【doc】一种低／高压MOS接口电路

【doc】一种低／高压MOS接口电路 一种低,高压MOS接口电路 (b)的Bc段).c磐.a进步增大对, 在接近漏结P.处将发生第三次夹薪.器件豹 最终击穿电压由P.处耗尽层雪崩击穿或者赫 结本征击穿所决定(图2(b)中DC段).可 见要获得高击穿电臣,在设计莉上必 须保证P.P.P.区尔次夹断.并选用高 阻树底材料. 三,鲁_件性麓. 利用Al栅N阱M(=!s电路工艺研制.采用 P型(100)硅村底.与常规铝栅所不同的是 附加了场注入与摧进,以提高'V"的击穿性 能,减少表面漏电.最后采用聚酰亚胺膜进 行钝化,大大提高了器件的可靠性,电路的 主要电参数如表l所示. 寰1低/高I:i;MOS接口电路电参数 漏电压'V)漏电流导通电阻(Q) LVas=:ov)一lor)I(Vcs10v) -? .: 娥.>.. {o.,一———?———'-_——一'一—— 根据j百尸彳:蜀荽求可改变设计参数 具有设计灵活性.一 .应用举钎 囝5等鼻子群字丑示驻葫电路 该电路已经成功地用于等离子体数字显 示板中怍驱动.等离子体显示高压电漂峰值 一 般在200V~v3OOV,驱动电流在几毫安到 几十毫安(取决于笔划面积的大小).其电 路图如图3所示.由于采用了高压MOS接日 电路,不仅实现了等离子显示电路的全集成 化,而且提高了显示的稳定性,均匀性和可 靠性. 该电路可广泛地用于场致发光,静电复 印^数据传输,马达驱动等许多场合. r^‰%‰"r^r^r^r^r^r^r^r^r^r^r^r^?r^r^r^??r^?% (上接43页) 由上表可明显的看出,新公式所计算的 结果与设计所达到的值较接近,用此作为相 机所能达到的极限信息最是较台理的. 霸箍论. 1,考虑了转镶摄影机所固有的象移和离 焦等因素对成爨质量影响把成象的工俸 角范围的转镜截面形状考虑到信息量公式中 去,使信息量公式为仪器的方案选择和设计 提供更多的信息.'一 .在现有相机质量评价标准的基础上, 补充了以信息均匀性柞为评价相机质量的标 地. 参考文献 ()H.SchardinProc.ofthe3th ICHSP.1957 0)T.E.Hollandpro~.the5th ICHSP,11,P430 (3)陶纯堪,光学,B8,V.8, No,P242,. (4]李景镇,《光学手册n骧西省转学 技术出版社,1985.-~95Z (5]壤I跃进,罗文碧,邱松发,光学, 1985N.o.1.P13 — 83 "鼢 丫啦埔舭填.明一附.按 公