAH，自己算算吧（1500MAH/50MA＝？小时）[就当100%充电效率，如果正常效率不可能做到100％，那么充电可能电流更小]。30多小时才能充完1500MAH，所以很多网上几十元的充电器都是假的，根本没用，再通过1500MAH升压到5.4V，升压板我看过了，很LAJI，效率大约65%左右，电流一大，发热大于60度，可想效能有多低！1500MAH*3.7V＝5.55W（电池功率）左右，升压5.4V的话，5.55W/5.4V（升压电压）*65%效率＝668MAH左右（5.4V输出时只有668MAH，完全不能充满手机电池[多普达1200MAH]）。而我DIY的是5000MAH（实测大于5000MAH锂电），升压板为5.35V和5.01V，效率大于89%，太阳能充电电流前面说过，自己测过为700MAH，现在换算一下5.35V和5.01V的电量。分别是：5000MAH*3.7V＝18.5W（电池功率）。升5.35V为　18.5W/5.35V*89%效率＝3078MAH左右，而升5.01V时为　18.5W/5.01V*89%=3286MAH左右。升5.01V时3286要比升5.35V时3078多出200多MAH的电量，可想而知电池的利用率！ 200811141055_00025.jpg (59.05 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:49 到下午5点充到了9灯（90%电量）。因为下午睡觉不敢把这东西拿到外面充，怕别人偷了，过年了，给别人偷东西吓怕了，还是小心点好。就放到我厨房里面充，厨房窗贴有像磨沙感贴纸，这样光效很低，安全就好，睡觉也重要。睡到下午5点10分，因为太阳光少了，没能今天完全充饱，结果电压在4.13V左右，可以认为是充电完了。晚上再测试一下USB充电对锂电充电状态，不错。 200811142000_00027.jpg (74.55 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:49 自己DIY的东西自己最清楚，连万用表都不用上了，测过N次，次次准。断开USB充电，用板上电压指示器测电压在4.17V以上，十灯全亮，这下完全充满。好 200811142001_00028.jpg (51.06 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:50 太阳能和USB充5000MAH锂电，充电测试PASSED，再由太阳能电源放电对数码充电测试 200811142134_00027.jpg (84.07 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:50 NOKIA6610I手机充电中（老古董了无数据电量显示）1050MAH电池，PSP为64%1800MAH。因为手机老，5.35V才能充电，所以我得先把电压设为5.35V先连手机，手机进入充电状态，再连PSP充，OK，把太阳能移动电源设回5.01V，正常，NOKIA6610I充电正常，PSP充电正常，升压发热很低很低。用手感觉不到。 200811142134_00028.jpg (58.8 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:50 充了4分钟，可以从手机相片时间和PSP时间上看出，PSP充了6%进去，不错不错。 200811142138_00029.jpg (82.58 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:51 10：30分，PSP充到94%了，手机已满。 [ 本帖最后由 大懒猫 于 2008-12-9 14:57 编辑 ] 200811142229_00030.jpg (100.34 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:52 200811142230_00031.jpg (44.65 KB) 下载次数:8 2008-12-9 14:57 测试太阳能移动电源还有8灯80%。 200811142231_00032.jpg (71.01 KB) 下载次数:8 2008-12-9 14:57 再回头看看，现在都11：54分了，PSP和手机都充完了，都不知道是什么时候充完的，期间都在写这日记，呵呵，总算OK了，有空还要多测试一下稳定性。 200811150008_00033.jpg (54.72 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:57 把以前做的移动电源联合现在做的太阳能移动电源一起用。哈哈，这东东也有扩展功能，也好比电脑那样，来个升级扩展。 一天又过去了，还好，过得比较忙，很充实。心情还是很不错的！今天的测试就到这里，明天继续测试，等完全没问题后就封装，把电路密封好，这样不怕进水，加强美观和稳定性。 200811150025_00034.jpg (81.21 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:58 差不多十点了，昨天充完PSP和手机剩下70%电，今天把它充满它。 200811151011_00035.jpg (68.69 KB) 下载次数:7 2008-12-9 14:59 14：01分，在太阳能的关照下，可以看到电池是10灯了，但还没完全充饱，一般有九灯以上就可以认为OK了，线性充，当电池电压升高时，充电电流减少，小电压差小电流，充电时间长。从昨天9灯时用USB充电时，看可调电源上面的电流，大约在200MA左右，太阳能充可能会更小。小于50MA可以认为充满了。14：01分，用万用表实测锂电池电压为4.11V，太阳能电池板和锂电池板为41.5度，充电正常 200811151401_00042.jpg (127.16 KB) 下载次数:7 2008-12-9 15:01 过了50多分钟，14：52分，些时太阳能板对锂电完全充满，离开太阳的光照，十灯全亮，万用表测为4.16V，以前测这电池最高充到4.17V（用可调电源设4.20V充电） 200811151452_00043.jpg (48.34 KB) 下载次数:7 2008-12-9 15:02 200811151452_00044.jpg (54.77 KB) 下载次数:7 2008-12-9 15:02 非晶硅的弱光性能和电压高的优点，从实际的测量结果来说，相同功率的非晶硅组件和晶体硅组件相比，每年能够多出10%~20%的能量．特别对于阴雨天较多的地区，效果会更加明显。 但是小体积，还是用多晶硅最好，体积小，效率要比单晶硅和非晶硅高，同等体积，多晶硅电流最大，过来是单晶硅，再过来是非晶硅，多晶硅最贵，卫星的太阳能电池板效率在21%左右，而民用多晶硅最高目前的是16％左右，单晶硅15％，非晶硅更低，非晶硅是计算机上面那种，电流很小，但弱光性能很不错 晶体硅太阳能电池 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源．也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中；大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域， 是其中最受瞩目的项目之一。为此，人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池；3、功能高分子材料制备的大阳能电池；4、纳米晶太阳能电池等。不论以何种材料来制作电池，对太阳能电池材料一般的有：1、半导体材料的禁带不能太宽；②要有较高的光电转换效率：3、材料本身对环境不造成污染；4、材料便于工业化生产且材料性能稳定。基于以上几个方面考虑，硅是最理想的太阳能电池材料，这也是太阳能电池以硅材料为主的主要原因。但随着新材料的不断开发和相关技术的发展，以其它村料为基础的太阳能电池也愈来愈显示出诱人的前景。本文简要地综述了太阳能电池的种类及其研究现状，并讨论了太阳能电池的发展及趋势。     1 硅系太阳能电池 　　1.1 单晶硅太阳能电池 　　　硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23%，是大值可达23．3％。Kyocera公司制备的大面积（225cm2）单电晶太阳能电池转换效率为19．44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cm X 2cm）转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm X 5cm）转换效率达8.6%。 　　单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。 　　1．2 多晶硅薄膜太阳能电池 　　通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350－450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 　　化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19％，日本三菱公司用该法制备电池，效率达16.42%。 　　液相外延（LPE）法的原理是通过将硅熔融在母体里，降低温度析出硅膜。美国Astropower公司采用LPE制备的电池效率达12．2％。中国光电发展技术中心的陈哲良采用液相外延法在冶金级硅片上生长出硅晶粒，并了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新型太阳能电池，称之为“硅粒”太阳能电池，但有关性能方面的报道还未见到。 　　多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。 　　1.3 非晶硅薄膜太阳能电池 　　开发太阳能电池的两个关键问题就是：提高转换效率和　降低成本。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得到迅速发展，其实早在70年代初，Carlson等就已经开始了对非晶硅电池的研制工作,近几年它的研制工作得到了迅速发展,目前世界上己有许多家公司在生产该种电池产品。 　　非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV, 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于：①它把不同禁带宽度的材科组台在一起，提高了光谱的响应范围；②顶电池的i层较薄，光照产生的电场强度变化不大，保证i层中的光生载流子抽出；③底电池产生的载流子约为单电池的一半，光致衰退效应减小；④叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的。 　　非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有很多，其中包括反应溅射法、PECVD法、LPCVD法等，反应原料气体为H2稀释的SiH4，衬底主要为玻璃及不锈钢片，制成的非晶硅薄膜经过不同的电池工艺过程可分别制得单结电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展：第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到13％，创下新的记录；第二.三叠层太阳能电池年生产能力达5MW。美国联合太阳能公司（VSSC）制得的单结太阳能电池最高转换效率为9．3%，三带隙三叠层电池最高转换效率为13％，见表1 　　上述最高转换效率是在小面积（0．25cm2）电池上取得的。曾有文献报道单结非晶硅太阳能电池转换效率超过12．5％，日本中央研究院采用一系列新，制得的非晶硅电池的转换效率为13．2％。国内关于非晶硅薄膜电池特别是叠层太阳能电池的研究并不多，南开大学的耿新华等采用工业用材料，以铝背电极制备出面积为20X20cm2、转换效率为8．28％的a－Si/a－Si叠层太阳能电池。 　　非晶硅太阳能电池由于具有较高的转换效率和较低的成本及重量轻等特点，有着极大的潜力。但同时由于它的稳定性不高，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。 晶体硅太阳能电池 2 多元化合物薄膜太阳能电池 　　为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代。 　　砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V比率、总流量等诸多参数的影响。 　　除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb、GaInP等电池材料也得到了开发。1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳能电池转换效率为24．2％，为欧洲记录。首次制备的GaInP电池转换效率为14．7％．见表2。另外，该研究所还采用堆叠结构制备GaAs，Gasb电池，该电池是将两个独立的电池堆叠在一起，GaAs作为上电池，下电池用的是Gasb,所得到的电池效率达到31．1％。 　　铜铟硒CuInSe2简称CIC。CIS材料的能降为1．leV，适于太阳光的光电转换,另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。 　　CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜、铟和硒，硒化法是使用H2Se叠层膜硒化，但该法难以得到组成均匀的CIS。CIS薄膜电池从80年代最初8％的转换效率发展到目前的15％左右。日本松下电气工业公司开发的掺镓的CIS电池，其光电转换效率为15．3％（面积1cm2）。1995年美国可再生能源研究室研制出转换效率为17．l％的CIS太阳能电池，这是迄今为止世界上该电池的最高转换效率。预计到2000年CIS电池的转换效率将达到20％，相当于多晶硅太阳能电池。 　　CIS作为太阳能电池的半导体材料，具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。     3 聚合物多层修饰电极型太阳能电池 　　在太阳能电池中以聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制爸的研究方向。其原理是利用不同氧化还原型聚合物的不同氧化还原电势，在导电材料（电极）表面进行多层复合，制成类似无机P－N结的单向导电装置。其中一个电极的内层由还原电位较低的聚合物修饰，外层聚合物的还原电位较高，电子转移方向只能由内层向外层转移；另一个电极的修饰正好相反，并且第一个电极上两种聚合物的还原电位均高于后者的两种聚合物的还原电位。当两个修饰电极放入含有光敏化剂的电解波中时．光敏化剂吸光后产生的电子转移到还原电位较低的电极上，还原电位较低电极上积累的电子不能向外层聚合物转移，只能通过外电路通过还原电位较高的电极回到电解液，因此外电路中有光电流产生。 　　由于有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本底等优势，从而对大规模利用太阳能，提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品，还有待于进一步研究探索。     4 纳米晶化学太阳能电池 　　在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的，但由于成本居高不下，远不能满足大规模推广应用的要求。为此，人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行探索，而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。 　 自瑞士Gratzel教授研制成功纳米TiO2化学大阳能电池以来，国内一些单位也正在进行这方面的研究。纳米晶化学太阳能电池（简称NPC电池）是由一种在禁带半导体材料修饰、组装到另一种大能隙半导体材料上形成的，窄禁带半导体材料采用过渡金属Ru以及Os等的有机化合物敏化染料，大能隙半导体材料为纳米多晶TiO2并制成电极，此外NPC电池还选用适当的氧化一还原电解质。纳米晶TiO2工作原理：染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态，激发态不稳定，电子快速注入到紧邻的TiO2导带，染料中失去的电子则很快从电解质中得到补偿，进入TiO2导带中的电于最终进入导电膜,然后通过外回路产生光电流。 　　纳米晶TiO2太阳能电池的优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10％以上，制作成本仅为硅太阳电池的1/5－1/10．寿命能达到2O年以上。但由于此类电池的研究和开发刚刚起步，估计不久的将来会逐步走上市场。     5 太阳能电池的发展趋势 　　从以上几个方面的讨论可知，作为太阳能电池的材料，III-V族化合物及CIS等系由稀有元素所制备，尽管以它们制成的太阳能电池转换效率很高，但从材料来源看，这类太阳能电池将来不可能占据主导地位。而另两类电池纳米晶太阳能电池和聚合物修饰电极太阳能电地存在的问题，它们的研究刚刚起步，技术不是很成熟，转换效率还比较低，这两类电池还处于探索阶段，短时间内不可能替代应系太阳能电池。因此，从转换效率和材料的来源角度讲，今后发展的重点仍是硅太阳能电池特别是多晶硅和非晶硅薄膜电池。由于多晶硅和非晶硅薄膜电池具有较高的转换效率和相对较低的成本，将最终取代单晶硅电池，成为市场的主导产品。 　　提高转换效率和降低成本是太阳能电池制备中考虑的两个主要因素，对于目前的硅系太阳能电池，要想再进一步提高转换效率是比较困难的。因此，今后研究的重点除继续开发新的电池材料外应集中在如何降低成本上来，现有的高转换效率的太阳能电池是在高质量的硅片上制成的，这是制造硅太阳能电池最费钱的部分。因此，在如何保证转换效率仍较高的情况下来降低衬底的成本就显得尤为重要。也是今后太阳能电池发展急需解决的问题。近来国外曾采用某些技术制得硅条带作为多晶硅薄膜太阳能电池的基片，以达到降低成本的目的，效果还是比较现想的。