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双降膜分步熔结晶分离技术

2012-08-02 3页 pdf 97KB 90阅读

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双降膜分步熔结晶分离技术 · 继续教育 · 红 , 、 / 崤 斌 D 双 OUB LE F 膜 AII1 分 NG 步 FII/VI 熔 (JRY 融 STA 结 IIIZA 晶 TIO 分 N SE 离 PARA 技 TIO 术 N TIK3[tNOLOGY 棚 。 / 尹 / 7 一 厂、,)厶 1 1 概述 对于结晶现象,人们并不陌生.从古代的食盐生 产、金属冶炼,到现代的人工宝石,单晶硅制造,都离 不开结晶过程。可见,其常规用途是生产晶体产 品. 然而,近几十年来,结晶工艺常常单...
双降膜分步熔结晶分离技术
· 继续教育 · 红 , 、 / 崤 斌 D 双 OUB LE F 膜 AII1 分 NG 步 FII/VI 熔 (JRY 融 STA 结 IIIZA 晶 TIO 分 N SE 离 PARA 技 TIO 术 N TIK3[tNOLOGY 棚 。 / 尹 / 7 一 厂、,)厶 1 1 概述 对于结晶现象,人们并不陌生.从古代的食盐生 产、金属冶炼,到现代的人工宝石,单晶硅制造,都离 不开结晶过程。可见,其常规用途是生产晶体产 品. 然而,近几十年来,结晶常常单纯地用来分离混 合物,尤其是化学工业中有机化合物的分离提纯. 在化工生产中,传坑的分离方法,对于气体多采 用吸收.吸附等,对于液体,主要有糟馏、苹取等 其 中,莘取是在混合物中添加苹取剂,利用不同组分在 萃取剂中的溶解度不周使之分离,有欲持故纵之 意.若韶直接分离,当然不必如此.而精馏,不仅可 用于液态混合物,还可以将气志或固态混合物液化 后进行分离.可见用途之广.但对于共拂物系,它无 能为力;对于组分沸点相近物系.它既不经济,也很 难选到分离精度要求:而对于热敏物系,稀溶液和 沸点太高或太低的物系也不适合.然而,这些物系的 组分熔点问常常相差较大,且熔 点又不是太高或太 低(据考查,70%自晡 机化古物的熔点在0℃到200℃ 之间。所以,很适于结晶分离. 结晶分离基于混合物系的液固相变行为。一般 通过降低物系温度到液相线以下,选到一定的过冷 度 ,则熔点较高组分结晶析 出,富集于 晶体中,而熔 点较低组分在母液中旅 缩,再 通过 液固非均 耜 分 离,实现组分分离。 溶解度 1 .4 l 2 l 0 n8 n6 n4 嘎2 发t 冷却(I) / / Ⅲ 圈 1 三类溶解度曲线 根据物系的特性,应分别采用冷却、蒸发、真空 结晶等不同方式.如图1所示.化工中常见的是冷却 结晶. 冷却结晶有悬浮结晶和层析结晶两种形式。前 者,是使整个液相物料}争却到过饱和温度以下,过饱 和度是结晶的推动力.晶体在缝热的条件下生成、生 长,并悬浮于母液中.要使之分 开,须使用过滤装 置.后者,过玲玲却是通过晶层而不是通过液体提供 的。推动力是固、液相界附近的浓度、温度梯度 .晶体 于非鲍热环境中,在}争面上生成、生长。所 以,晶体 的生长速度是悬浮结晶舶】0到 1C0倍.并且晶层与 母液有较 明显的界面,较易分开. 层析结晶又分为静态结晶和降膜结晶.前者是 辩液静置于玲却器中,晶体于静态中在}争表面上生 成,生长,后者是科液于固体壁面上,在下降移动的 过程中形成晶体.若}争却介质在壁面另侧也成膜状 下降流动。则为双降膜.显然,降膜结晶的传热,传质 效率要高得多.且温度变化时,滞 后程 度小,控制灵 活 . 圈 2 低共培点型袖暴相田 对于有机混合物系,近 90%为低共熔型,如图 2 理论上 ,只需一扶结晶分 离即可达到 101P/o的纯 度。实际结晶过程 中,目杂质 的夹 带及 母液 的 附 着,使晶体纯度下降.为提高纯度,结晶之后,使晶层 温度升高到其熔点附近,则低熔点杂质熔出,称为发 汗.发汗后的晶层再升高温度使之全部熔融,即为熔 ((化学工程师》6/1995(总第 51期 ) 维普资讯 http://www.cqvip.com 化。结晶,发汗、熔化构成一个垒过程。 为 了进一步提 高产 品 纯度.可进 行 简单 再 结 晶,部以熔化谖作为进料.再结 晶一敬,但造成产品 收率下降.能同时提高产品纯度和收率 的方法是多 做结晶。过程是将莉一级 产品作 为后一级部分进料 提高纯度,将残 液井 人前一 级进 料进 一步 回收 产 品,直至产品纯度,收率均达到要求为止.工业生 产 中,级数可在 1到 7问变动. 而分 步结晶 (fractional gbⅢj龃t-啪 )是结 成 的 晶体与母 液 不断 逆流 接触 平衡.类 似 于精馏 (fraction~on)过程。 至于熔融结晶.是自熔融体中结晶,与在溶液中 结晶不同。工业上,除非当熔体枯度太高.或熔解温 度太低时.才需要添加溶 剂。而且,溶剂的添加常常 污染产品.所以+多用熔融结晶。 2 技术系统 Z1 系统谵程 如图 3,4。 残 液 熔 融 贮罐 圈 3 一个三级过程的糟料流程 围 4 基本流程围 2.2 运行过程 在结晶开始前.将接收罐充满进料液 .开动产品 泵和载热体泵,结晶器 内开始形成凝固的产品。在接 收罐中的液位 自然会随之降低。当达到预先设定 的 《化学工程师》6/t995(总第 5l期) 程度时.停止降温晶析.接收罐中的残液通过残液管 路捧放到界区外.若是多级操作,可将残液排放 列贮 罐中.在随后的发秆阶段里,用温热的载热体循环, 将发汗液接收在接收罐中.液体达到预先设定的位 置后.汗浓用泵送到相应的贮罐中.接着.将所剩晶 层熔化到接收罐中,然后送^产品线路.如果是多级 操作,熔融液将用作下级进料. :13 结昌器 ‘ 结晶器 内有一组直径为 ∞ 到 75nn'a的列臂,截 体高一般为 14m,直径约为4. m.别管是整个分配系 统的关键部分.其作用是使结晶元件一别 管同料液 均匀分布.另外.使料液在管内壁均匀成膜结晶.层 晶厚度一般为5到 20ram. 3 技术特点 该技术除了具有其它结晶分离技术的共同特 征 ,如节能,低温操怍.可获得高纯度产品,适 用于特 种物系等 ,之外.还有以下特点: 3.1 优势 (1)应用范围广.从图 5可以看 到.它适用于 中 到梗高的纯度要求 .适用于中到大的生产规模. 一 唾 {L 日 10' 1 1 IoI 1旷 I旷 装置生产能力 (吨f年) 田 5 降囊结晶应用范■ (2)系统简单.因其非悬浮结晶,故不需过滤.而 且,几乎没有运转设备.所以,运行可靠,维护方便, 投贷及运转成本较低. (3)单台结晶器系统须何歇式操作.但便于微机 控制,实现过程优化. (4】几台结晶器并联,可实现连续性生产. (53可用于多种混合物系的分离,提纯. 30. 弱点 (1)单个结晶元件的生产率不太高.因为它要依 次经过结晶.发汗、熔化各步骤. (2】对于共熔点型物系,产品收率受共熔点组成 维普资讯 http://www.cqvip.com . 继续教育 · 《 鑫/, , 荧 光 标 记 试 剂 FIJ3ORESCI~rr LIGHT M ARK REAGENT ,, 1/ l 前言 利用荧光分析的方法.产生选择性好且高灵敏 度的优点,而被用于广泛的领域.要用荧光法 (利用 荧光减少的间接法除外)被分析的化合物必须有荧 光,但是在自然界中荧光性化合物不那么多.因此, 作为本文的主题荧光标记试剂是必要的.荧光 标记 试剂基本上认为是 在化学反应中与无荧光化合物之 间形成化学时提供荧光体的试剂 .但这里也包括用 物理吸附等荧光标记的试荆.本文是关于荧光标记 试剂的研制或利用,特别 在关联生物化合物的分析 中,发挥着怎样的重要作用?还希望什么拌的试荆 等?边用分子结构式表示边说明. 中岛宪一郎 2 HPLC用荧光标记试剂的研制 荧光标记法中包括以下方法被应用于各 自的研 究 目的:(1)在荧光 团引人反应官能 团的试剂和与 被分析物质活性部位的化学键反盅导^荧光团;92) 和被分析物质的化学反应形成荧光体;(3)利用和 被分析物质的物理吸附产生荧光休.研制标记试剂 时,关键是由非常复杂的基质构成生榭试样的许多 成分中,如何把作为目的的被分析物质制成某种特 别性能或选择性好且容易标记的试剂.同时,试样是 在极撒量或所古对象物只存 在极微量的状态下,如 何高灵敏度橙出成为重点.于是要 克服这些问题,对 于被分析物 的反应活性部位存 在富有厦应性 的官 的限制. (3)物系中高分子杂质含量超过 1%对,会严重 影响结晶分离的速度和效率. 4 应用实例 · 该技术是瑞士苏尔寿(SI止虹)公 司的专有技 术.对几种物系的分离提纯效果如下表: 荣辅毒9 荤馥 氯己馥 丙烯馥 对二氯苯 提纯 提纯 提纯 提纯 进料含量(%) 93.0 99.2 95 65~ 75 产品含量(%) 98 99.99 99.85 99.95 98 产品收率(%) 91.9 70 95 99 级数 9 7 3 7 另外,该公司对于苯甲酸、对甲苯酚 双酚 A、一 氯醋酸.硝基氯苯,己内酰胺 脂肪 酸的分 离己向用 户提供了装置,共有 100多种化音物在其 实验装置 中成功地进行了提纯。 5 结束语 总之,双降膜分步熔融结晶技术 对于 有机物系 的分离提纯,简便,经济,可靠.但在国内还未被掌 握,当弓『起同行的重视. 目前,天津大学 己开发出单降膜结晶系统 并有 一 项专利阿世.浙江大学化工系传递 工程 教研室正 在探索双降膜结晶技术.现己初步完成了小试,期望 不久能掌握并突破之 参 考 文 献 I 王静康,化学工程.1992, 57 2 王静康,张远谋 ,石油化工,1984.10:669 3 苏尔寿公司产品介绍《分步结晶》 4 Oskar F n^d嘲 Kmzi~k,Xulz~T,y.hniad Review. 1992, 9 5 I'%1~]1o1as W ym% Che~ ,ml En T蠕 IIg Pm~ms,1992, 3:让 6 Dvneld M f3e,uk~ PIo。 l 1:50 《化学工程师 6/J99s(总第 51期 ) L 维普资讯 http://www.cqvip.com
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