如何看内存条型号(容量)

如何看内存条型号(容量) 如何看内存条型号(容量) 金士顿 1.KVR代kingston value RAM 2.外频速度 单位:兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC;72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是 服务器内存 6. 一般为 C3: CAS=3; C2.5: CAS=2.5; C2: CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例: 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY(现代HYNIX) 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则: HY 5X X XXX XX X X X X, XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺:空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M，8K刷新;65:64M，4K刷新;128:128M， 8K刷新;129:128M，4K刷新. 5、数据带宽:40:4位，80:8位，16:16位，32:32位. 6、芯片组成:1:2BANK，2:4BANK;3:8BANK; 7、I,O界面:一般为0 8、产品线:从A,D系列 9、功率:空白则为普通，L为低功耗. 10、封装:一般为TC(TSOP) 11、速度:7:7NS，8:8NS，10P:10NS(CL2&3)，10S:10NS，(PC100，CL3)，10: 10NS，12: 12NS，15:15NS LGS(LG Semicon) LGS的内存编码规则: GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、GM代表LGS公司. 2、72代表SDRAM. 3、V代表3V电压. 4、内存单位容量和刷新单位:其中:16:16M，4K刷新;17:16M，2K刷新;28:128M，4K刷新;64: 64M，16K刷新.65:64M，8K刷新;66:64M，4K刷新. 5、数据带宽:4:4位，8:8位，16:16位，32:32位. 6、芯片组成:1:1BAND，2:2BANK，4:4BANK，8:8BANK 7、I,O界面:一般为1 8、产品系列:从A至F. 9、功耗:空白则是普通，L是低功 10、封装模式:一般为T(TSOP) 11、速度:其中:8:8NS，7K:10NS(CL2)，7J(10NS，CL2&3)，10K(10NS[一说15NS]，PC66)， 12(12NS，83HZ)，15(15NS，66HZ) SEC(三星SAMSUNG) 做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考. SEC编码规则: KM4 XX S XX 0 X X XT,XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4. 2、数据带宽:4:4位，8:8位，16:16位，32:32位. 3、一般均为S 4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量. 5、一般均为0 6、芯片组成:2:2BANK，3:4BANK 7、I,O界面:一般为0 8、版本号 9、封装模式:一般为T:TSOP 10、功耗:F低耗，G普通 11、速度:7:7NS，8:8NS，H:10NS(CL2&3)，L:10NS(CL3)，10:10NS. Micron(美光) 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来美光内存的编码规则. 含义: MT——Micron的厂商名称. 48——内存的类型.48代表SDRAM;46代表DDR. LC——供电电压.LC代表3V;C代表5V;V代表2.5V. 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度. A2——内存内核版本号. TG——封装方式，TG即TSOP封装. -75——内存工作速率，-75即133MHz;-65即150MHz. 实例:一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒. 其容量计算为:容量32M×4bit×16片/8=256MB(兆字节). Winbond(华邦) 含义说明: WXXXXXXXX 12345 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型:98为SDRAM，94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H; 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHZ Mosel(台湾茂矽) 台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8,8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA(南亚)、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K， 其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns. Kingmax(胜创) Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性. Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问，因此要好于REV1.1版本. KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07;而PC100内存芯片有两种情况:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08)，部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-07). Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中: 红色金条是PC133内存; 金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板; 绿色金条是PC100内存; 蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家; 蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板; 银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存. 金邦内存芯片编号:GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型 GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP; GP代表金邦科技的产品; 6代表产品家族(6=SDRAM); LC代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS); 16M8是设备号码(深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量; 8 = 基粒数目; M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB); 4表示版本; TG是封装代码(DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP(第二代)，U=μ BGA); -7是存取时间(7=7ns(143MHz)); AMIR是内部标识号. 以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度. MT(MICRON美凯龙) 美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商， 其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高. MT48 XX XX M XX AX TG,XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT代表美凯龙MICRON 2、48代表SDRAM. 3、一般为LC:普通SDRAM 4、此数与M后位数相乘即为容量. 5、一般为M 6、位宽:4:4位，8:8位，16:16位，32:32位 7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk 8、TG代表TSOP封装模式. 9、速度:7:7NS，75:7(5NS，8X:8NS(其中X为从A到E:读取的周期分别是:333，323，322， 222，222，所以D和E较好)，10:10NS 10、如有L则为低功耗，空白则为普通. HITACHI(日立HITACHI) 日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的～ HM 52 XX XX 5 X X TT, XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM代表日立. 2、52代表SDRAM，51则为EDO 3、容量 4、位宽:40:4位，80:8位，16:16位 5、一般为5 6、产品系列:A,F 7、功耗:L为低耗，空白则为普通 8、TT为TSOP封装模式 9、速度:75:7(5NS，80:8NS，A60:10NS(CL2&3)，B60:10NS(CL3) SIEMENS(西门子) 西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一(另一是PHILIPS).西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X ,X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB代表西门子 2、39S代表SDRAM 3、容量 4、位宽:40:4位，80:8位，16:16位 5、一般为0 6、产品系列 7、一般为T 8、L为低耗，空白为普通 9、速度: 6:6NS，7:7NS，7(5:7(5NS，8:8NS(CL2)，8B:10NS(CL3)，10:10NS FUJITSU(富士通FUJITSU) 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品. MB81 X XX XX X2 X,XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81代表富士通的SDRAM 2、PC100的多为F，普通的内存为1 3、容量 4、位宽:4:位，8:8位，16:16位，32:32位 5、芯片组成:22:2BANK，42:4BANK 6、产品系列 8NS，102:10NS(CL2&3)， 7、速度:60:6NS，70:7NS，80: 103:10NS(CL3)，100:10NS，84: 12NS，67:15NS TOSHIBA(东芝) 东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多. TC59S XX XX X FT X,XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC代表东芝 2、59S代表普通SDRAM 3、容量:64:64MBIT，128:128MBIT 4、位宽:04:4位，08:8位，16:16位，32:32位 5、产品系列:A,B 6、FT为TSOP封装模式 7、空白为普通，L为低功耗 8、速度;75:7(5NS，80:8NS，10:10NS(CL3) MITSUBISHI(三菱) 三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII,PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP ,XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2代表三菱产品 2、I,O界面.一般为V 3、容量 4、一般为S，说明是SDRAM 5、位宽:2:4位，3:8位，4:16位 6、一般为0 7、产品系列 8、TP代表TSOP封装 9、速度: 8A:8NS，7:10NS(CL2&3)，8:10NS(CL3)，10:10NS. 10、空白为普通，L为低耗.