[精华]旌旗灯号 用途 旌旗灯号起源 旌旗灯号深度 分辩率

[精华]旌旗灯号 用途 旌旗灯号起源 旌旗灯号深度 分辩率 信号 用途 信号来源 信号深度 分辨率 俄歇电子 俄歇电子象， X射线击发壳层电子 1纳米 同入射电子束 元素分析 亦说几个纳米 空间分辨率几十纳米 化学态 二次电子 二次电子象 样品电子被 10纳米 同入射电子束 结晶分析 入射电子激发 亦说5至50纳米 电磁性质 背散射电子 背散射电子象 入射电子与样品价电子 几百纳米至1微米 几十纳米 元素分析 碰撞或被核偏转 到200纳米 结晶分析 电磁性质 特征X射线 元素分析 入射电子激发壳层电子 由高压和被激发物质 由高压和被激发物质 决定，约1至几微米 决定，约1至几微米 阴极荧光 结晶分析 电子按能带跃迁 略大于特征X射线 约1微米 电动力 化学态 形成的光辐射 亦说与背散射电子 相当 吸收电子 平均元素分析 吸收电子 背散射电子少的区域 约1微米 透摄电子 成象 能量损失谱 样品厚,0.1μ 的透射电流 俄歇电子:是具有特征能量的电子，比二次电子的能量大得多，Al1396ev. 但俄歇电子在试样中产生后必须KLL 直接逸出，不允许散射，否则 将失去特征能量。 所以，可以获得最大信息量的信号深度只有1纳米 左右至表面的体积内。 二次电子:二次电子图象衬度依赖于二次电子的发射量，与特征能量无关。其逸出表面的能量为50ev。二次电 子在试样中产生后要经过多次散射才能到达试样表面，电子能量不断减小，到达试样标面时，只有那 些能量为50ev左右的电子才能逸出试样表面。所以其信号深度是有一定限制的。对二次电子图象衬 度贡献最大的信号深度为10纳米左右至表面的体积内。 背散射电子:背散射电子图象衬度依赖于背散射电子的发射量，与特征能量无关。背散射电子在逸出 试样表面 之前要经过多次散射才能到达试样标面。由于背散射电子检测器设计为检测高能量的背散 射电 子， 所以只有那些逸出试样表面的高能量的背散 射电子，才能被检测器检测到，所以其信号深度 是有一定限制的。最大信息量的信号深度位于几百纳米处至表面的体积内。逸出试样表面的低能量 的背散 射电子，有可能被二次电子检测器俘获，二次电子图象中叠加部分背散射电子图象，这是 原因之一。