数字媒体技术

数字媒体技术 字媒信息存储技储数体 着光储等科技储的储展～人储步入了一全新的字化储代和信息储随学个数 代。由于信息的多媒化～人储储理的不储是储储的据、文字、音、体数声 储像～而是由高度的和高储量的音和储储像等储合在一起的字清晰声运数 多媒信息。多媒信息的据量大,文字、音、储像、储、储体体数很声画 储等多储媒信息同储存在～尤其是储储的音和储储储像更储明储。使储储储体声即 储～所需要的存储空储仍然十分客储。目前我储普遍使用的多媒信息存储技储主要有磁存储技储和光存储技储。体 磁存储技储, 磁存储器是一储储储的存储系储～是利用一储微米储的表面磁介储作储储储它 信息的媒～以磁介储的储不同剩磁储或不同剩磁方向储化的储律体两状来 表示二储制字信息。数 磁存储器的信息储储和储出储程都是储磁信息储储的储程～是通储磁储和储运 着的磁介储储储的。磁储用储磁性材料做磁芯～上面储有储来/储圈。储行写 写号随入操作储～磁储储圈中通以交储信储流～磁芯中的磁通量也着储化～ 储交储的磁储磁储储隙中泄漏出去～使作速储的磁储表面上的磁介个从匀运 储被磁化～在磁储上的磁化点就代表所要储储的据。储出操作储～由于数磁介储储和磁储储的相储储～事先被磁化了的域储序地储储磁储～磁芯体运区 中的磁通量储生储化～在磁储储圈中储生感储储储储～储一储储储储储一定的储理～ 就可恢储原入的据。 来写数 磁存储器之所以能储期存在～是因储有储多储点～它 ;1,存储媒是非易失性的～存储容可机储期保存～体内脱 ;2,存储密度不提高～存储容量大～能储足储算机的储展需要～断 ;3,入、储出速度比储快～储易于储储盖～具有重储使用性能。写写 从属存储原理上看～储磁储、硬磁储等均于磁存储器。 。储储存储器是一储以储磁储片作储储储媒储行机存取的磁储存储储储。体来随所用储片用柔储的聚储薄膜作储储基～表面有磁性材料～封在方形保涂装储套～工作储储储境储低～在一般储公室均可使用。内内 硬储作储一储磁表面存储器～是在非磁性的合金材料表面上一储涂很 薄的储磁性材料～通储磁储的磁化存取信息。硬储主要由储片、磁储及来 控制储路储成～信息存储在储片上～磁储储储储出或入。写光存储技储, 光存储技储是通储光的入和储出据的存储技储～又储激光存储学写数称 技储。光存储的储点,存储容量大、非接方式储,信息、能储期保存触写信息、信息的储比高、价格低廉、多媒信息存储。着光技储、噪体随学 激光技储、微储子技储、材料科、储微加工技储、储算机自储控制技储学与 的储展～光存储技储在储储密度、容量、据储储率、储址储储等储储技储上有数将巨大的储展力。潜 光存储技储的储展储储, 1、三储全息存储技储 体 储储存储方式是利用光的干涉原理～在储储材料上以全息储的形式储储信体 息～在特定件下以衍射形式恢储所存储的信息。三储多重全息存并条体 储～是利用某些光晶的光折储效储储储全息储形储像。 学体 三储全息存储的原理是～待存储的据由空储光储制器储制成二储信息～体数 然后考光在储储介储中储生干涉～利用材料的光折储效储形成全与参并体 息储而完成信息的储储。储取储使用和原相同的考光储址～以储出存储来参 在晶中的相储的全息储。根据全息储的布拉格角度或波储储储性～改储体体 参考光的入射角度或波储以储储多重存储。由于布拉格储储性非常高～所以全息存储可在一储位储储用多幅储像～储而储储超高密度存储。体个体内从 体全息存储技储的主要特点是, ;1,存储密度高。;2,据冗余度高。;数3,据行储储。;数并4,储址速度快。;5,有储储储址功能。 2、近储光存储技储 学 目前各储光储储储器均用光储储储行储或～其物储介储储毫米量储～于储学写离属 储光存储系储。储然可通储短波储光激光器和固浸透储等技储能使光储学体没 储储密度有一定的提高。但物储聚焦的光斑尺寸受储储衍射限的制储～极而不可能根本上储储光存储的超高密度。 从学 在近储光储微储中～近储的小孔功能由光探储的储尖完成。光探储学学来学 尖端孔储小于光的波储。把储储的储米小孔置于距储品表面一波储以径当个 内即区体;近储域储,～不储可以探储到由物衍射的储储分量～而且可探储到非储射储--储失储分量。因此～近储光存储的基本原理是～通储储米尺学 寸的光储和储米尺寸的距控制～储储储米尺寸的光点储储。所以克服了学离 衍射限而提高了光存储的密度。因此～就提高光存储密度储～近极学来 储光的超衍射分学与它辨方法是最基本的方法。其高密度存储方法相比～储储存储方法具有大储点, 两 ;1,密度高、容量大。由于其储光斑小～可大大提高存储密度和存写 储容量。且存储并数每兆据的花储比普通光储大大降低。如果采用多光束多光点行的方法～其据储储率储可储一步地提高。 并数 ;2,可充分用运减已有的存储中的成熟技储～以少储储的储储和投储。储储近储光存储方法～可以利用其存储技储学它已储成熟的相储技储。如硬储储储器中的磁储储浮技储和光储存储中的光储储行技储～因而不用另外去储行新的系储储储和储储。 3、光子储储三储字存储技储 双双数 双双数两个光子储储三储字存储～是根据不同光束中的光子同储作用于原子储～能使介储的原子中某一特定能储上的储子激储至高的储子能储一即另 储储～使其光性能储生储化。因此～并学两个从两个若使光束方向聚焦至材料的空储同一点储～便可储储三储空储的储址、入储出。 写与 光致色储存储是一储光子型储储～是在光子作用下储生化储化而储储信息它学 存储的～其反储储储短。由于储储程是分子尺度上的一储极反储～因而能储储超高密度存储。由于一定光致色储材料储一定波储的光储有吸引反并储～而储其波储的光储不它敏感。因此～若储储储含有吸收储不同的多储或多储光致色储材料～储可用相储的多储波储分储入和储出～而储储多波储的多重储写从 储。所以～通储多重多储储储～在不改储光斑尺寸的情况下～能储一步提高储储存储容量。 光致色储存储化合物作储光存储介储有储多储点, ;1,灵达敏度高、速度快～可储米量储～ ;2,可用旋储布法制作光储～制作成本低～ 涂 ;3,信比高、噪抗磁性好～ ;4,光性能可通储改储分子储储学构来整～有利于有机合成等。 4、光储储孔存储技储 光储储孔存储技储是利用分子储不同储率光吸收率不同储储不同的分子～来 从个来达而可以储储用一分子存储一位信息～到了超高密度存储的目的。 由于可以通储改储激光储率在吸收储储储出多孔～利用储率储储储信内个即来 息～而在一光斑存出多信息～其存储密度可提高从个内个2,3个数量储。 5、储子储存储技储 俘 储子储存储技储的原理是储子的储和储俘俘与放。其信息的储储和储取的储程只储子的储和储俘学状构放有储～而和光材料的储及储储化无储。因此～可以以储秒储储储储入和储出～写很寿反储储储快～无储效储～可反储擦除、使用命非常储等。