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内存芯片容量表

2018-08-12 7页 doc 38KB 29阅读

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内存芯片容量表内存芯片容量表 精品文档 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 三星颗粒 一、三星颗粒一般以KM开头 二、内存颗粒类型:4表示DD...
内存芯片容量表
内存芯片容量表 精品文档 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 三星颗粒 一、三星颗粒一般以KM开头 二、内存颗粒类型:4表示DDR SDRAM 三、芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 四、工作电压:H=DDR SDRAM,3.3V、L=DDR SDRAM,2.5V 五、内存颗粒位数:4:4Mbit、8:8 Mbit、16:16 Mbit、32:32 Mbit、64:64 Mbit、12:128 Mbit、25:256 Mbit、51:512 Mbit 六、芯片容量及刷新速度:0:64m /4K [15.6μs]、1:32m/2K [15.6μs]、2:128m/8K [15.6μs]、3:64m/8K [7.8μs]、4:128m/16K [7.8μs] 七、内存BANK:3:4排、4:8排 八、电压:混合接口LVTTL+SSTL3(3.3V)、1:SSTL2(2.5V) 九、封装类型:T:66针TSOP II、B:BGA、C:微型BGA(CSP) 十、工作频率:0:10ns、100MHz(200Mbps);8:8ns、125MHz(250Mbps);Z:7.5ns、133MHz(266Mbps);Y:6.7ns、150MHz(300Mbps);6:6ns、166MHz(333Mbps);5:5ns、200MHz(400Mbps) HYUNDAI 一、HY是现代颗粒的标志 二、内存颗粒类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM); 三、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 精品文档 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 四、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref 五、芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 六、内存BANK:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系 七、电压代表:1:SSTL_3、2:SSTL_2 八、芯片版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新 九、功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片 十、封装类型:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-?,TD=13mm TSOP-?,T TG=16mm TSOP-? 十一、工作频率:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A Micron(美光) 一、 MT是代表Micron的产品 二、内存颗粒类型:48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus 三、工作电压:C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS 四、设备号码 五、内存容量:无字母=Bits,K=Kilobits(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB) 六、芯片输出的数据位宽:4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 七、代表封装:TG=TSOP?封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60 针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 精品文档 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 八、内存颗粒速度:分为四大类 DRAM SD RAMBUS DDR 1、DRAM -4=40ns,-5=50ns,-6=60ns,-7=70ns 2、SDRAM,x32 DDR SDRAM(时钟频率 @ CL3) -15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-7x+=143MHz,- 65=150MHz,-6=167MHz,-55=183MHz,-5=200MHz 3、DDR SDRAM(x4,x8,x16)时钟频率 @ CL=2.5 -8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz 4、Rambus(时钟频率) -4D=400MHz 40ns,-4C=400MHz 45ns,-4B=400MHz 50ns,-3C=356MHz 45ns,-3B=356MHz 50ns,-3M=300MHz 53ns +的含义 -8E支持PC66和PC100(CL2和CL3) -75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3) -7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3) -7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3) -8支持PC200(CL2) -75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5) -7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。 九、功耗:L=低耗,blank=普通 WINBOND(华邦) --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 精品文档 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 一、W表示内存颗粒是Winbond生产 二、内存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM 三、内存的版本号:常见的版本号为B和H; 四、封装类型,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装 五、工作时钟频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、 150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz 但现今有一部分内存条在内存颗粒表面覆盖上了散热金属片,那这就看不到颗粒上的编码。这时候我们可以用一款内存检测软件来识别,他就是最近走红的AIDA。通过它我们可以轻易地看到内存的真面目。 最后,提醒那些刚入门DIYer们,内存品牌并不是代表内存颗粒的品牌,这一点要十分注意。不是说散装HY内存颗粒的内存条就是HY原厂内存,那些往往就是一些散户加工而成,质量总的来说没什么保障。同样的,作为世界第一大内存生产厂商的Kingston,其使用的内存颗粒确是五花八门,既有Kingston自己颗粒的产品,更多的则是现代(Hynix)、华邦(Winbond)、三星(Samsung)、南亚(Nanya)、英飞凌(Infinoen)、美光(Micron)等等众多厂商的内存颗粒。JS的骗人手法天天在变,所以我们也要用知识武装自己,买之前一定要先了解清楚,务必打赢每一次DIY商战。 对于内存的超频,很多网友都反映HY(现代)的D43颗粒很好超,综合网上的文章,D43内存颗粒在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最为常见,口碑也是最好。标称DDR400规格的DT-D43颗粒可以超到DDR500来使用,D43颗粒对电压却并不是特别敏感,加到2.8V以上基本没有任何意义。一般来说D43颗粒在DDR400的参数可以最优化为2-3-3-5,超频到DDR500后的参数为3-3-3-8。D5则是一款的DDR500颗粒,和D43颗粒一样,其中以CT-D5和DT-D5最为常见。 金士顿ValueRAM DDR内存编号:ValueRAM KVR400X64C25/256 1、KVR代表kingston value RAM ; --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 精品文档 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2、400为外频速度; 3、一般为X; 4、64为没有ECC;72代表有ECC 5、有S字符表示笔记本专用内存,没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存; 6、3:CAS=3;2.5:CAS=2.5;2:CAS=2; 7、分隔符号----/; 8、内存的容量----256 --------------------------精品文档,可以编辑修改,等待你的下载,管理,教育文档---------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
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