怎样从内存芯片上识别DDR400-1G的内存条

怎样从内存芯片上识别DDR400-1G的内存条 内存条芯片参数 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1( HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2( 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) :VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V 3( 处理工艺及供电:(V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4( 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新) 5( 内存条芯片结构:(4,4颗芯片;8,8颗芯片;16,16颗芯片;32,32颗芯片) 6( 内存bank(储蓄位):(1,2 bank;2,4 bank;3,8 bank) 7( 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18) 8( 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代) 9( 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型) 10( 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F,FBGA;FC,FBGA(UTC:8x13mm)) 11( 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J,其它;M=MCP(Hynix);MU,MCP(UTC)) 12( 封装原料:(空白=普通;P=铅;H,卤素;R=铅+卤素) 13( 速度:(D43,DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J,DDR333;M,DDR333 2-2-2;K,DDR266A;H,DDR266B;L,DDR200) 40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度)) 14( 工作温度:(I=工业常温(- 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说，它只支持DDR 200的工作频率)，那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 常见SDRAM 编号识别 维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容:厂商名称(代号)、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下: ? HY HYUNDAI ------- 现代 ? MT Micron ------- 美光 ? GM LG-Semicon ? HYB SIEMENS ------ 西门子 ? HM Hitachi ------ 日立 ? MB Fujitsu ------ 富士通 ? TC Toshiba ------ 东芝 ? KM Samsung ------ 三星 ? KS KINGMAX ------ 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下: ? -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ? –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ? –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. ? –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ? –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. (3) 编 号 形 式 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V. 64M; 129—129M; 256—256M. CCC表示容量,16—16M; 65— dd表示带宽。 f表示界面，0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2. g表示版本号，B—第三代。 h表示电源功耗， L—低功耗; 空白—普通型。 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 10—100MHZ(非PC100)。 例:1) HY57V651620B TC-75 按照解释该内存条应为:SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 2) HY57V653220B TC-7 按照解释该内存条应为:SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ 全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德 : 国、台湾) 序号 品牌 国家/地区 标识 备注 1 三星 韩国 SAMSUNG 2 现代 韩国 HY 3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并 4 迈克龙 美国 MT 5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 6 日电 日本 NEC 7 日立 日本 HITACHI 8 冲电气 日本 OKI 9 东芝 日本 TOSHIBA 10 富士通 日本 F 11 西门子 德国 SIEMENS 12 联华 台湾 UMC 13 南亚 台湾 NANYA 14 茂矽 台湾 MOSEI SAMSUNG内存 体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义: 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。 64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ; 8ns;10 为10ns (66MHz)。 80为 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义: HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型:(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM); 3、工作电压:空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗:L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-?，TD=13mm TSOP-?，TG=16mm TSOP-? 11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A Infineon(亿恒) Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz; -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如: 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。 KINGMAX、kti KINGMAX内存的说明 Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注: KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度; KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度; KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度; KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度; KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率: -7A——PC133 /CL=2; -7——PC133 /CL=3; -8A——PC100/ CL=2; -8——PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。 Micron(美光) 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码。 含义: MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz;-65即150MHz。 实例:一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。 Winbond(华邦) 含义说明: W XX XX XX XX 1 2 3 4 5 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型:98为SDRAM，94为DDR RAM 3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H; 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz; 6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz