高分辨1

null第二章 TEM高分辨像第二章 TEM高分辨像分析null前言 质厚衬度 衍射衬度 相位衬度衍射衬度和相位衬度衍射衬度和相位衬度晶格像和结构像晶格像和结构像null1－薄试样 2－成像束 3－消像散 4－离 焦一、成像方法null5－10nm2－多束离焦量null晶格像结构像二、高分辨像种类－成像束选择晶格条纹微晶的晶格条纹微晶的晶格条纹SiC二维晶格像SiC二维晶格像SiC二维晶格像SiC二维晶格像α－SiN结构像α－SiN结构像β－ SiN结构像β－ SiN结构像三、试样厚度的影响 Si晶体－[110]的高分辨像随厚度变化三、试样厚度的影响 Si晶体－[110]的高分辨像随厚度变化[1nm － 86nm ] / 5nm波振幅随厚度变化 －Si晶体[110]入射 波振幅随厚度变化 －Si晶体[110]入射 波振幅－厚度变化 β－ SiN结构像波振幅－厚度变化 β－ SiN结构像β－ SiN结构像随厚度的变化β－ SiN结构像随厚度的变化400KV B=[100] Δ f＝45 2nm/档 1nm－11nm四、离焦量的影响 －Si晶体[110]入射四、离焦量的影响 －Si晶体[110]入射高分辨像随离焦量变化 －Si晶体[110]入射高分辨像随离焦量变化 －Si晶体[110]入射β－ SiN结构像随离焦量的变化β－ SiN结构像随离焦量的变化结构像衬度反转400KV t＝3nm 10nm/档 －40nm－－70nmnullScherzer条件nullΔfnull高分辨成像的数学描述高分辨成像的物理过程（波函数－复平面）五、高分辨模拟像 模拟基础nullnullnull模拟程序： β－ SiN结构像模拟像β－ SiN原子排列β－ SiN原子排列α－SiN模拟像α－SiN模拟像α－SiN 原子排列α－SiN 原子排列六、特殊像 Au3Cd有序结构衍射花样六、特殊像 Au3Cd有序结构衍射花样Au3Cd合金结构模型Au3Cd合金结构模型Au3Cd高分辨像－厚度变化 Cd：b、d－j亮点，q－u反转Au3Cd高分辨像－厚度变化 Cd：b、d－j亮点，q－u反转非晶高分辨像非晶高分辨像七、高分辨的标注 －花样和标尺七、高分辨的标注 －花样和标尺晶格像：给出晶面指数（面间距）晶格像：给出晶面指数（面间距）结构像：给出结构单元和原子（团）位置结构像：给出结构单元和原子（团）位置九、消像散 有像散的非晶高分辨像九、消像散 有像散的非晶高分辨像非晶高分辨像 a）欠焦 b）正焦 c） 过焦非晶高分辨像 a）欠焦 b）正焦 c） 过焦null傅氏变换－消像散null八、试样制备：5－10nm 金属：电解抛光 非金属：离子减薄 粉末：直接－包埋 界面：切片－堆跺nullnull练习： 直径为0.5mm的金属丝层镀附有异种金属，镀层厚度约200nm。 研究镀层的组织、结构、亚结构、同基体的结合界面，用什么方法？写出制备试样的基本步骤。