褒义词和贬义词成语 品质性格成语褒义词贬义词

Answers of Questions Chapter 1 1-1. Please classify the power semiconductor discrete devices. A: power rectifiers and power switches. 功率整流器和功率开关 1-2. Please list the name of popular power switch. A: power MOSFET, power BJT, IGBT, etc. 功率MOS管，功率BJT管，IGBT等 1-3. Define the ideal power semiconductor device. A: It must be able to control the flow of power to loads with ZERO power dissipation. 零功耗（包括导通损耗，关断损耗，开关损耗，均为零） 1-4. Drawing out the switching waveform of ideal power switch. A: 1-5. List the device name you known that has the normally-off performance. A:    Normally-off: BJT, Enhancement MOSFET, VDMOS, Trench MOS, IGBT, Normally-on: JFET, Depletion MOSFET. 1-6. Which is preferable for normal system, normally-on device or normally-off? Give the reason. A: For normal system, normally-off device is preferable as it has the power dissipation lower than normally-on device’s. 常关器件更好。因为开通功耗（有电流）大于关断功耗（近似无电流），所以常关器件比常开器件具有更低功耗。 1-7. List the international semiconductor company name you know that products the power semiconductor devices. A: TI, Onsemi, Freescale, Fairchild, ST, Infineon, NXP, Vishay, ADI, Maxim, ROHM 1-8. List the special points of power semiconductor devices comparing with the digital semiconductor devices. A: higher voltage and larger current, bigger/special process technology, longer life cycle. 功率器件通常应用在高压、大电流环境，大线宽、特殊工艺，生命周期长。 数字器件通常应用在低压、小电流环境，小线宽、工艺，生命周期短。 Chapter 2 2-1. what is meant by impact ionization coefficient of hole(electron)? 耗尽区内，一个空穴（电子）在电场作用下，通过1cm的长度上产生的电子-空穴对的数目，定义为空穴（电子）的碰撞电离系数 ( )。 2-2. what is a plane junction? 平行平面结是一维二极管，理想PN结，具有一维性质的电场。 2-3. define the punch-through diode structure. PiN二极管，反向耐压最大时i区全耗尽，称为穿通型二极管结构。 2-4. why does the impact ionization coefficient increase with the increasing of the electric field and it decrease with the increasing of temperature？ 碰撞电离系数是电场的强 ( )∝E7，电场增加碰撞电离系数增大；随着温度升高，晶格振动加剧，载流子更容易与晶格碰撞失去能量，产生的电子-空穴数目减少，所以温度升高碰撞电离系数减小。 2-5. 一个电子（空穴）在耗尽区内与晶格原子发生碰撞，产生一个电子-空穴对，器件即发生雪崩击穿， 2-6. Which structure has the largest breakdown voltage under the same junction depth: plane junction, cylindrical junction and spherical junction? Why？ 平行平面结具有最大BV。 圆柱结（二维场）和球面结（三维场）因为曲率的存在，电场集中，更易击穿。 E（圆柱）=√Ex2+Ey2 E（球面）=√Ex2+Ey2+Ez2 2-7. Explain the effect of the oxide charger on the breakdown voltage in the field plate design. 氧化层电荷是正电荷，浓度在1010～1012/cm2 。由于额外正电荷的引入，对N+P结，耗尽层边缘会展宽，器件的BV增加；相对P+N结则产生负作用，耗尽层缩小，器件BV降低。 Chapter 3 3-1. Define the high-level injection 所谓大注入，即注入半导体中的非平衡少子浓度接近或者超过平衡时多子的浓度。 3-2. Define the conductivity modulation PiN二极管，正向导通时，对i区，P+注入大量空穴，N+注入大量电子，电子-空穴对浓度可以从1014上升到1018，电导率急速上升，这叫电导调制效应。其可使PiN二极管承担小压降，大电流。 3-3/4. Drawing out the structure of JBS/MPS and describing its operation mechanism. 图见page 97/98，（注意JBS漂移区比MPS要薄） JBS，采用肖特基势垒低的金属与半导体结合；正向时，PN结不导通，只有电子参与导电，开关速度快；反向时，PN结耗尽区随电压升高展宽，最终连成一体，隔离肖特基势垒，其耐压由PN结来承受，泄漏电流小，由于漂移区比MPS薄，BV比MPS低。 MPS，正向电压<0.5V时，PN结不导通，工作类似于肖特基二极管。正向电压>0.6V时，PN结导通，空穴注入漂移区，产生电导调制效应，压降小电流大，由于电子空穴都参与导电，开关速度低于JBS；反向耐压机制与JBS一样，但由于漂移区更厚，BV较JBS高。 3-5. What is the overshoot of the power PiN rectifiers 对PiN管，开启时如果电流变化过快（di/dt较大），其正向压降开始时会超过在稳态时传输相同电流的压降，此现象叫功率PiN管的电压过冲。因为此时i区没有完全被电导调制，电阻还很大，则产生较大压降。 3-6. Explain why the Si Schottky diode cannot operate at high-voltage condition? 硅基肖特基二极管是多子器件，无空穴参与导电，反向时N-承担耐压；无电导调制效应，正向导通时N-区电阻很大；根据Ron.sp∝BV2～2.5，电压升高导通电阻（导通损耗）急剧上升。所以SBD一般应用<600V。 3-7. which structure has the higher leakage current ,Schottky diode or PiN diode?Why? 肖特基二极管泄漏电流更大。 PiN泄漏电流由2部分组成，空间电荷区的产生电流，中性区P+和N+少子的扩散电流。 SBD泄漏电流除了同PiN的相似的2部分，还有金半接触带来的热电子发射电流，并且后者比前2者大得多。 Chapter 4 4-1. What is the meant by reach through breakdown (or punch through breakdown)? 随着BC结反偏电压增加，BC结耗尽层展宽并接触到BE结耗尽层的时候，BE结势垒变低，发射极电子可以越过更低的一个势垒，被反偏BC结电场抽走，此现象叫穿通击穿。 4-2. What is the meant by BVCBO and BVCEO? BVCBO，开发射极击穿电压；发射极开路，集电极与基极之间的击穿电压。 BVCEO，开基极击穿电压；基极开路，集电极与发射极之间的击穿电压。 4-3. The collector efficiency under what condition is much larger than unit? 当CB结的偏置电压可以和雪崩击穿电压相比拟的时候，集电极效率远大于1. 4-4. Why does the power BJT can operate at high-level current when it locates at its saturation region? BJT在饱和区的时候VBE>0，VBC>0，VCE很小；BC结正偏，相当于PN-N+二极管工作在正偏情况下，发生大注入现象（电导调制效应），电阻降低，所以在饱和区可以传导大电流。 4-5. what should be carefully considered when you design the base of the power BJT? 1，掺杂不能太淡或者基区不能太薄，否则容易发生穿通击穿 2，掺杂很高或者基区很厚，增益太低，需要更大控制电流IB 所以需要一个折中。 4-6. why ICEO>ICBO? ICBO是二极管泄漏电流，ICEO会被BJT放大，有公式ICEO=(1+?)ICBO, 所以ICEO>ICBO。 继续阅读