SRAM&DRAM区别

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积 优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率 SRAM:同步随机存储器 （一般用于嵌入式处理器的内存）S:synchronous DRAM:动态随机存储器（很少用了） D：dynamic SDRAM：同步动态随机存储器（很早的内存） DDR SDRAM (双沿触发SDRAM,示一个时钟周期触发两次) DDR2 SDRAM (现在的主流，比第一代增加内部倍频，这个很少人知道) DDR3 SDRAM （第三代DDR，进一步增加了内部倍频，改善了寻址方式） （1）从存储机理来看：         DRAM，动态随机存取存储器，利用的是触发器的记忆功能，需要不断的刷新，才能保存数据。 而且是行列地址复用的，许多都有页模式。         SRAM，静态的随机存取存储器，利用的是电容中电荷的有无，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。 （2）从芯片结构看：         DRAM存储阵列为多页面结构，地址线为行地址和列地址分别传送，由行选通(RAS)信号和列选通信号控制。数据线分为输入和输出，WE有效为写，无效为读。         SRAM内部由存储矩阵、地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。 （3）从应用方面看：         SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。         DRAM的应用比SRAM要广泛，结构较SRAM要简单许多，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势 。 总线低功耗动态随机存储器（LPDRAM）