日朗焊机——逆变电焊机原理详解图

日朗焊机——逆变电焊机原理详解图 主电路电气原理图 主控制板电器原理图: 2 逆变触发电路图: 3 脉冲及时序板原理图: 本机采用三相交流380V电压经三相桥式整流、滤波后供给以新型IGBT为功率开关器件的逆变器进行变频(20KC)处理后，由中频变压器降压，再经整流输出可供焊接所需的电源，通过集成电路构成的逻辑控制电路对电压、电流信号的反馈进行处理，实现整机闭环控制，采用脉宽调制PWM为核心的控制技术，从而获得快速脉宽调制的恒流特性和优异的焊接工艺效果。 4 IGBT逆变电焊机工作原理及输出特性 这里介绍的逆变器(见图)主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。--拓普电子 1.电路图 2.工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生器(见图3) 这里采用六反相器CD4069 构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善 图3 5 由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为:fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路。 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大 振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用 TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4图4 所示。 MOS场效应管电源开关 电路。 这是该装置的核心，在 介绍该部分工作原理之 前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也 被称为MOS FET， 既 Metal Oxide 图5 Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管 其源极和漏极则接在P型半导体上。 我们知道一般三极管是由输入的电流 控制输出的电流。但对于场效应管， 其输出电流是由输入的电压(或称电 场)控制，可以认为输入电流极小或 图6 没有输入电流，这使得该器件有很高 的输入阻抗，同时这也是我们称之为 场效应管的原因。 6 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极，N端接负极)时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N型 半导体端运动，从而形成导通电 流。同理，当二极管加上反向电压 (P端接负极，N端接正极)时， 这时在P型半导体端为负电压，正 电子被聚集在P型半导体端，负电 子则聚集在N型半导体端，电子不 移动，其PN结没有电流通过，二 极管截止。 图7a 图7b 对于场效应管(见图7)，在 栅极没有电压时，由前面可知， 在源极与漏极之间不会有电流流 过，此时场效应管处与截止状态(图 7a)。当有一个正电压加在N沟道 的MOS 场效应管栅极上时，由于电 场的作用，此时N型半导体的源极图8 和漏极的负电子被吸引出来而涌向 栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b)，从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。 下面简述一下用C-MOS场效应管(增强型MOS 场效应管)组成的应用电路的工作过程(见图9)。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和 一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使 用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管 导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电 平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源 地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N 沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其 相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我 们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的 7 影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关 断电压略有不 同。也正因为 如此，使得该 电路不会因为 两管同时导通 而造成电源短 路。 由以上 分析我们可以 画出原理图中图10 MOS场效应管 电路部分的工作过程(见图10)。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。 3.制作要点 电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管(2SJ471)最大漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N 源极间电阻为7毫欧，沟道MOS场效应管(2SK2956)最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏- 此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器 (100mm×100mm×1 7mm)上的位置分布 和接法。尽管场效应 管工作于开关状态 时发热量不会很大， 出于安全考虑这里 选用的散热器稍偏 大。 图11 8 图12 图13 4.逆变器的性能测试 9 测试电路见 图14。这里测试 用的输入电源采 用内阻低、放电电 流大(一般大于 100A)的12V汽车 电瓶，可为电路提 图14 供充足的输入功 率。测试用负载为 普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。 其测试结果见 电压、电流曲 线关系图(图 15a)。可以看 出，输出电压 随负荷的增大 而下降，灯泡 的消耗功率随 电压变化而改 图15a 图15b 变。我们也可 以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算。以负载为60W的电灯泡为例: 假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω，所以在电压为208V时， W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时，输入电流为10A。此时输出电压为200V。逆变器电源效率特性见图15b。图16图16、17 为逆变器连续100W负载时，场效应管的温升曲线图。图17为不同负载时输出波形图，供大家制作是参考。 10