三极管工作状态判定

三极管工作状态判定 NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域 (1)截止区:其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。 (2) 放大区:其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路， UBE>UON且UCE>=UBE (即UC>UB>UE)。此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，现出IB 对 iC的控制作用，IC=?IB。在理想情况下 ，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.) (3) 饱和区: 其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE>UON且 UCEUe,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub.)