太阳能电池片各参数异常的分析
电池片各参数异常的原因
Isc偏低的原因:1、绒面较差光反射率较大;,,
,2、扩散方块电阻偏低磷掺杂过多;,,,3、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽 ,
, 等现象电流不能被有效地收集;,,
,4、烧结炉温度出现较大波动;,
1. 容易理解。 2. 重掺杂会加大表面复合
3. 容易理解
4. 烧结不好引起欧姆接触不好,致使串联电阻增大
Voc偏低的原因:1pn、绒面较差扩散结不均匀;,,
,2、扩散方块电阻偏高无法形成有效的电势差;,, ,铝浆型号用错;,,
,,3、丝网印刷第二道铝浆搅拌不均匀;,,
,,印刷重量偏低;,,
,1. 方块电阻不均匀,结深高低不一致,烧结Ag电极渗透中,有的地方接触不好,有的地方可能过4、烧结温度出现波动;,
烧
2. 即掺杂太少 3.
Rs偏高的原因:1、绒面较差电极接触不均匀;,,
,2、扩散方块电阻偏高接触电阻增大;,, ,3、丝网印刷第三道出现虚印、断线接触电阻增大;,,
,4、烧结炉温度出现较大波动;,
Rsh偏低的原因:,
,
1pn、绒面较差扩散结不均匀;,,
,2pn、扩散方块电阻偏高结过浅;,,
,未完全刻蚀边缘漏电;,,,3、刻蚀,, 过度刻蚀结被破坏;,pn,,
,硅片表面被浆料污染(尤其是铝浆污染)结被破坏;,pn,,4、丝网印刷,,漏浆上下电极发生短路,产生漏电;,,,
5pn、烧结温度过高结被破坏;,,,
1(
2(扩散方块电阻偏高,即扩散掺杂浓度低,导致内建电场偏低,耗尽区电阻变小 3. 未完全刻蚀必然导致边缘漏电,容易理解;过度刻蚀导致并联电阻降低,是因为PN结所占的横截面积变小,所以耗尽层总电阻变小。
4. 铝浆在N区的扩散会破环PN结,因为它是受主杂质。正面滴落的铝浆,有可能在烧结过程中扩散穿过PN结,导致PN结被破环发生短路。如果硅片边缘附有漏浆,可直接引起边缘漏电。 5. 烧结温度太高,可导致Ag的扩散太大,以致穿过PN结,直接导致短路
FF偏低的原因:
1RsRs、偏高(参考偏高的产生原因);, ,2RshRsh、偏低(参考偏低的产生原因);,