配料作业指导书

配料作业指导书 编 号: 江西塞维LDK太阳能高科技有限公司操作文件 版 本: 配料作业指导书 受控状态: 批 准 审 核 编 制 日 期 日 期 日 期 1、目的 指导硅单晶技术工艺人员开具配料单; 2、配料原则 2.1太阳能级硅单晶是利用切克劳斯基(直拉)法将多晶硅料在特定工艺下转化为硅单晶，选用的多晶 硅质量，例如硅中的N型、P型杂质，碳含量必须符合硅单晶的质量要求，再结合硅单晶的生产成 本考虑，确定一个既能保证硅单晶质量，又可使产品成本最低的配料; 3、配料方案 3.1多晶硅料可以选用新的多晶原料(包括含碳头多晶，无碳头多晶以及免清洗多晶)，复拉料(包括硅单 晶头尾料，方棒边料，测试陪片以及硅片加工中的报废片)，埚底料，按一定配比组合而成; 3.2从降低成本来说，宜增加复拉料及埚底料的投入数量，但复拉料、埚底料中的杂质含量及碳含量远 大于新多晶原料中的含量，能投入多少复拉料、埚底料，一定要根据投入这些组合硅料后拉制的硅 单晶质量能否符合标准为依据; 3.3新多晶原料的N型电阻率不宜小于50Ω?cm，P型电阻率不宜小于500Ω?cm，碳含量不能大于1ppma 头尾料及埚底料，若为N型的，电阻率最好在1.5Ω?cm 以上;若为P型的，电阻率不能小于0.5 Ω?cm(针对P型0.5-2.0Ω?cm产品而言); 3.4一般情况下，配料中的三种硅料可以按新多晶:头尾料:埚底料=1:2:1的比例，即每炉投料总量 的25%为新多晶，50%为头尾料，25%为埚底料。如果按该配比拉制的硅单晶，碳含量超标的话，则 要减少埚底料的用量，相应增加新多晶或头尾料的投入量;减少和增加的数量，要根据每批埚底料 的不同来源，通过拉晶试验才能确定; 3.5为减少太阳能级单晶中的反型杂质补偿度，要求硅料中N型和P 型的电阻率相差值越大越好，N型 电阻率必须大于太阳能级单晶电阻率下限值的三倍，例如生产P型0.5~2.0Ω?cm单晶，N型复拉料 埚底料的电阻率要在1.5Ω?cm以上。而且所用的复拉料、埚底料不能全部是这种低电阻率的，应 该采用新多晶+P型复拉料、埚底料+少量N型低电阻率复拉料、埚底料的方案。例如按投料量60kg 1 考虑N型1.5Ω?cm~10Ω?cm的复拉料、埚底料每炉可放3-5kg，也即如果每炉投新多晶15 kg，应该采用新多晶+P型复拉料、埚底料+少量N型低电阻率复拉料、埚底料的方案。例如按投料量60kg考虑N型1.5Ω?cm~10Ω?cm的复拉料、埚底料每炉可放3-5kg，也即如果每炉投新多晶15 kg，复拉料和埚底料总量投45 kg的话，则45 kg中，N型1.5Ω?cm~10Ω?cm可放3-5 kg，其余42-40kg应该为P型。如果N型复拉料，埚底料的电阻率较高，已超过10Ω?cm，则允许投入的N型硅料数量可以不受3-5 kg的限制; 3.6根据投入的新多晶，头尾料和埚底料的配比，最终得到的单晶实测电阻率值，调整硅单晶的掺杂量， 使产品电阻率符合要求; 3.7掺杂用的P型母合金，电阻率在10-3~10-4Ω?cm，电阻率越低越好，单晶晶向为,100,的，截面电阻率均匀性较好。比较正规的做法是选用P,100,硅单晶，直径3″-5″都可以，用内圆切割方法，切成2mm厚的硅片，再测每片硅片的截面电阻率分布，一般取五点法就可以，取五点平均值作为该片硅片的电阻率值。将此硅片用HNO3+HF腐蚀、清洗、烘干后敲碎，放在培养皿中待用。用这种方法，掺杂计算时的电阻率值较正确，但内圆切割较麻烦，还有硅单晶切割刀缝的损耗。如果直接将母合金单晶敲碎使用，单晶的损耗是小了，但掺杂计算时电阻率偏差较大; 2