元器件降额标准(参考)

元器件降额准则（参考件） 元器件种类 降额参数 降额等级 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 集成电路 模拟电路 放大器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.60 0.70 0.70 输出电流 0.70 0.80 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 比较器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.70 0.80 0.80 输出电流 0.70 0.80 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 电 压调整器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.70 0.80 0.80 输出输入电压差 0.70 0.80 0.85 输出电流 0.70 0.75 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 模拟开关 电源电压 0.70 0.80 0.85 输入电压 0.80 0.85 0.90 输出电流 0.75 0.80 0.85 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 数字电路 双极型 电路 频率 0.80 0.90 0.90 输出电流 0.80 0.90 0.90 最高结温（℃） 85 100 115 MOS型电路 电源电压 0.70 0.80 0.80 输出电流 0.80 0.90 0.90 功率 0.80 0.80 0.90 最高结温（℃） 85 100 115 混和集成电路 厚模集成电路（W/cm2） 7.5 薄模集成电路（W/cm2） 6.5 最高结温（℃） 85 100 115 大规模集成电路 最高结温（℃） 改进散热方式降低结温 分离半导体器件 晶体管 方向 电压 一般晶体管 0.60 0.70 0.80 功率MOSFET的栅源电压 0.50 0.60 0.70 电流 0.60 0.70 0.80 功率 0.50 0.65 0.75 功率管安全工作区 集电极－发射极电压 0.70 0.80 0.90 集电极最大允许电流 0.60 0.70 0.80 最高结温 Tjm（℃） 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm-65 Tjm-40 Tjm-20 微波晶体管 最高结温 同晶体管 二极管（基准管除外） 电压（不适用于稳压管） 0.60 0.70 0.80 电流 0.50 0.65 0.80 功率 0.50 0.65 0.80 最高结温 Tjm（℃） 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm-65 Tjm-40 Tjm-20 微波二极管 最高结温 同二极管 基准二极管 可控硅/半导体光电器件 电压 0.60 0.70 0.80 电流 0.50 0.65 0.80 最高结温 Tjm（℃） 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm-65 Tjm-40 Tjm-20 固定电阻器 合成型电阻器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 薄膜型电阻器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 电阻网络 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 线绕电阻 电压 0.75 0.75 0.75 功率 精密型 0.25 0.45 0.60 功率型 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 电位器 非线绕电位器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 合成、薄膜微调 0.30 0.45 0.60 精密塑料型 不采用 0.50 0.50 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 线绕电位器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 普通型 0.30 0.45 0.50 非密封功率型 － － 0.70 微调线绕型 0.30 0.45 0.50 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 热敏电阻器 功率 0.50 0.50 0.50 最高环境温度（℃） TAM-15 TAM-15 TAM-15 电容器 固定玻璃釉型 直流工作电压 0.50 0.60 0.70 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-10 TAM-10 TAM-10 固定云母型 直流工作电压 0.50 0.60 0.70 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-10 TAM-10 TAM-10 固定陶瓷型 直流工作电压 0.50 0.60 0.70 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-10 TAM-10 TAM-10 固定纸/塑料薄膜 直流工作电压 0.50 0.60 0.70 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-10 TAM-10 TAM-10 电解电容器 铝电解 直流工作电压 － － 0.75 最高额定环境温度TAM（℃） － － TAM-20 钽电解 直流工作电压 0.50 0.60 0.70 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-20 TAM-20 TAM-20 微调电容器 直流工作电压 0.30~0.40 0.50 0.50 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-10 TAM-10 TAM-10 电感元件 热点温度THS（℃）(简写T) T-40~25 T-25~10 T-15~0 工作电流 0.60~0.70 0.60~0.70 0.60~0.70 瞬间电压/电流 0.9 0.9 0.9 介质耐压 0.5~0.6 0.5~0.6 0.5~0.6 扼流圈工作电压 0.7 0.7 0.7 继电器 连续触点电流 小功率负荷（＜100mW） 不降额 电阻负载 0.50 0.75 0.90 电容负载（最大浪涌电流） 0.50 0.75 0.90 电感负载 电感额定电流的 0.50 0.75 0.90 电阻额定电流的 0.35 0.40 0.75 电机负载 电机额定电流的 0.50 0.75 0.90 电阻额定电流的 0.15 0.20 0.35 灯丝负载 灯泡额定电流的 0.50 0.75 0.90 电阻额定电流的 0.07~0.08 0.10 0.30 触点功率（用于舌簧水银式） 0.40 0.50 0.70 线圈吸合电压 最小维持电压 0.90 0.90 0.90 最小线圈电压 1.10 1.10 1.10 线圈释放电压 最大允许值 1.10 1.10 1.10 最小允许值 0.90 0.90 0.90 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-20 TAM-20 TAM-20 振动极限 0.60 0.60 0.60 工作寿命（循环次数） 0.50     开关 连续触点电流 小功率负荷（＜100mW） 不降额 电阻负载 0.50 0.75 0.90 电容负载（电阻额定电流的） 0.50 0.75 0.90 电感负载 电感额定电流的 0.50 0.75 0.90 电阻额定电流的 0.35 0.40 0.75 电机负载 电机额定电流的 0.50 0.75 0.90 电阻额定电流的 0.15 0.20 0.35 灯丝负载 灯泡额定电流的 0.50 0.75 0.90 电阻额定电流的 0.07~0.08 0.10 0.15 触点电压 0.40 0.50 0.70 触点功率 0.40 0.50 0.70 连接器 工作电压 0.50 0.70 0.80 工作电流 0.50 0.70 0.80 最高接触对额定温度TM（℃） TM-40 TM-20 TM-15 电机 最高工作温度（℃） T-40 T-20 T-15 最低极限（℃） 0 0 0 轴承载荷额定值 0.75 0.90 0.90 灯泡 白炽灯 工作电压（如可行） 0.94 0.94 0.94 氖/氩灯 工作电压（如可行） 0.94 0.94 0.94 电路断路器 电流 阻性负载 0.75 0.75 0.90 容性负载 0.75 0.75 0.90 感性负载 0.40 0.40 0.50 电机负载 0.20 0.20 0.35 灯丝负载 0.10 0.10 0.15 最高额定环境温度TAM（℃） TAM-20 保险丝 电流额定值 ＞0.5A 0.45~0.5 0.45~0.5 0.45~0.5 ≤0.5A 0.2~0.4 0.2~0.4 0.2~0.4 T＞25℃时，增加降额1/℃ 0.005 0.005 0.005 晶体 最低温度（℃） TL+10 TL+10 TL+10 最高温度（℃） TU-10 TU-10 TU-10 微波管 最高额定环境温度（℃） TAM-20 TAM-20 TAM-20 输出功率 0.80 0.80 0.80 反射功率 0.50 0.50 0.50 占空比 0.75 0.75 0.75 声表面波器件 输入功率（f＞100MHz） 降低+10dBm 输入功率（f＜100MHz＝ 降低+20dBm 纤维光学器件 光纤光源 峰值光输出功率 0.50（适用于ILD） 电流 0.50（适用于ILD） 结温 设法降低 光纤探测器 PIN反向压降 0.60 结温 设法降低 光纤与光缆 温度 上限额定值－20；下限额定值+20 张力 光纤 耐拉试验的0.20 光缆 拉伸额定值的0.50 弯曲半径 最小允许值的0.20 核辐射 按产品详细降额或加固 导线与电缆 最大应用电压 最大绝缘电压规定值的0.50 最大应用电流（A） 线规AVG 30/28/26/24/22/20/18/16 单根导线电流ISV 1.3/1.8/2.5/3.3/4.5/6.5/9.2/13.0 线规AVG 14/12/10/8/6/4 单根导线电流ISV 17.0/23.0/33.0/44.0/60.0/81.0               双极型数字电路降额准则 降额参数 降额等级 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 电源电容容限 ±3％ ±5％ 见技术条件 频率 0.80 0.90 0.95 输出电流 0.80 0.90 0.90 最高结温（C） 85 100 115         HP电压降额标准 器件型号 正常状态 最差状态 电阻 峰值电压(%) 功率 (%) 温度 峰值电压(%) 功率 (%) 温度 碳膜、金属膜 50 50 PCB的标准焊接温度 85° C 50 80 PCB的标准焊接温度 100° C 100 Kohm 1/4 W 1/2 W 50 50 50 80 1 W 40 50 40 80 100 Kohm 1/4 W 80 50 80 80 1/2 W 80 50 80 80 1 W 80 60 80 80 2 W 80 50 80 60 玻璃釉电阻     70 60 压敏电阻 80 50 80 80 不同功率下的峰值电压：1/6 W-200（150）V；1/4 W-250V；1/2 W-350 V；1W-350 V；2W-350V；3W-500 V；5W-500V 器件型号 Isteady (%) Im (%) Isteady (%) Im (%) NTC-电阻         PTC-电阻     80 80 电容 V DC (%) V CP (%) V peak (%) I rms (%) I p-p (%) Temp (%) V DC (%) V CP (%) V peak (%) I rms (%) I p-p (%) Temp (%) 薄膜电容                 85     85 PE MPE                 90     85 MPP               85     85 85 Ceramic fixed 陶瓷电容     75     80     90     90 Electrolytic (85° C, 2000 h) 80   80 85   60 90   95 90   70 Electrolytic (105° C, 2000 h) 80   80 90   60 90   95 90   70                                       Component Typ Normal Case Worst Case Inductors Core Temp (°C) Core Temp (%) Core Temp (°C) Core Temp (%) Choke Coil       80 Transformer Semiconductors Tj min. = 150°C Note: Tj to Tcase has to be calculated for verification in any case Diode Vrm (%) Io (%) I fsm (%) Tcase (°C) Vrm (%) Io (%) I fsm (%) Tcase (°C)         90 50 70 90 Zener Diode Pd (%) Iz (%) IFM (%) Tcase (°C) Pd (%) Iz (%) IFM (%) Tcase (°C)         50 50 80 90 Damp/Modulation Diode         Vrm (%) Io (%) I fsm (%) Tcase (°C)         90 50 70 90 Transistors Vce (%) Veb (%) IC (%) Tcase (°C Vce (%) Veb (%) IC (%) Tcase (°C 85 85 85   85 85 85 90 MOSFET Vpss (%) Ip (%) IDM (%) VGS (%) Vpss (%) Ip (%) IDM (%) VGS (%) 85 80 80 85 90 85 80 85 IC Vpeak (%) Pd (%) Tcase (°C) Vpeak (%) Pd (%) Tcase (°C) 80 80 90 85 80 90 PCB ( Solder Temp) 85°C 100°C Special Parts Vpeak (%) Irms (%) Tcase (°C) Vpeak (%) Irms (%) Tcase (°C) Switch Power MOSFET 85   90 85   100 器件型号 Normal Case Worst Case Special Parts Vpeak (%) Irms (%) Tcase (%) Vpeak (%) Irms (%) Tcase (%) H-Driver/Vertical 行场驱动 80 80 75 85 80 80