电脑内存时序

内存时序 举例9-9-9-27，一般1600的条子spd出厂就这么设置的 前面2个9对性能很重要，第2个9又比第1个9重要，比如说 我要超1866或者2133，设置成9-10-X-X基本没有问题，但是 设置成10-9-X-X就开不了机了，很多条子都这样子的，比如说 现在很火的3星金条。 第3位9基本上是打酱油的了，设置成9,10,11都对性能木有太大影响。 第4位数字基本就无视好了，设置21-36对测试都没变化，原来稳定的 还是稳定，原来开不了机的还是开不了。 以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响，现在ddr3了，频率才是王道哦。 2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。当然平时用 是感觉不出来的。 最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装，当年不懂事大价钱买的，就是YY用的， 1.65v上个1866都吃力，还要参数放的烂。 对性能影响最大的是 CL  第一个9对性能影响最大。l第二个9对超频稳定性影响最大 最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在 7-8-6-1666 CR1，77 Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15、DDR3-1066为7-7-7-20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！   土老冒：俺想知道博士所说的5-5-5-18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。 Z博士：这4个数字的含义依次为： CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。 第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。 第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。 第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。   除了这四个以外，在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上，如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上，还支持内存的CMD 1T/2T Timing调节，CMD调节对内存的性能影响也很大，其重要性可以和CL相比。   其实这些参数，你记得太清楚也没有太大用处，你就只需要了解，这几个参数越低，从你点菜到上菜的时间就越快。   土老冒：好吧好吧，俺自己也听得一头雾水，只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问，为什么DDR3内存延迟提高了那么多，Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢？   Z博士：其实DDR3内存的延迟也不仅仅是这么简单。DDR3内存的频率和带宽相比DDR2有了成倍的提升，为了保证高频率下数据传递的精确性，DDR3内存的总体延迟相比DDR2有所提高。这种情况在DDR2替代DDR时也发生过。   之前三星的半导体记忆体产品专家曾指出，片面地认为CL数值大就认为DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。这位专家指出，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5，其记忆体延迟均为15ns。 计算整个内存的延迟需要将颗粒的运行频率计算在内   三星专家表示，要计算整个内存的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，其延迟值应为13.125ns（7*1000/533.33）、12.0ns及11.25ns，相比DDR2改善约25%，因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。   由此看来，CL和延迟值是两个完全不同的概念，CL是指时钟周期，如CL=5，表示CL值为5个周期，而真正意义上的延迟值，是指延迟的绝对时间，单位是ns，频率越高，自然一个周期所用的绝对时间也越短。很多人以为DDR3内存的延迟大大的增加了，但实际上DDR3内存的绝对延迟值相比DDR2却降低了。   土老冒：原来是这么个情况，如此说来DDR3的CL值增加了，但真正意义上的延迟却降低了。 Z博士：而且你也不必担心，尽管JEDEC将DDR3内存的时序设定得很保守，但实力雄厚的内存模组厂商肯定会推出低延迟的DDR3内存，就如同在DDR2时代，尽管DDR2-800内存的JEDEC规定时序为5-5-5-18，但却有DDR2-800 3-3-3时序的内存诞生，尽管它们的价格不菲。 Z博士：其实DDR2升级到DDR3，还是采用了老套路。从DDR到DDR2，采用了4Bit数据预取架构来实现，从DDR2到DDR3，则是采用了8Bit数据预取架构。实际上DDR3-800内存的存储单元频率于DDR2-400一样，仅有100MHz，但由于DDR2采用4Bit预取技术、DDR3采用了8Bit预取技术，它们的频率可以分别达到400MHz和800MHz。   土老冒：听到这里俺又昏了，什么是数据预取技术？ 早在DDR内存时代 数据预取技术就开始应用   Z博士：数据预取技术，即Prefetch，它并不是新技术，早在DDR时代就开始应用。它是在一个时钟周期内，其上行和下行都能够传输数据，因此其传输速率比当时只能通过下行传输数据的SDRAM提高了一倍。它上行传输一位数据，下行传输一位数据，在一个时钟周期内一共传输两位即2Bit数据给北桥，这2Bit数据首先从存储单元取出来，然后在输入/输出时钟上行核下行传输出去，这就是2Bit数据预取技术。   举个不太恰当的例子，数据预取技术可以理解成目前流行的BT下载。以前我们下载东西都是客户端从服务器端下载，而BT下载则是互相的，你在下载数据的同时也上传了数据。   土老冒：原来如此，俺基本上懂点了，博士再详细解释一下DDR3内存的数据预取技术吧。 DDR3内存采用8Bit数据预取技术提升频率 Z博士：到了DDR3时代，数据预取技术发展到了8Bit，一次可以从存储单元预取8Bit的数据，在输入/输出端口处的上行和下行同时传输，8Bit需要4个时钟周期完整，因此DDR3内存的输入/输出时钟频率是存储单元核心的4倍，由于是上行、下行同时传输数据，因此有效的数据传输频率达到了存储单元核心频率的8倍，由此我们也可以知道，DDR3-800内存的存储核心频率其实仅有100MHz，其输入/输出时钟频率为400MHz，有效数据传输频率则为800MHz。 逻辑Bank是由很多个存储单元纵横交错组成的阵列，内存的容量=存储单元总数×存储单元数量。存储单元总数=行×列×逻辑Bank数量，由此可见，内存容量实际上等于（行×列×逻辑Bank数量）×存储单元数量，DDR3为更多的逻辑Bank做好准备，对其内存容量的增加提供了可能 并非所有内存能够有如此的时序优化能力，大部分DDR3 1333的普条最多只能下到CL=7的水平