选择合适答案填入空内在本征半导体中加入元素可形成N型

选择合适填入空内在本征半导体中加入元素可形成N型 1.1 选择合适答案填入空内。 (1)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 解:(1)A ，C (2)A (3)C (4)A 1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端,为什么, 解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图P1.3所示，已知ui,10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.3 解:ui和uo的波形如解图P1.3所示。 解图P1.3 1.4 电路如图P1.4所示，已知ui,5sinωt (V)，二极管导通电压UD,0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 图P1.4 解图P1.4 1.5 电路如图P1.5(a)所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示，二极管导通电压UD,0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。 图P1.5 解:uO的波形如解图P1.5所示。 解图P1.5 1.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD,0.7V，常温下UT?26mV，电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少, 图P1.6 解:二极管的直流电流ID,(V,UD)/R,2.6mA 其动态电阻rD?UT/ID,10Ω 故动态电流有效值Id,Ui/rD?1mA 1.7 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电 压为0.7V。试问: (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值,各为多少, (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值,各为多少, 解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 已知稳压管的稳定电压UZ,6V，稳定电流的最小值IZmin,5mA，最大功耗PZM,150mW。试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。 图P1.8 解:稳压管的最大稳定电流IZM,PZM/UZ,25mA 电阻R的电流为IZM,IZmin，所以其取值范围为 U,UIZR,,0.36,1.8k,IZ 1.9 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ,6V，最小稳定电流IZmin,5mA，最大稳定电流IZmax,25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI,35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么, 图P1.9 解:(1)当UI,10V时，若UO,UZ,6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 RLU,,U,3.33VOIR，RL 当UI,15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以 UO,UZ,6V 同理，当UI,35V时，UO,UZ,6V。 I,(U,U)R,DIZZ(2)29mA,IZM,25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压UD,1.5V，正向电流在5,15mA时才能正常工作。试问: (1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光, (2)R的取值范围是多少, 图P1.10 解:(1)S闭合。 (2)R的范围为 R,(V,U)I,233,minDDmax R,(V,U)I,700,。maxDDmin 1.11 电路如图P1.11(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压UZ,3V，R的取值合适，uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 图P1.11 解:波形如解图P1.11所示 解图P1.11 1.12 在温度20?时某晶体管的ICBO,2μA，试问温度是60?时ICBO?, 5ICBO(T,20:C)解:60?时ICBO?,32μA。 1.13 有两只晶体管，一只的β,200，ICEO,200μA;另一只的β,100，ICEO,10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子,为什么, 解:选用β,100、ICBO,10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。 1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 图P1.14 解:答案如解图P1.14所示。 解图P1.14 1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图P1.15 解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。 解表P1.15 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN Si Si Si Ge Ge Ge 1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE,0.7V，β=50。试VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 图P1.16 解:(1)当VBB,0时，T截止，uO,12V。 (2)当VBB,1V时，因为 V,UBBBEQI,,60BQRbμA I, I,3mA,CQBQ u,V,IR,9VOCCCQC 所以T处于放大状态。 (3)当VBB,3V时，因为 V,UBBBEQI,,160BQRbμA I, I8mA,,CQBQ u,V,IR,UOCCCQCBE 所以T处于饱和状态。 1.17 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和, 图P1.17 解:取UCES,UBE，若管子饱和，则 V,UV,UCCBECCBE,,,RRbC R,, RbC Rb,,,100RC所以，时，管子饱和。 1.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β,50，|UBE|,0.2V，饱和管压降|UCES|,0.1V;稳压管的稳定电压UZ,5V，正向导通电压UD,0.5V。试问:当uI,0V时uO,,当uI,,5V时uO,, 图P1.18 解:当uI,0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO,,UZ,,5V。 当uI,,5V时，晶体管饱和，uO,0.1V。因为 u,UIBEI,,480μABRb I,,I,24mACB U,V,IR,VECCCCCCC 1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图P1.19 解:(a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 (e)可能 1.20 已知某结型场效应管的IDSS,2mA，UGS(off),,4V，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。 解:根据方程 u2GSi,I(1,)DDSSUGS(th) 逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性;在输出特性中，将各条曲线上uGD,UGS(off)的点连接起来，便为予夹断线;如解图P1.20所示。 解图P1.20 1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极?、?、?的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型)，并说明 ?、?、?与G、S、D的对应关系。 解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极?、?、?与G、S、D的对应关系如解图P1.21所示。 解图P1.21 1.22 已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 图P1.22 解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22(a)所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值，建立iD,f(uGS)坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22(b)所示。 解图P1.22 1.23 电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI,4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 图P1.23 解:根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS,uI。 当uI,4V时，uGS小于开启电压，故T截止。 当uI,8V时，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD?0.6mA，管压降 uDS?VDD,iDRd?10V 因此，uGD,uGS,uDS?,2V，小于开启电压，说明假设成立，即T工作在恒流区。 当uI,12V时，由于VDD ,12V，必然使T工作在可变电阻区。 1.24 分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在 恒流区。 图P1.24 解:(a)可能 (b)不能 (c)不能 (d)可能