[内存不兼容怎么解决]怎样解决内存条与系统不兼容的问题

[内存不兼容怎么解决]怎样解决内存条与系统不兼容的问题 [内存不兼容怎么解决]怎样解决内存条与系 统不兼容的问题 篇一 : 怎样解决内存条与系统不兼容的问题 怎样解决内存条与系统不兼容的问题 内存与主板不兼容的故障较为常见，表现为昨天电脑还用的好好的，可是今天早晨一开机，即“嘀嘀”地叫个不停。,]只有打开机箱，把内存条取下来重新插一下就好了。注意:在拔插内存条时一定要拔掉主机和电源线，防止意外烧毁内存。这是故障轻的，严重的话，需要把几个内存插槽都擦拭好几遍，才能把机子点亮。可是用不了十天半个月，就又会再出现报警的情况。只要你打开机箱把内存插一下就又好了。你说机器有问题，只要点亮了，就是连续运行十天半个月的一点问题也没有。可老是报警这谁也受不了。这种情况就是典型的内存与主板不兼容。 造成这种故障的原因有: ? 内存条不规范，内存条有点薄。当内存插入内存插槽时，留有一定的缝隙。如果在使用过程中有振动或灰尘落入，就会造成内存接触不良，产生报警。 ? 内存条的金手指工艺差，金手指的表面镀金不良。在长时间的使用过程中，金手指表面的氧化层逐渐增厚，积累到一定程度后，就会致使内存接触不良，开机时内存报警。 ? 内存插槽质量低劣， 簧片与内存条的金手指接触不实在，在使用过程中始终存在着隐患，在一定的时间就会点不亮，开机报警。 ? 再就是纯粹的不兼容情况:一款条子，在有的主板上用得 好好的，但是到了这块主板上却经常死机，或者不能正常启动。 可选的设置:Auto，Enable，Disable。[) Command Per Clock，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable。 CAS Latency Control 可选的设置:Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS，预 充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失 数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才 可以达到该参数。 Row Cycle Time 可选的设置:Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是:row cycle time = minimum row active time + row precharge time。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time 可选的设置:Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay 可选的设置:Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay ，表示”行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量 的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。[)于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time 可选的设置:Auto，2，3。 Write Recovery Time ，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。 Write to Read Delay 可选的设置:Auto，1，2。 Write to Read Delay ，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR ”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性 能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速 度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速 度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为 1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不 稳定，则改为2。 Refresh Period 可选的设置:Auto， 0032-4708， 其步进值非固定。 Refresh Period ，表示“刷新周期”。它指内存模块 的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期。? 号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz --------------------- 3632= 100mhz 4128= 133mhz 4672= 166mhz 0064= 200mhz --------------------- 0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz --------------------- 1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz --------------------- 0388= 100mhz 0516= 133mhz 064 8= 166mhz 0780= 200mhz --------------------- 0908= 100mhz 1032= 133mhz 1168= 166mhz 0016= 200mhz --------------------- 1536= 100mhz 2048= 133mhz 2560= 166mhz 3072= 200mhz --------------------- 3684= 100mhz 4196= 133mhz 4708= 166mhz 0128= 200mhz 如果采用 Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”的 芯片。时，会得到最佳的性能,稳定性比。 Write CAS# Latency 可 选的设置:Auto，1-8 Write CAS Latency ，表示“写指令到行地址控 制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以 把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前 列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL是相对的，tCL表示读的延迟。 DRAM Bank Interleave 可选的设置:Enable， Disable DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。 虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作 用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。 DQS Skew Control 可选的设置:Auto，Increase Skew，Decrease Skew DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差，加强控制力可以减少skew，但相应的DQS上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII引进了更先进的技术:双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并 非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置:Auto，0-255，步进值为1。 当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启”Increase Skew”选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置:Auto，1-8，步进值为1。 DRAM Drive Strength，表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。 如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DFI用户建议设置:TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DRAM Data Drive Strength 可选的设置:Auto，1-4，步进值为1。 DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负 荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。[,因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低。 要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。 DFI用户建议设置:普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。 Strength Max Async Latency 可选的设置:Auto，0-15，步进值为1。 Strength Max Async Latency 目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。 DFI主板建议设置:BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通 常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置:Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。 Read Preamble Time这个参数表示DQS返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。 DFI主板建议设置:BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置:Auto，0-256，无固定步进值。 Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。 DFI主板建议设置:BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好 。,] Dynamic Counter 可选的设置:Auto， Enable， Disable。 Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启，则会每次进入内存页表就强制根据页面冲突和页面错误之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI主板建议设置:BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一 样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置:Auto，2x，4x，8x，16x。 R/W Queue Bypass表示“读,写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI 最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读,写队列。 DFI主板建议设置:BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置:Auto， 0x-7x， 步进值为1。 Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。 DFI主板建议设置:BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 32 Byte Granulation 可选的设置:Auto，Disable ，Enable。 32 Byte Granulation表示”32位颗粒化”。当该参数设置为关闭时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。 DFI主板建议设置:绝大多数情况下，建议选择Disable选项。开启Enable 可以使系统更稳定一些。 篇三 : 怎样解决内存条与系统不兼容的问题 怎样解决内存条与系统不兼容的问题 内存与主板不兼容的故障较为常见，表现为昨天电脑还用的好好的，可是今天早晨一开机，即“嘀嘀”地叫个不停。只有打开机箱，把内存条取下来重新插一下就好了。注意:在拔插内存条时一定要拔掉主机和电源线，防止意外烧毁内存。这是故障轻的，严重的话，需要把几个内存插槽都擦拭好几遍，才能把机子点亮。可是用不了十天半个月，就又会再出现报警的情况。只要你打开机箱把内存插一下就又好了。你说机器有问题，只要点亮了，就是连续运行十天半个月的一点问题也没有。可老是报警这谁也受不了。这种情况就是典型的内存与主板不兼容。 造成这种故障的原因有: ? 内存条不规范，内存条有点薄。当内存插入内存插槽时，留有一定的缝隙。如果在使用过程中有振动或灰尘落入，就会造成内存接触不良，产生报警。 ? 内存条的金手指工艺差，金手指的表面镀金不良。在长时间的使用过程中，金手指表面的氧化层逐渐增厚，积累到一定程度后，就会致使内存接触不良，开机时内存报警。 ? 内存插槽质量低劣，簧片与内存条的金手指接触不实在，在使用过程中始终存在着隐患，在一定的时间就会点不亮，开机报警。 ? 再就是纯粹的不兼容情况:一款条子，在有的主板上用得 好好的，但是到了这块主板上却经常死机，或者不能正常启动。 这就是典型的不兼容情况。 处理:? 用橡皮仔细地把内存条的金手指擦干净，重新插入插槽。 ? 用热熔胶把内存插槽两边的缝隙填平，防止在使用过程中继续氧化。 ? 如果使用一段时间以后，还出现报警，这时可先更换一下内存条，看在以后的使用过程中是否还出现报警。 ? 如果过一段时间以后还有内存报警出现，这时只有更换主板，才能彻底解决问题。 对于内存条与主板因为技术问题不兼容的情况，只能更换其他品牌的内存条，当然也可以换主板。