用于接入网的对弯曲损耗不敏感的单模光纤_介绍ITU_T新标准G_657
技术看点 11.技术看点10. 企业精神:敬业·诚信·创新·和谐 经营理念:持续·稳健·快速·规模
一、引言
FTTH是推动光纤需求的动力和市场恢复的希望。业界对FTTH
技术的发展和应用热情日益高涨,了解FTTH应用对于光纤的特
别要求,以便开发适应市场需求的有特色的光纤,对于各个光
纤企业以及整个行业的发展都是很有必要的。在这种形势下,
国际电信联盟组织ITU-T 第15研究组于2006年10月30日到11月10
日在瑞士日内瓦召开了SG15 2005-2008研究期第4次全会,并
对多项光纤光缆标准进...
技术看点 11.技术看点10. 企业精神:敬业·诚信·创新·和谐 经营理念:持续·稳健·快速·规模
一、引言
FTTH是推动光纤需求的动力和市场恢复的希望。业界对FTTH
技术的发展和应用热情日益高涨,了解FTTH应用对于光纤的特
别要求,以便开发适应市场需求的有特色的光纤,对于各个光
纤企业以及整个行业的发展都是很有必要的。在这种形势下,
国际电信联盟组织ITU-T 第15研究组于2006年10月30日到11月10
日在瑞士日内瓦召开了SG15 2005-2008研究期第4次全会,并
对多项光纤光缆
进行了修订。光纤光缆标准方面最引人注
目的成果就是通过了G.657新标准[1]。该新标准的标题是《用
于接入网的对弯曲损耗不敏感的单模光纤及光缆特性》
(《Characteristics of a Bending Loss Insensitive
Single Mode Optical Fibres and Cables for the Access
Network》)[2]。
无论是光纤、光缆生产厂家还是网络安装公司以及通信运
营商,都对该光纤新标准以及该新型光纤的发展有着极大的兴
趣。本文首先简单介绍ITU-T新标准 G.657的发展过程和G.657标
准的特点;然后比较G.657A与G.657B的区别;也对G.657A与G.652D
在光纤指标方面进行了全面比较,使读者对G.657能有更多的了解。
二、G.657标准的发展背景及过程
据英国电信(BT)最新几年来的研究[3],当光纤遭受过于
严重的弯曲时,光就会从纤芯泄漏到涂覆层中,一些光被吸收
并转换成热能。如果涂覆材料遭遇到足够高的光功率,就会转
变为一种高度吸收性的材料,从而使温度急剧上升到600 °C以
纤断裂,在最严重的情况下,涂覆材料将会燃烧,该现象称为
催化性损坏,也会发生在FTTH-PON系统中。解决该问题的最有
吸引力的长期策略是要求光纤制造者开发新型光纤,这可以通
过降低弯曲损耗和改进涂覆材料性能来达到。自2002年以来,
抗弯曲光纤研究就成为光纤通信领域的热点之一。
在2005年5月瑞士日内瓦召开的ITU-T会议上,Draka Comteq
公司提出开发对弯曲损耗不敏感的用于FTTH的单模光纤新标准
的议案。2006年2月6-17日,ITU-T第15研究组在瑞士日内瓦召开
了2005-2008研究期的第3次全体会议。该次会议讨论了接入网
光纤标准,
开发的2个新建议。其1是
用于接入网的单
模光纤光缆特性,临时文件号码是ITU-T G.smx;就是现在刚刚
通过的G.657;其2是 ITU-T G.mmx,规范用于接入网的50/125 -
GI多模光纤光缆特性,尚在进行中。
Draka Comteq 公司的Dr. Piet Matthijsse 担任该G.657
标准草案的编辑。据报道,该标准草案提出的光纤性能要求新
光纤的宏弯损耗比现有G.652的改善10~100倍。这类新光纤的
微弯特性也有所改善,有意放松了对于FTTX布线时路由的限
制。考虑的新光纤包括G.652 型的,也包括非G.652型的。当初
预计将在2006年底完成。现在,由于业界对于FTTH的推动,促
进了标准的提前通过。许多运营商已经计划了FTTH。运营商希
望全世界的光纤厂家立即按照G.657新光纤建议/标准生产光纤。
三、G.657标准的特点
该标准规定了对弯曲损耗不敏感的单模光纤及光缆特性。
是,在满足G.652D规范的前提下,改善光纤的弯曲损耗特性。
而Class B的特点是,更充分地改善了光纤的弯曲损耗特性;不必
满足G.652D规范,主要考虑用在建筑物内部。
该标准规定的光纤的主要特点就是弯曲损耗低、弯曲直径
小。该标准规定的光纤光缆如同铜线那样柔韧,可灵便地用于
街道、建筑物内和家庭内部的布线,大大地降低FTTH成本。
四、G.657A、B类之间的区别
从标准的范围看,A类适合应用在O、E、S、C和L波段
(1260~1625nm波长范围内),其传输特性和光学特性的要求
同G.652D相似,主要的区别在于为了改善连接特性,G.657A对
弯曲特性和几何尺寸的要求上比G.652D更加严格;B类主要适合
应用在1310 、1550和1625nm波长上进行有距离和空间限制如
楼房内部的信号传输,这种光纤的熔接特性同G.652不同,其能
在较小的弯曲半径下保证具有较低的弯曲损耗。
总体上看,A类要求符合G.652D;B类不要求一定符合G.652
标准。具体差别共有5个方面。
1)MFD标称值范围不同
A类,标称值范围:8.6~9.5 μm,与G.652要求相同;
B类,标称值范围:6.3~9.5 μm,下限超出G.652;
2)宏弯特性不同
B类更严格,参见表1.
用于接入网的对弯曲损耗不敏感的单模光纤
——介绍ITU-T新标准 G.657
烽火藤仓 李海清 李进延 唐仁杰等
● 增加了弯曲半径为7.5mm场合的指标;
● 对于弯曲半径为15、10mm场合的损耗更低。
3)衰减系数不同
● A类的与G.652D同,B类的与G.652D不同;
● B类不规定1383nm的指标,不要求是低水峰光纤;
● B类在1310nm的衰减系数比A类大;
● B类规定了在1625nm的衰减系数指标;
● B类不规定1310~1625nm波长范围的衰减系数最大值。
可见,A类的衰减系数指标更严格,参见表2、表3。
表1. G.657A、B类光纤宏弯特性的比较
弯曲半径(mm)
圈数,
1550nm最大损耗(dB)
1625nm最大损耗(dB)
15 10 7.5
A
10
0.25
1.0
B
10
0.03
0.1
A
1
0.75
1.5
B
1
0.1
0.2
B
1
0.5
1.0
表2. A类的衰减系数
衰减系数
1310~1625nm波长范围的衰减系数最大值
1383nm3 nm的衰减系数最大值
1550 nm衰减系数最大值
0.4 dB/km
0.4 dB/km (按照标准Note 4要求)
0.3 dB/km
表3. B类的衰减系数
衰减系数
1310 nm衰减系数最大值
1550 nm衰减系数最大值
1625 nm衰减系数最大值
0.5 dB/km
0.3 dB/km
0.4 dB/km
4)PMD系数不同
● A类的PMD系数与G.652D同
● B类的待定。
5)色散系数不同
● A类的与G.652D同
● B类的待定。
五、G.657A与G.652D的区别
G.657A是在G.652D基础上的改进,与652D相容。G.657A与G.652D
的主要区别如下:
● 几何尺寸指标提高:芯包同心度由G.652D的±0.6μm提高到
G.657A的 ±0.5μm;
● MFD公差范围由G.652D的±0.7μm提高到G.657A的±0.4μm;
● 宏弯损耗要求提高,弯曲半径从30mm减小到15mm、10mm,参
见表4。
表4. G.657A与G.652D宏弯损耗的区别:
弯曲半径 30mm,100圈
弯曲半径 15mm,10圈
弯曲半径 10mm,1圈
G.657A
无规定
1550nm最大损耗:0.25dB
1625nm最大损耗:1.0dB
1550nm最大损耗:0.75dB
1625nm最大损耗:1.5dB
G.652D
1625nm最大损耗:0.5dB
无规定
无规定
E
含2个子类或级别,分别称Class A和Class B。Class A的特点上。这种高热量,将引起光纤本身变形,实际效果上如同光
技术看点 11.技术看点10. 企业精神:敬业·诚信·创新·和谐 经营理念:持续·稳健·快速·规模
一、引言
FTTH是推动光纤需求的动力和市场恢复的希望。业界对FTTH
技术的发展和应用热情日益高涨,了解FTTH应用对于光纤的特
别要求,以便开发适应市场需求的有特色的光纤,对于各个光
纤企业以及整个行业的发展都是很有必要的。在这种形势下,
国际电信联盟组织ITU-T 第15研究组于2006年10月30日到11月10
日在瑞士日内瓦召开了SG15 2005-2008研究期第4次全会,并
对多项光纤光缆标准进行了修订。光纤光缆标准方面最引人注
目的成果就是通过了G.657新标准[1]。该新标准的标题是《用
于接入网的对弯曲损耗不敏感的单模光纤及光缆特性》
(《Characteristics of a Bending Loss Insensitive
Single Mode Optical Fibres and Cables for the Access
Network》)[2]。
无论是光纤、光缆生产厂家还是网络安装公司以及通信运
营商,都对该光纤新标准以及该新型光纤的发展有着极大的兴
趣。本文首先简单介绍ITU-T新标准 G.657的发展过程和G.657标
准的特点;然后比较G.657A与G.657B的区别;也对G.657A与G.
652D在光纤指标方面进行了全面比较,使读者对G.657能有更多
的了解。
二、G.657标准的发展背景及过程
据英国电信(BT)最新几年来的研究[3],当光纤遭受过于
严重的弯曲时,光就会从纤芯泄漏到涂覆层中,一些光被吸收
并转换成热能。如果涂覆材料遭遇到足够高的光功率,就会转
变为一种高度吸收性的材料,从而使温度急剧上升到600 °C以
纤断裂,在最严重的情况下,涂覆材料将会燃烧,该现象称为
催化性损坏,也会发生在FTTH-PON系统中。解决该问题的最有
吸引力的长期策略是要求光纤制造者开发新型光纤,这可以通
过降低弯曲损耗和改进涂覆材料性能来达到。自2002年以来,
抗弯曲光纤研究就成为光纤通信领域的热点之一。
在2005年5月瑞士日内瓦召开的ITU-T会议上,Draka Comteq
公司提出开发对弯曲损耗不敏感的用于FTTH的单模光纤新标准
的议案。2006年2月6-17日,ITU-T第15研究组在瑞士日内瓦召开
了2005-2008研究期的第3次全体会议。该次会议讨论了接入网
光纤标准,计划开发的2个新建议。其1是规范用于接入网的单
模光纤光缆特性,临时文件号码是ITU-T G.smx;就是现在刚刚
通过的G.657;其2是 ITU-T G.mmx,规范用于接入网的50/125 -
GI多模光纤光缆特性,尚在进行中。
Draka Comteq 公司的Dr. Piet Matthijsse 担任该G.657
标准草案的编辑。据报道,该标准草案提出的光纤性能要求新
光纤的宏弯损耗比现有G.652的改善10~100倍。这类新光纤的
微弯特性也有所改善,有意放松了对于FTTX布线时路由的限
制。考虑的新光纤包括G.652 型的,也包括非G.652型的。当初
预计将在2006年底完成。现在,由于业界对于FTTH的推动,促
进了标准的提前通过。许多运营商已经计划了FTTH。运营商希
望全世界的光纤厂家立即按照G.657新光纤建议/标准生产光
纤。
三、G.657标准的特点
该标准规定了对弯曲损耗不敏感的单模光纤及光缆特性。
是,在满足G.652D规范的前提下,改善光纤的弯曲损耗特性。
而Class B的特点是,更充分地改善了光纤的弯曲损耗特性;不必
满足G.652D规范,主要考虑用在建筑物内部。
该标准规定的光纤的主要特点就是弯曲损耗低、弯曲直径
小。该标准规定的光纤光缆如同铜线那样柔韧,可灵便地用于
街道、建筑物内和家庭内部的布线,大大地降低FTTH成本。
四、G.657A、B类之间的区别
从标准的范围看,A类适合应用在O、E、S、C和L波段
(1260~1625nm波长范围内),其传输特性和光学特性的要求
同G.652D相似,主要的区别在于为了改善连接特性,G.657A对
弯曲特性和几何尺寸的要求上比G.652D更加严格;B类主要适合
应用在1310 、1550和1625nm波长上进行有距离和空间限制如
楼房内部的信号传输,这种光纤的熔接特性同G.652不同,其能
在较小的弯曲半径下保证具有较低的弯曲损耗。
总体上看,A类要求符合G.652D;B类不要求一定符合G.652
标准。具体差别共有5个方面。
1)MFD标称值范围不同
A类,标称值范围:8.6~9.5 μm,与G.652要求相同;
B类,标称值范围:6.3~9.5 μm,下限超出G.652;
2)宏弯特性不同
B类更严格,参见表1.
用于接入网的对弯曲损耗不敏感的单模光纤
——介绍ITU-T新标准 G.657
烽火藤仓 李海清 李进延 唐仁杰等
● 增加了弯曲半径为7.5mm场合的指标;
● 对于弯曲半径为15、10mm场合的损耗更低。
3)衰减系数不同
● A类的与G.652D同,B类的与G.652D不同;
● B类不规定1383nm的指标,不要求是低水峰光纤;
● B类在1310nm的衰减系数比A类大;
● B类规定了在1625nm的衰减系数指标;
● B类不规定1310~1625nm波长范围的衰减系数最大值。
可见,A类的衰减系数指标更严格,参见表2、表3。
表1. G.657A、B类光纤宏弯特性的比较
弯曲半径(mm)
圈数,
1550nm最大损耗(dB)
1625nm最大损耗(dB)
15 10 7.5
A
10
0.25
1.0
B
10
0.03
0.1
A
1
0.75
1.5
B
1
0.1
0.2
B
1
0.5
1.0
表2. A类的衰减系数
衰减系数
1310~1625nm波长范围的衰减系数最大值
1383nm3 nm的衰减系数最大值
1550 nm衰减系数最大值
0.4 dB/km
0.4 dB/km (按照标准Note 4要求)
0.3 dB/km
表3. B类的衰减系数
衰减系数
1310 nm衰减系数最大值
1550 nm衰减系数最大值
1625 nm衰减系数最大值
0.5 dB/km
0.3 dB/km
0.4 dB/km
4)PMD系数不同
● A类的PMD系数与G.652D同
● B类的待定。
5)色散系数不同
● A类的与G.652D同
● B类的待定。
五、G.657A与G.652D的区别
G.657A是在G.652D基础上的改进,与652D相容。G.657A与G.652D
的主要区别如下:
● 几何尺寸指标提高:芯包同心度由G.652D的±0.6μm提高到
G.657A的 ±0.5μm;
● MFD公差范围由G.652D的±0.7μm提高到G.657A的±0.4μm;
● 宏弯损耗要求提高,弯曲半径从30mm减小到15mm、10mm,参
见表4。
表4. G.657A与G.652D宏弯损耗的区别:
弯曲半径 30mm,100圈
弯曲半径 15mm,10圈
弯曲半径 10mm,1圈
G.657A
无规定
1550nm最大损耗:0.25dB
1625nm最大损耗:1.0dB
1550nm最大损耗:0.75dB
1625nm最大损耗:1.5dB
G.652D
1625nm最大损耗:0.5dB
无规定
无规定
E
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