单位:中科院半导体所

单位:中科院半导体所 王占国 单位:中科院半导体所 王占国 Wang Zhanguo 王占国(1938.12.1,)。河南省镇平人。半导体材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As,GaAs，In(Ga)As,InAlAs,InP等量子点(线)(与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。 1995年当选为中国科学院院士。