滑动电阻器 可变电阻器 负载电阻

滑动电阻器 可变电阻器 负载电阻 高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻2011-01-06 15:18日本三垦(Sanken)电气公司与名古屋工业大学联合开发出用AlN/GaN缓冲层缓解因热膨胀系数不同而产生的热应力，进而控制了龟裂的发生。值得指出的是三垦电气在生长缓冲层前，首先对硅衬底进行处理，使硅面上覆以氢(H)，这样就得到了不含氧(O)的、适于"低温缓冲层"生长所需要的清洁平坦的硅表面，并且使发光层内的晶体缺陷密度减少到109个/cm2.高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻 为了降低外延层中的位错密度，选择外延生长工艺也被应用到在Si生长GaN中来，包括横向选择外延和悬重外延生长(PENDEOPITAXY)高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻1998年Guha等人最早采用MBE生长了UV和紫光GaN/AlGaN双异质结(DH)LED.衬底是掺砷的晶向为(111)低阻n型Si.缓冲层为AlN.DH-LED结构为:Si(111)/8nm AlN/n-AlGaN:Si/6nm GaN/p-AlxGa1-xN:Mg/15nm p-GaN.他们发现衬底与外延层之间的晶向关系为:Si(111)/GaN(0001) 和Si 011//GaN 21-10.TEM观测表明8nm AlN已经在Si上形成了厚度均匀的连续薄膜，估计其穿透位错密度高达5×1010cm-2.在P侧使用Ni/Au电极;n电极则从Si衬底面引出。对于300×300mm的管芯，在4.5-6.5V正向电压下开始发光。他们认为较高的工作电压是因为MBE生长的p型掺杂浓度低以及p接触不良所致，而不是由于AlN的绝缘特性造成的。绝缘的AlN中的大量位错可能起了短路电流通道的作用，使载流子从Si侧"漏"过去注入到GaN中。发光波长为360nm(掺Si-GaN有源层)和来自深能级的420nm峰(未掺录像机GaN有源层)。高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻近期的工作大部分都采用InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构，生长方法包括MOCVD和MBE以及两者的结合，主要采用MOCVD.发射波长已扩展到蓝、绿光。Yang等人先用MBE方法在(111)n+Si衬底上生长AlN缓冲层，然后转移到MOCVD反应室中生长0.2mm厚掺硅n+GaN.接着在Si/(AlN/GaN)上淀积0.2mm厚SiQ2层，用光刻法开出300×300μm的选择外延生长的窗口。然后，再将样品放入MOCVD反应室中连续生长0.5nm-GaN:Si,InGaN/GaN MQW和15nm的p-GaN.在选择外延生长的MQW-LED结构上面采用Pd/Au形成透明电极。n极(Ti/Al/Ti/Au)则从Si衬底面引出。器件的发光波长 为465nm,半高宽为40nm,与MQW的室温PL谱一致。正向开启电压为+3.2V,估计包括来自Si/(AlN/GaN)异质结势垒的0.5V贡献。正向微分电阻是250Ω左右，比他们在蓝宝石上的LED大约大4倍。p型掺杂浓度低，p接触不良以及 微分电阻和来自SiO2的Si反向掺杂可能是电阻增加的原因。AlN/Si界面 Dalmasso等报道了首次用MOCVD方法在(111)Si上生长的绿光(508nm)的LED.其结构为0.5μm-GaN/0.1μ高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻mGaN/InGaN/20nmGaN/7nmp-Al0.15Ga0.85N/0.2μmp-GaN.其输出功率当为20mA时是6mW.德国Magdeburg大学的Armin Dadgar在研制LED时，为了解决龟裂问题采用了两种方法:高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻1、在图形衬底上生长台面结构，接着生长AlGaN/GaN超晶格以控制龟裂的形成和/或位置。对台面结构的LED来说，先在Si(111)上腐蚀出槽，接着淀积AlN缓冲层、15 -GaN层。有源区为3个周期的InGaN/GaN量个周期的AlGaN/GaN超昌格和掺Si 子阱，其上为p-AlGaN和p-GaN层。高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻2、在平面衬底上，淀积AlN缓冲层和n-GaN层后，使用低温AlN应力衬偿层加上氮化硅薄掩膜层。其上再生长n-GaN、3个周期的InGaN/GaN量子阱有源区和p-AlGaN和p-GaN层。这两种方法制备的LED在20mA正向电流下都可以输出150mW的蓝光，这些结果对于Si衬底来说是令人鼓舞的。虽然比在蓝宝石和碳化硅衬底上制造的商品LED低，但已经可以满足一些低功率应用要求。预期随着生长条件和器件个各层的优化，亮度还会提高，然而更大的挑战是进一步解决Si衬底对光的吸收问题。高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻 日本三垦电气公司与名古屋工业大学联合开发的蓝色及绿色GaN LED,虽然现在还处于试制阶段，其光输出功率已经达到了手机背照灯等使用的高亮度量产品的1/5.也就是说已经获得了手机来电提示等用途所使用的通用LED同样的光输出功率，在通信和显示用的低功率光发射器方面的应用引人关注。今后，通过对发光层的改进，量子效率还可以提高到目前的2倍左右。随着技术的改进，可望将开启电压从现在的+4.1V降到+3.5V,并增加功率效率。高压电阻滑动电阻器可变电阻器负载电阻与目前使用的蓝宝石衬底和SiC衬底的GaN二极管(LED)相比，使用硅衬底后GaN LED的制造有成本将大大降低。尽管现在还处于试制阶段，并且在硅上生长GaN难度高，硅还有吸收可见光的缺点，但是Si上生长的GaN LED在低功率应用方面的动向已经引起人们关注。实际上，Si上生长GaN提供了一个更广泛的技术平台，由于硅的高导电和导热特性，除了在 光电器件方面的应用外，在微波和功率电子器件方面也有广阔的应用前景，而 且提供将光发射器与硅电子学集成起来的可能性fmzsw 110106