[精华版]STM32F103ZET6外扩SRAM

[精华版]STM32F103ZET6外扩SRAM STM32F103ZET6 外部SRAM实验 STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用，所以战舰STM32开发板板载了一颗1M字节容量的SRAM芯片:IS62WV51216，满足大内存使用的需求。 本章，我们将使用STM32来驱动IS62WV51216，实现对IS62WV51216的访问控制，并测试其容量。本章分为如下几个部分: 42.1 IS62WV51216简介 42.2 硬件设计 42.3 软件设计 42.4 下载验证 42.1 IS62WV51216简介 IS62WV51216是ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc)公司生产的一颗16位宽512K(512*16，即1M字节)容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点: , 高速。具有45ns/55ns访问速度。 , 低功耗。 , TTL电平兼容。 , 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。 , 三态输出。 , 字节控制功能。支持高/低字节控制。 IS62WV51216的功能框图如图42.1.1所示: 图42.1.1 IS62WV51216功能框图 图中A0~18为地址线，总共19根地址线(即2^19=512K，1K=1024);IO0~15为数据线，总共16根数据线。CS2和CS1都是片选信号，不过CS2是高电平有效CS1是低电平有效;OE是输出使能信号(读信号);WE为写使能信号;UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号; 战舰STM32开发板使用的是TSOP44封装的IS62WV51216芯片，该芯片直接接在STM32的FSMC上，IS62WV51216原理图如图42.1.2所示: 图42.1.2 IS62WV51216原理图 从原理图可以看出，IS62WV51216同STM32的连接关系: A[0:18]接FMSC_A[0:18] D[0:15]接FSMC_D[0:15] UB接FSMC_NBL1 LB接FSMC_NBL0 OE接FSMC_OE WE接FSMC_WE CS接FSMC_NE3 本章，我们使用FSMC的BANK1 区域3来控制IS62WV51216，关于FSMC的详细介绍，我们在第十八章已经介绍过，在第十八章，我们采用的是读写不同的时序来操作TFTLCD模块(因为TFTLCD模块读的速度比写的速度慢很多)，但是在本章，因为IS62WV51216的读写时间基本一致，所以，我们设置读写相同的时序来访问FSMC。关于FSMC的详细介绍，请大家看第十八章和《STM32参考手册》。 IS62WV51216就介绍到这，最后，我们来看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。步骤如下: 1)使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。 要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。 2)设置FSMC BANK1 区域3的相关寄存器。 此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。本章我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。 3)使能BANK1区域3。 最后，只需要通过FSMC_BCR寄存器使能BANK1，区域3即可。 通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。 42.2 硬件设计 本章实验功能简介:开机后，显示提示信息，然后按下KEY1按键，即测试外部SRAM容量大小并显示在LCD上。按下WK_UP按键，即显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。 本实验用到的硬件资源有: 1) 指示灯DS0 2) KEY1和WK_UP按键 3) 串口 4) TFTLCD模块 5) IS62WV51216 这些我们都已经介绍过(IS62WV51216与STM32的各IO对应关系，请参考光盘原理图)，接下来我们 开始软件设计。 42.3 软件设计 打开上一章的工程，首先在HARDWARE文件夹下新建一个SRAM的文件夹。然后新建sram.c和sram. h 两个文件，将他们保存在SRAM文件夹下，并将这个文件夹加入头文件包含路径。 打开sram.c文件，输入如下代码: #include "sram.h" #include "usart.h" 使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10 // //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17 //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18 #define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000)) //初始化外部SRAM void FSMC_SRAM_Init(void) { RCC->AHBENR|=1<<8; //使能FSMC时钟 RCC->APB2ENR|=1<<5; //使能PORTD时钟 RCC->APB2ENR|=1<<6; //使能PORTE时钟 RCC->APB2ENR|=1<<7; //使能PORTF时钟 RCC->APB2ENR|=1<<8; //使能PORTG时钟 GPIOD->CRH&=0X00000000; GPIOD->CRH|=0XBBBBBBBB; //PORTD复用推挽输出 GPIOD->CRL&=0XFF00FF00; GPIOD->CRL|=0X00BB00BB; GPIOE->CRH&=0X00000000; GPIOE->CRH|=0XBBBBBBBB; //PORTE复用推挽输出 GPIOE->CRL&=0X0FFFFF00; GPIOE->CRL|=0XB00000BB; GPIOF->CRH&=0X0000FFFF; GPIOF->CRH|=0XBBBB0000; //PORTF复用推挽输出 GPIOF->CRL&=0XFF000000; GPIOF->CRL|=0X00BBBBBB; GPIOG->CRH&=0XFFFFF0FF; GPIOG->CRH|=0X00000B00; //PORTG复用推挽输出PG10->NE3 GPIOG->CRL&=0XFF000000; GPIOG->CRL|=0X00BBBBBB; //寄存器清零 //bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。 //这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。 FSMC_Bank1->BTCR[4]=0X00000000; FSMC_Bank1->BTCR[5]=0X00000000; FSMC_Bank1E->BWTR[4]=0X00000000; //操作BCR寄存器 使用异步模式,模式A(读写共用一个时序寄存器) //BTCR[偶数]:BCR寄存器;BTCR[奇数]:BTR寄存器 FSMC_Bank1->BTCR[4]|=1<<12;//存储器写使能 FSMC_Bank1->BTCR[4]|=1<<4; //存储器数据宽度为16bit //操作BTR寄存器 FSMC_Bank1->BTCR[5]|=3<<8; 数据保持时间(DATAST)为4个HCLK 4/72M=55ns // FSMC_Bank1->BTCR[5]|=0<<4; //地址保持时间(ADDHLD)未用到 FSMC_Bank1->BTCR[5]|=0<<0; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK //闪存写时序寄存器 FSMC_Bank1E->BWTR[4]=0x0FFFFFFF;//默认值 //使能BANK1区域3 FSMC_Bank1->BTCR[4]|=1<<0; } //在指定地址(WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR)开始,连续写入n个字节. //pBuffer:字节指针 //WriteAddr:要写入的地址 //n:要写入的字节数 void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n) { for(;n!=0;n--) { *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer; WriteAddr++; pBuffer++; } } //在指定地址((WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR))开始,连续读出n个字节. //pBuffer:字节指针 //ReadAddr:要读出的起始地址 //n:要写入的字节数 void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n) { for(;n!=0;n--) { *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr); ReadAddr++; } } 此部分代码包含3个函数，FSMC_SRAM_Init函数用于初始化，包括FSMC相关IO口的初始化以及FSMC配置。另外，FSMC_SRAM_WriteBuffer和FSMC_SRAM_ReadBuffer这两个函数分别用于在外部SRAM的指定地址写入和读取指定长度的数据(以字节为单位)。这里需要注意的是:FSMC当位宽为16位的时候，HADDR右移一位同地址对其，但是ReadAddr我们这里却没有加2，而是加1，是因为我们这里用的数据为宽是8位，通过UB和LB来控制高低字节位，所以地址在这里是可以只加1的。另外，因为我们使用的是BANK1，区域3，所以外部SRAM的基址为:0x68000000。 保存sram.c文件，并加入到HARDWARE组下，然后打开sram.h，在该文件里面输入如下代码: #ifndef __SRAM_H #define __SRAM_H #include < stm32f10x_map.h> void FSMC_SRAM_Init(void); void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 NumHalfwordToWrite); void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 NumHalfwordToRead); #endif 保存此部分代码。最后，打开test.c文件，修改代码如下: u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组 /外部内存测试(最大支持1M字节内存测试) / void fsmc_sram_test(u16 x,u16 y) { u32 i=0; u8 temp=0; u8 sval=0; //在地址0读到的数据 LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"Ex Memory Test: 0KB"); //每隔4K字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节 for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) { FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1); temp++; } //依次读出之前写入的数据,进行校验 for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) { FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1); if(i==0)sval=temp; else if(temp<=sval)break;//后面读出的数据一定要比第一次读到的数据大. LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*4,4,16,0);//显示内存容量 } } int main(void) { u8 key; u8 i=0; u32 ts=0; Stm32_Clock_Init(9); //系统时钟设置 uart_init(72,9600); /串口初始化为9600 delay_init(72); //延时初始化 LED_Init(); //初始化与LED连接的硬件接口 LCD_Init(); //初始化LCD usmart_dev.init(72); //初始化USMART KEY_Init(); //按键初始化 FSMC_SRAM_Init(); //初始化外部SRAM POINT_COLOR=RED; //设置字体为红色 LCD_ShowString(60,50,200,16,16,"WarShip STM32"); LCD_ShowString(60,70,200,16,16,"SRAM TEST"); LCD_ShowString(60,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK"); LCD_ShowString(60,110,200,16,16,"2012/9/16"); LCD_ShowString(60,130,200,16,16,"KEY1:Test Sram"); LCD_ShowString(60,150,200,16,16,"WK_UP:TEST Data"); POINT_COLOR=BLUE;//设置字体为蓝色 for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;//预存测试数据 while(1) { key=KEY_Scan(0);//不支持连按 if(key==KEY_DOWN)fsmc_sram_test(60,170);//测试SRAM容量 else if(key==KEY_UP)//打印预存测试数据 { for(ts=0;ts<250000;ts++)LCD_ShowxNum(60,190,testsram[ts],6,16,0); //显示测试数据 }else delay_ms(10); i++; if(i==20)//DS0闪烁. { i=0; LED0=!LED0; } } } 此部分代码除了mian函数，还有一个fsmc_sram_test函数，该函数用于测试外部SRAM的容量大小，并显示其容量。main函数则比较简单，我们就不细说了。 此段代码，我们定义了一个超大数组testsram，我们指定该数组定义在外部sram起始地址(__attribute__((at(0X68000000))))，该数组用来测试外部SRAM数据的读写。注意该数组的定义方法，是我们推荐的使用外部SRAM的方法。如果想用MDK自动分配，那么需要用到分散加载还需要添加汇编的FSMC初始化代码，相对来说比较麻烦。而且外部SRAM访问速度又远不如内部SRAM，如果将一些需要快速访问的SRAM定义到了外部SRAM，将会严重拖慢程序运行速度。而如果以我们推荐的方式来分配外部SRAM，那么就可以控制SRAM的分配，可以针对性的选择放外部还是放内部，有利于提高程序运行速度，使用起来也比较方便。 42.4 下载验证 在代码编译成功之后，我们通过下载代码到ALIENTEK战舰STM32开发板上，得到如图42.4.1所示界面: 图 42.4.1 程序运行效果图 此时，我们按下KEY1，就可以在LCD上看到内存测试的画面，同样，按下WK_UP，就可以看到LCD显示存放在数组testsram里面的测试数据，如图42.4.2所示: 图42.4.2 外部SRAM测试界面 该实验我们还可以借助USMART来测试，只需要在usmart_nametab里面添加读写SRAM的两个函数，就可以用USMART来测试外部SRAM了。 附件1: 实验37 外部SRAM实验.rar (文件大小: 185 KB 下载次数:172次) 附件2: 《STM32开发指南》第四十二章 外部SRAM实验.rar (文件大小: 576 KB 下载次数:163次)