单结晶体管工作原理

单结晶体管工作原理 www.daikinkt.cn 上海大金空调维修 jkl 无线充电、快速充电等新兴技术的出现，不仅满足了消费者对于充电便捷性的需求，更是吸引了大批电源厂商纷纷加入战局。无线充电何时才能实现规模性应用,移动终端续航难的问题如何解决,本期《电源技术特刊》邀您共同探讨～ 2015年04月17日 深圳市福田区华强北华强集团2号楼7楼 电子研发师面临的PCB设计挑战在不断增加增加:信号完整性(SI)问题，电源完整性(PI)、EMC/EMI以及热分析、可制造性等。本次PCB设计工程师技术大会，力邀国内知名企业顶尖技术专家,邀请行业精英共襄盛会，分享最新研发案例、独门设计技巧。 报名参加 2015年03月27日 深圳市福田区华强北华强集团2号楼7楼 可穿戴设备为主控芯片、智能传感器、无线芯片和电源IC、柔性显示等领域的厂商带来巨大机会。半导体芯片原厂如何借此势头在可穿戴市场占据一席之地,如何促进产业上中下游厂商抱团协作，共同推进产业链协同发展,本次电子发烧友可穿戴设备技术研讨会，全球知名半导体企业代表前来解读～ 报名参加 单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。 。其结构、符号和等效电呼如图在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e 1所示。 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻: rbb=rb1+rb2 式中:rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关;发射结是PN结，与二极管等效。 若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为: VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb 式中:η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2 图2、单结晶体管的伏安特性 (1)当Ve,ηVbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。 (2)当Ve?ηVbb+VDVD为二极管正向压降(约为0.7伏)，PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb (3)随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。 (4)过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve,Vv，管子重新截止。 二、单结晶体管的主要参数 (1)基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。 (2)分压比η由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。 (3)eb1间反向电压Vcb1b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 (4)反向电流Ieob1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。 (5)发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。 (6)峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流