金刚石的人工合成

null金刚石的人工合成金刚石的人工合成主讲内容主讲内容一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、金刚石 纯净的金刚石是无色、透明、正八面体形状的固体。是天然最硬的物质。加工琢磨后璀璨、夺目有光泽。一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能饰品——钻石玻璃刀刻画玻璃金刚石很硬——切割大理石钻探机钻头一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能 一种深灰色的有金属光泽而不透明的细鳞片状固体。 石墨很软，有滑腻感。在纸上画过能留下深灰色的痕迹。 此外，石墨还具有优良的导电性能。 二、石墨一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能 同一类原子，排列方式不同，所形成的单质不同。金刚石石墨一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能 金刚石晶体属于立方晶系，晶格常数0.3566nm。金刚石的所有优异性质,都得益于它的碳-碳四面体连接的三维网络结构,即中心碳原子以四个sp3杂化轨道与四个邻近的碳原子成键（键长0.154nm,键角109°28′），形成四个σ键。一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能除了作为宝石装饰品外,金刚石广泛运用于精密仪器、磨料、切割工具、钻探、航天和军事等工业领域。一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能金刚石的导热性很好，在常温下，它的导热率是铜的五倍，因此它被用作微波器件和固体激光器的散热片以及能够在高温（500-700℃)、高频、高功率或强辐射条件下稳定工作的大规模集成电路；一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能一、碳碳共价键网络赋予金刚石优异的性能金刚石晶体的电子亲和势小，是理想的场发射阴极材料； 金刚石又是一种宽带隙半导体（Eg=5.5eV）,击穿电压(107V）和饱和电流(2.7x107cm s-1)都远远高于Si, GaAs, InP等常用的半导体材料,结合其优异的高温性能，在微电子领域，基于金刚石的集成电路是现有硅基集成电路强有力的竞争者； 从深紫外到远红外全透明，可应用于巡航导弹红外探测器的窗口; 耐磨性能好,可用于太空梭中的铰链、轴承等活动连接部位。 二、天然金刚石二、天然金刚石1、大自然赐予人类的礼物 早在公元前1000年，人们就发现并知道金刚石很硬。长期以来，她无论是在科学家还是在普通老百姓心目中都占据着重要地位。一直以来，人们都热衷于收藏各式各样的钻石（加工过的金刚石），因为精美华丽的钻石不仅是富贵的象征，更是权利和地位的象征，所以，钻石的价值早已超出了它的实际价格。二、天然金刚石二、天然金刚石科学研究揭示，由碳元素组成的金刚石，竟与自然界最软的物质石墨同宗同祖，只是结构即晶体内原子排列不同。30亿年前，在地壳下面150千米或更深的地幔中,处在高温高压岩浆中的碳，被锤炼成一种特殊结构的、呈八面体等外形的晶体。二、天然金刚石二、天然金刚石火山爆发时，它们夹在岩浆中，上升到接近地时冷却，形成含有少量钻石的原生矿床——金伯利岩。 自然界中天然钻石少之又少，大颗粒钻石更是凤毛麟角。一般说来,人们从1吨金刚石砂矿中，只能得到0.5克拉钻石,所以它们远不能满足人们日益增长的需求。二、天然金刚石二、天然金刚石 2、天然金刚石形成机理探讨 地球里有大量CO2和碳酸盐，并且地球内部是还原性的（远古时还原性更强）,实际上天然金刚石很有可能是CO2或碳酸盐在地球内部合适的地方通过化学还原而形成的，根据合成金刚石的压力和温度条件推断天然金刚石在地表以下30公里左右就能形成。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成由于金刚石具有上述优异性能和用途，加之在自然界中储量极少,开采极为困难,从古到今,金刚石一直被称为“贵族材料”。人们很早就尝试以人工合成来补充天然储量的不足。自从1796年发现金刚石是由纯碳元素组成的晶体后,人类在人工合成金刚石方面才开始了有目标的漫长而艰苦的探索。但直到20世纪中叶,由Simon和Berman通过实验和推测获得了石墨-金刚石平衡相图,才使人工合成成为可能。 三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成　金刚石和石墨的温度-压力相图三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 据说, 1953年瑞士的一个研究组曾经合成了钻石,但没有发表有关结果. 1954年12月8日,美国GE (通用电器)公司宣布H. Tracy Hall等人成功地合成了金刚石, 158年的苦苦探索终于结出了成功的果实,从此人工合成金刚石的产量逐渐超过了天然金刚石的产量. 工业化合成金刚石需要1400℃的高温和5万—10万个大气压的超高压条件,由于合成条件限制,此种方法很难生长大晶体,尽管国外有些报道,但由于条件苛刻未能商业化生产. 对于尖端技术上(如巡航导弹的红外探测器窗口)所用的金刚石,就它的尺寸较大. 而且高温高压方法成本高,设备复杂,尤其是产品颗粒尺寸小、颜色黄,也很难制成宝石级金刚石.三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 目前，主要有两种制备合成单晶金刚石的方法：一种是高温高压法，简称HTHP； 另外一种就是化学气相沉积法，简称CVD。经过几十年的技术改进，虽然高温高压法是人工合成金刚石单晶的重要方法, 但其本身仍存在一些解决不了的问题。CVD法和HTHP法相比的优势是合成的金刚石尺寸在理论上讲不受限制，且合成的金刚石纯度高，因此必将取代现有HTHP 方法而成为单晶金刚石的最佳方法。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成1.1 高温高压（HTHP）法 高温高压法泛指温度超过1500℃，压强超过109Pa 的条件下制备金刚石的方法，国外一般称作温度梯度法，国内称作温度差法，简称HTHP。1967年，美国通用公司（GE）研究小组首次提出HTHP法，经过几年的研究工作，在1971年时，合成出世界上首颗5mm（约1克拉）单晶金刚石（Ib型），其颜色为黄色，整个生长过程中晶体的平均生长速率大约为2.5 mg/h，随后，又研究并制备出了无色（IIa型）和蓝色（IIb型）大单晶金刚石。但是，这并没有实现大批量的生产，首先是由于实验设备较大，其次要想长出再现性比较好的单晶所花费的成本是比较巨大的。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 HTHP法中，目前有两种设备可用以制备金刚石：一种是用六面顶压机，它主要是将石墨相的碳转化为金刚石相的碳；另外一种设备是两段式分球压机设备，它是由前苏联科学家Boris Feigelson 等人在90年代初研制开发的。 就目前的HTHP法生长技术而言，要想合成大颗粒单晶金刚石还需要经历一段时间，一般也就只能合成小颗粒的金刚石， 而在大单晶金刚石合成技术上，实验人员采用的是晶种法，即在更高压力和温度下（6000 MPa，1520 ℃），经过数天的生长，种子颗粒大小就可以达到几个毫米宝石级金刚石， 其重量达到约几个克拉。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 目前工业上主要还是利用HPHT法制备单晶金刚石，其最大优点是制造较简单，金刚石的生长速度快，通常在10～20 min 内就能合成出 1 mm 以下的金刚石单晶，从而满足各种工业需要。随着生长技术的发展，现在通过控制成核可以生长出粒径达 2 mm 的金刚石。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 但HTHP 法也有不足之处：如制备的单个颗粒尺寸较小, 不能有效地进行重复生长,难以进行半导体掺杂, 设备的不稳定性导致不能合成比较大尺寸的单晶，实验过程中的参数难以控制；另外HTHP 法合成的单晶金刚石中还会带有一些杂质，如触媒、金属催化剂中的属颗粒等；长时间的高温高压对设备的要求极为苛刻， 由此产生了巨大的生产成本； 而且用目前HTHP 制备合成的金刚石的尺寸限制了金刚石作为功能材料的大规模应用，其尺寸仅仅最大也就能做到几个毫米。 三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 因此一种新型生产金刚石的方法自然被开发出来，使金刚石的那些优异性可以得到充分体现，这种方法就是化学气相沉积法。 三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成1.2 化学气相沉积法 化学气相沉积法（CVD）主要利用的是在高温空间（也包括在基板）以及活性化空间中发生的化学反应。制备金刚石所用到的气体原料一般为甲烷和氢气，通过在高温条件下激发使气体发生分解，生成含碳基团的活性粒子， 并最终在基片材料上沉积出金刚石膜。制备单晶金刚石的方法主要有微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）、热丝化学气相沉积法（HFCVD）、电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积法（ECRWPCVD）、直流等离子体喷射化学气相沉积法（DC）和燃烧火焰化学气相沉积法等。下面介绍其中的几种方法。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成1.2.1 燃烧火焰法 燃烧火焰也是一种等离子体，其也有两种形式的装置：一种通常是用于开放式的火焰；另一种适用于腔体的火焰,其电子密度在106～108 cm-3；电子能量在0.05～1 eV 范围内。火焰法采用本生式燃烧，即在碳源气体中预先混合氧气，再进行扩散燃烧。只要氧气适量，就能形成由焰心、内焰（还原焰）、外焰（氧化焰）构成的本生火焰。这样，选用适当的材料作为基板，将基板设置在内焰中，并保持一定的温度，内焰等离子体中形成的部分碳的游离基团（如C2等）就可以在基板上生长出金刚石。虽然燃烧火焰法不适宜外延高品质、大尺寸的单晶金刚石膜，但作为一种研究手段，还是简捷易行的。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成1.2.2 热丝CVD（HFCVD）法 热丝化学气相沉积法是利用高温（2200℃左右）热丝（钨丝或钽丝）将CH4和H2混合气体解理激发，得到大量反应粒子、原子、电子离子，反应粒子混合后并经历一系列复杂化学反应到达基体表面，经过吸附和脱附进入气相，扩散到基体近表面并徘徊至合适反应点，达到适宜条件，沉积为所需物质的方法。 热丝化学气相沉积对本底真空压强的要求相对要高，其腔体内的真空环境配置了一台旋转式机械泵，并且对进行反应的各种混合气体是严格控制的（气体流量单位为标准每立方厘米每分钟，简称SCCM）。还配有一微量流量计用以来监控并维持真空腔体内的反应压力变化，反应时，其工作压强一般为3.0～5.0 kPa，同时，对基片进行加热，升温至700～900 ℃。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成一片薄的Si或Mo片被放置于基片台的加热器上，在离基片几个毫米的上方放置着热丝。当其工作时，热丝会被加热，其温度会升达到2200 ℃。一般选用的热丝材料为钨和钽，因为它们能够承受高温并且一般是不会与通入的原料气体发生反应的，但是如果通入的是含碳气体，那么热丝表面会被碳化并最终生成金属碳化合物。碳化物的生成导致热丝变脆，缩短了它们的使用寿命，并导致热丝的使用周期缩短。相比而言，HFCVD装置较便宜，且容易操作，能够沉积出质量比较高的多晶金刚石，其平均生长速率约为1～10μm/h。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 然而，HFCVD 也存在一定的缺点，如热丝容易被氧化并被腐蚀性气体所腐蚀，这就决定了参与反应的原料气体的种类；又因为热丝是金属材料，造成金刚石膜的污染也必不可少。如果制备的金刚石薄膜是用于机械加工行业，一些金属掺入的污染并不是致命的问题，但若是应用于微电子或光学窗口领域，这种问题将是不可以被接受的。如果要提高金刚石薄膜的生长速率并实现一定取向的生长，热激发所产生的密度不高的等离子体是不够的，还要通过施加偏压来改善。 三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成1.2.3 微波等离子体（MPCVD）法 微波等离子体CVD法沉积金刚石膜的方法被认为是一种理想的沉积金刚石的方法，其原理为：在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，直到达到辉光发电，产生更高密度的等离子体的产生。在反应过程中原料气体电离化程度达到10%以上，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石膜的沉积质量得到改善。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 MPCVD法制备金刚石膜具有许多优点，如反应过程中无电极，就不会发生HFCVD 法中因金属丝蒸发、游离到沉积的金刚石表面，而产生污染问题；直流等离子喷射CVD法中，在电弧的产生过程中，点火和熄灭所引起的热冲击非常容易造成金刚石从基片表面脱落；微波激发的等离子体，其电离密度较高等，因此MPCVD法是众多CVD 法制备金刚石膜中研究者们的首选。 MPCVD方法制备的金刚石在成核、结晶及生长特性方面与传统的热丝化学气相沉积（HFCVD）方法有着基本类似的规律。但对其生长速率而言，比HFCVD法要慢，一般只有0.5～1.0 μm/h。但是，由于MPCVD 方法所制备的金刚石膜有着以上叙述的优点， 所以一度成为研究学者们制备高品质金刚石薄膜的主要方法。由此装置可以制备出面积较大、晶体良好、杂质少、比较纯净的高质量金刚石薄膜。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 MPCVD 法被认为是最理想的生长单晶金刚石的方法，所以国内外许多人都在进行研究。通过改变工艺条件如：气体流量、样品的预处理、掺入气体等都会对制备的单晶金刚石的尺寸及速率产生影响。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 通过以上各种方法的介绍可以看出，CVD法相对HTHP法而言主要的优势如下：1）金刚石纯度高。在HTHP法中，因为金刚石是在一个经高温处理后熔融的触媒里生长的，其晶格中不可避免的会掺进构成触媒的金属原子。而在CVD法中，通入腔体的原料气体的纯度一般会很高， 所以生成高纯度的金刚石膜是有可能的。2）理想情况下可以将金刚石膜的尺寸面积做大。CVD的反应装置是一个配有真空系统的谐振腔体，将腔体无穷的走向大型化是有可能的。目前用CVD法制备大尺寸的单晶需要选用同样大尺寸单晶作为晶种， 原则上所制备的膜会和所提供的晶种大小一样。一旦谐振腔能够做到一定的尺寸，所制备的膜的尺寸也会相应扩大，而且可以有效地减低生产成本， 实现多颗单晶的同时生长。三、金刚石人工合成三、金刚石人工合成 然而，对于HTHP法，要想将金刚石的颗粒做大就必须生产出更大的高温高压腔体，意味着需要制造更大的压机， 这就不可避免的造成了生产成本的巨大投入。在20世纪80年代初实验人员开始利用CVD法生长多晶金刚石膜的研究以来, 经几十年的技术改进, 许多难关都已经得到了突破，相关技术也十分成熟。同时,人们也开始了CVD法制备更高质量的金刚石的工作，也就是研究单晶金刚石,但由于经验和技术相对不成熟，并且和生长多晶有许多相似之处, 因而CVD 制备单晶的研究工作并未取得很好的成就, 平均生长速率基本维持在10 μm,也还无法将CVD 金刚石在一个比较短的时间和低成本投入上制备成大尺寸。四、影响金刚石晶体生长的主要因素四、影响金刚石晶体生长的主要因素金刚石晶体的生长速度取决于以下几个方面： 1、内因上与碳原子的活化速度和碳原子的活化浓度的大小、活化的碳原子相互结合堆积成金刚石晶核或晶体的速度的大小（堆积速度）、已堆积成金刚石晶核或晶体的碳原子挣脱了晶体内其他碳原子的束缚而重新变成活化碳原子的速度的大小（熔蚀速度）有关。在晶体内部结构有缺陷或含杂质的地方内势能微弱，极易发生熔蚀现象。因而，晶体熔蚀的结果是去劣存优，使晶体结后更加完整。 四、影响金刚石晶体生长的主要因素四、影响金刚石晶体生长的主要因素 2、外因上与温度、压力、环境中有害杂质浓度、以及媒介物质的有无等有关。内因决定外因，外因通过内因而起作用。 温度不变的情况下，组分浓度越高，晶体的原子堆积速度越快，其生长速度也越快。对于金刚石而言，它的生长速度与活化的碳原子的浓度具有极其密切的联系，活化的速度越快，活化的碳原子浓度也越高，金刚石的生长速度也越快。 四、影响金刚石晶体生长的主要因素四、影响金刚石晶体生长的主要因素 碳原子的活化需要能量，在一定的温度范围内，升高温度可以提高活化速度，同时活化碳原子浓度也大大提高。因而，适当升高合成温度，可以加快金刚石晶体的碳原子的堆积速度。但是，温度的升高，也加剧了晶体内碳原子的动能，使得晶体内碳原子挣脱相互间的键力而重新回到活化原子状态。 当碳原子的堆积速度和熔蚀速度相等，晶体处于动态平衡状态。动态平衡有利于晶体排除杂质，使金刚石晶体内部结构更加完整，有利于优质晶体的形成。 四、影响金刚石晶体生长的主要因素四、影响金刚石晶体生长的主要因素 压力的大小可以改变原子的内势能，从而影响碳原子的活化能、堆积速度、熔蚀速度。在温度不变的情况下，增大压力，也增加了碳原子的内势能，使碳原子间的引力增大，不易与活化，既可以降低活化速度。压力的增大，同时也增大了活化原子的势能，使活化的碳原子易于结合，即增大压力可以增大碳原子堆积金刚石晶体的速度。同时，金刚石晶体的碳原子也不易重新转化为活化原子。总的来说，在一定范围内增大压力，即是增大了晶体的生长速度。四、影响金刚石晶体生长的主要因素四、影响金刚石晶体生长的主要因素 媒介物质的有无对金刚石的生长至关重要，它起到了降低生长条件的作用。好的媒介物质有着与金刚石晶体极其相似的微观结构，在高温高压条件下，熔融的触媒微粒作为晶核吸引活化的碳原子按照其自身的结构附着其上而生长，因此，触媒结构的好坏，直接影响产品的质量。在没有触媒时，活化的碳原子在正常情况下其内势能非常小，吸引力也非常弱，形成晶核异常困难，若要形成晶核，就需要更高的压力和温度条件。就目前的普通生产设备而言，还难以实现。因而，工业生产金刚石必须有触媒的存在。五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展研究人员采用HPHT法生长的单晶金刚石已经取得了一定的成果。其中日本住友电工的成就达到了目前世界最高水平。他们可以利用HPHT法合成出尺寸较大的金刚石单晶。首先，他们能够使得晶体的生长速率得到大幅度的提高， 如使用大尺寸的黄色单晶作晶种，其生长速度由最初的2～2.5 mg/h 提高到12～15 mg/h；而对于无色的大单晶，其生长速度由1～1.5 mg/h 提高到6～7 mg/h，生产过程中必须精确控制触媒成分和温度压力等参数条件。目前，他们所生产的优质IIa 型单晶最大尺寸能够达到10mm（直径），并且大幅度改善金刚石的结晶性能。他们合成的IIa 型金刚石杂质缺陷， 比天然金刚石的晶体缺陷还低，仅仅为0.1×10-6。目前住友电工比较成熟的技术是大批量生产7～8 mm 以下的黄色大单晶，而5 mm 以下的黄色大单晶的制备更加成熟。五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展 De Beers公司在用HTHP法合成大单晶金刚石的技术上，所生产出的Ib型单晶在质量和颗粒大小上与住友电工的产品难分伯仲。 Novatek公司也能够成功的对所制备出的金刚石进行变色处理，同时使得大单晶金刚石的性能和合成技术得到进一步优化，其中，粉红色或蓝色的变色处理的技术已经相当成熟。 目前，世界上美国、南非、瑞典、德国、日本、中国和印度等近20个国家都有HTHP方法合成人造金刚石的技术。而其中大多数国家主要是进行一些研究工作和小批量的生产，并且主要是以生产金刚石粉为主。五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展 2006年我国人造金刚石的年产量在50亿克拉（1 000 t）以上。到2009年，年产量达到了70亿克拉，占世界总产量的90%。其用来生产金刚石的主要设备是国产六面顶压机。 近十年来，由于拥有我国自主知识产权的六面顶合成压机的大型化（压机缸径由最早的260 mm，发展现在的650 mm、750 mm、1 000 mm；压机单缸压力由原来600 t、800 t，发展到现在的3320 t（650 mm 缸径）到7850 t（1000 mm缸径）。国内产量比较大的金刚石生产厂家有河南的黄河旋风，中南金刚石等公司。五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展 然而要想实现单晶金刚石的高速率、大颗粒的制备，MPCVD法就成为了第一选择。目前国外用CVD技术制备单晶金刚石颗粒，并已经将其成功用于商业应用的是位于美国Boston的Apollo公司，该公司从2000年开始研究CVD法制备大颗粒单晶金刚石，2003年已经成功制备出0.25克拉的单晶CVD 金刚石。1998年，美国的卡内基地质物理实验室开始对CVD法合成单晶金刚石的技术进行研究。经过数十年的实验探索和研究工作，于2004年时成功合成出一颗对角长10 mm,厚4.5 mm的褐色金刚石单晶, 生长速率在100～300μm/h之间。然后进行了变色处理， 利用高温高压的条件将褐色变成为了无色。 2005年，法国的Geophysical实验室报道，用CVD法制备出10 克拉的单晶金刚石，生长速度达到100μm/h。在这些方法中，都使用的高质量的金刚石单晶作为生长的基底，同时为了控制CVD金刚石的外延，将基底材料进行了精确的切割和研磨。五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展 中国河南普莱斯曼金刚石科技有限公司的一个金刚石项目在国内首次采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积方法，利用2.0 mm×2.0 mm×1.0 mm的籽晶外延生长，获得了3.0 mm×3.0 mm×1.0 mm的高纯度单晶金刚石，尺寸和纯度指标均处于国内领先水平。本项目的完成将是CVD法制备单晶金刚石的有益探索，并且为制备更大尺寸、更高品质的单晶金刚石提供了设备和工艺基础。 国内在合成单晶金刚石的研究上和国外存在着很大的差距。近些年来，受到国家的大力支持，我国在金刚石合成方面取得了一定的成就，例如武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室的研究工作。五、国内外研究成果及最新研究进展五、国内外研究成果及最新研究进展 2008 年，实验室满卫东教授等为了研究沉积温度对同质外延的金刚石表面形貌的影响，通过不停的改变反应功率从而使得反应温度发生相应的变化，最终在一合适温度下修复了一颗表面有裂缝的天然金刚石单晶，其生长速率大约为10.3μm/h。 2009年，满卫东等通过对O2流量的控制，同质外延了单晶金刚石，其尺寸为1000μm 左右、生长速率约为10μm/h。 2010年，满卫东又选择HPHT金刚石籽晶、CVD异质形核生长的金刚石衬底和Ia 型天然金刚石衬底作为基底材料对金刚石做了外延研究。实验结果表明基底材料直接影响了外延金刚石单晶的质量，所选的3个不同生长条件的衬底中，只有以天然金刚石籽晶作基底材料时才能够外延出了高质量的单晶金刚石。 2011年，他又以大约50 μm/h的速率合成了尺寸500μm左右的单晶金刚石。Thank you!Thank you!Questions are warmly welcomed!