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晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用用途

2017-09-30 2页 doc 11KB 13阅读

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晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用用途晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用用途 双击此处修改或者 精品资源,临风文档h。ttp://www.docin.com/a feiz精品资源,临风文档h。ttp://www.docin.com/afeiz []删除页眉页脚信息 晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用 用途 在实际可控硅电路中~常在其两端并联RC串联网络~该网络常称为RC阻容吸收电路。 可控硅有一重要个特性参数,断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下~使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大~超过了可控...
晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用用途
晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用用途 双击此处修改或者 精品资源,临风文档h。ttp://www.docin.com/a feiz精品资源,临风文档h。ttp://www.docin.com/afeiz []删除页眉页脚信息 晶闸管(可控硅)两端并联阻容网络的作用 用途 在实际可控硅电路中~常在其两端并联RC串联网络~该网络常称为RC阻容吸收电路。 可控硅有一重要个特性参数,断态电压临界上升率dlv/dlt。它明可控硅在额定结温和门极断路条件下~使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大~超过了可控硅的电压上升率的值~则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压~也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。 在可控硅处于阻断状态下~因各层相距很近~其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时~便会有充电电流流过电容C0~并通过J3结~这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时~阳极电压上升速度太快~则C0的充电电流越大~就有可能造成门极在没有触发信号的下~可控硅误导通现象~即常说的硬开通~这是不允许的。~对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大~确保可控硅安全运行~常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络~利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的 1 双击此处修改或者 精品资源,临风文档h。ttp://www.docin.com/a feiz精品资源,临风文档h。ttp://www.docin.com/afeiz []删除页眉页脚信息 ,变压器漏感或负载电感,~所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用~它可以防止R、L、C电路在过渡过程中~因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时~避免电容器通过可控硅放电电流过大~造成过电流而损坏可控硅。 由于可控硅过流过压能力很差~如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护之一。 2
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