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LED发光二极管由哪些结构组成?

2013-05-07 2页 pdf 364KB 29阅读

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LED发光二极管由哪些结构组成? G ettingthe R ootO fM att er 追 讯溯 源 > > > L E D 发光= 极管 由哪些 结构组成 ? I E D streetlighthas a huge m arket, and the technology needs L — to be im proved continuously I E D L a m p(1ed 灯)主要 由支 _ 架 、 银胶 、 晶 片 、 金线 、 环 I一 氧树脂五 种物料所组成 。 一 、 支架 : 1 】、 支架的作用 : 用 来导 电和 支...
LED发光二极管由哪些结构组成?
G ettingthe R ootO fM att er 追 讯溯 源 > > > L E D 发光= 极管 由哪些 结构组成 ? I E D streetlighthas a huge m arket, and the technology needs L — to be im proved continuously I E D L a m p(1ed 灯)主要 由支 _ 架 、 银胶 、 晶 片 、 金线 、 环 I一 氧树脂五 种物料所组成 。 一 、 支架 : 1 】、 支架的作用 : 用 来导 电和 支撑 。 2 ) 、 支架 的组 成 : 支 架 由支架素材经 过 电镀 而 形 成 , 由里 到 外是素材 、 铜 、 镍 、 铜 、 银这五 层 所组 成 。 3 )、 支架 的种类 : 带杯支架做聚光 型 , 平头支架做 大角度散光型的L am p。 A 、 2002杯/平 头 : 此种 支架 一 般做 对 角度 、 亮度要 求不 是 很高 的 , 其 100 g闭 6/2009 IW W W . cn — zgzm . com P in长 比其他支架要短 10m m 左 右 。 P in间 距 为2 . 28m m 。 B 、 2003 杯/平头 : 一 般 用来做 审5 以上 的L a m P 。 外 露 P in - E 为 + 29 m m 、 一 27m m 。 P in间距 为2 . 54 m m 。 C 、 2004 杯 /平 头 : 用 来做 审3 左 右 的L am p, P in长及 间距 同2003 支架。 D 、 2004 L D /D D : 用 来做蓝 、 白 、 纯绿 、 紫色 的L a in P , 可 焊双 线 , 杯较 深 。 E 、 2006 : 两 极均 为平 头型 , 用 来 做 闪烁 L am p, 固 IC , 焊多条线 。 F 、 2009 : 用来做双 色 的L a m P , 杯 内可 固两颗 晶片 , 三 支pin脚控制极性。 G 、 2009 — 8/3 009 : 用来做 三 色 的 L a m P , 杯 内可 固 三 颗 晶 片 , 四 支 P in 脚 。 二 、 银胶银 胶的作用 : 固定 晶片和 导 电的作用 。 银胶 的主 要 成份 : 银粉 占 75 — 80% 、 E P Q X Y (环 氧树脂 )占10 — 15 % 、 添 加剂 占5 — 10% 。 银胶 的使 用 : 冷藏 , 使 用前需解 冻并充分搅拌均匀 , Getting the Root Of Matter追根溯源 >>> 因银胶放置长时问后 ,银粉会沉淀。如 不搅拌均匀将会影响银胶的使用性能。 三、晶片 (Chip):发光二极管和led芯 片的结构组成 1)、 晶 片 的 作 用 : 晶 片 是 LEDLamp的主要组成物料,是发光的半 导体材料。 2)、晶片的组成:晶片是采用磷化 镓 (GaP)、镓铝砷 (GaAIAs)或砷化 镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN)等材料组 成,其内部结构具有单向导电性。 3)、晶片的结构: 焊单线正极性 (PIN结构 )晶片,双线晶片。晶片的尺 寸单位:mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其 焊垫形状有圆形、方形、十字形等。 4)、晶片的发光颜色: 晶片 的发 光颜 色 取决 于 波长 , 常见 可见 光的分 类 大致 为 :暗 红色 (700nm)、深红色 (640—660nm)、 红色 (615-635nm)、琥珀色 (600— 61Onm)、黄色 (580—595nm)、黄 绿色 (565—575nm )、纯绿色 (500— 540nm )、蓝色 (450—480nm)、紫色 (380—430nm)。白光和粉红光是一种光 的混合效果。最常见的是由蓝光+黄色 荧光粉和蓝光+红色荧光粉混合而成。 5)、晶片的主要技术参数: A、晶片的伏安特性图: 8、顺向电压 (VF):施加在晶片 两端。使晶片正向导通的电压。此电压 与晶片本身和测试电流存在相应的关 系。VF过大,会使晶片被击穿。 C、顺向电流 (1F):晶片在施加一 定电压后,所产生的正向导通电流。lF 的大小 ,与顺向电压的大小有关。晶片 的工作电流在10—20mA左右。 D、逆向电压 (VR):施加在晶片 上的反向电压。 E、逆向电流 (1R):是指晶片在施 加反向电压后 ,所产生的一个漏电流。 此电流越小越好。因为电流大了容易造 成晶片被反向击穿。 F、亮度 (I V):指光源的明亮程 图3 度。单位换算:1cd=1000mcd G、波长:反映晶片的发光颜色。 不同波长的晶片其发光颜色也就不同。 单位:nm H、光 :是 电磁波 的一 种。波长 在0.1mm一1Onm之电磁波称为光。光 可分为:波长大于0.1mm称为电波 : 760nm一0.1 nm叫红夕 光 ;380nm一 760nm叫可见光;10nm一380nm叫紫外 光;波长小于10nm的是X线光。 四、金线 :金线 的作用 :连接 晶 片PA D(焊垫 )与支架 ,并使其能够 导通。金线的纯度为99.99%Au;延伸 率为2-6%,金线的有:0.9miI、 1.0miI、1.1mil等。 五、环氧树脂 :环氧树脂的作用: 保护LamP的内部结构 ,可稍微改变 LamP的发光颜色 。亮度及角度 ;使 Lamp成形。目 层 层 N电极
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